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반도체 웨이퍼의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서,반도체 웨이퍼(405)를 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 후드를 여는 후드열림 단계와;(S10)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 후드를 통해 반도체 웨이퍼(405)를 인입하는 웨이퍼 인입단계와;(S20)상기 반도체 웨이퍼(405)를 인입한뒤 후드를 닫는 후드닫힘 단계와;(S30)상기 반도체 웨이퍼(405)의 PR을 제거하기 위해 수증기와 반응가스를 주입하는 수증기 및 반응가스 주입단계와;(S40)상기 반도체 웨이퍼(405)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(503a,503b)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S50)상기 플라즈마 전극(503a,503b)에서 발생된 플라즈마와 수증기를 화학펌프(904)로 강제순환시켜 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 순환단계와;(S55)상기 반도체 웨이퍼(405)의 PR이 반응가스와 수증기 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S60)상기 반도체 웨이퍼(405)의 PR제거 반응후 수증기와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되는 배기가스 배출단계와;(S70)상기 반도체 웨이퍼(405)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 후드를 여는 후드열림 단계와;(S80)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정챔버로 이동되어지는 웨이퍼 배출단계;(S90)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 제거용 베이퍼 시스템을 이용한 PR제거 방법
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FPD기판의 PR을 PR 제거설비를 이용한 PR제거 방법에 있어서,FPD기판(405)을 PR제거 시스템(100) 내부로 인입하기 위해 후드를 여는 후드열림 단계와;(S110)상기 PR 제거 시스템(100)의 열린 후드를 통해 FPD기판(405)을 인입하는 FPD기판 인입단계와;(S120)상기 FPD기판(405)을 인입한뒤 후드를 닫는 후드닫힘 단계와;(S130)상기 FPD기판(405)을 가열하는 가열단계와;(S140)상기 FPD기판(405)의 PR을 제거하기 위해 수증기와 반응가스를 주입하는 수증기 및 반응가스 주입단계와;(S150)상기 FPD기판(405)의 PR을 제거하기 위해 플라즈마 전극(503a,503b)에 전원을 인가하는 전원인가 단계와;(S160)상기 플라즈마 전극(503a,503b)에서 발생된 플라즈마와 수증기를 화학펌프로 강제순환시켜 고농축의 활성라디칼을 생성하는 활성라디칼 순환단계와;(S165)상기 FPD기판(405)의 PR이 반응가스와 수증기 및 활성라디칼과의 반응으로 제거되는 PR에싱 단계와;(S170)상기 FPD기판(405)의 PR제거 반응후 수증기와 반응가스 및 활성라티칼이 혼합된 배기가스가 배출되는 배기가스 배출단계와;(S180)상기 FPD기판(405)를 배출하기 위해 PR제거 시스템(100)의 후드를 여는 후드열림 단계와;(S190)상기 PR제거 시스템(100)에서 배출되어 다음 공정챔버로 이동되어지는 FPD기판 배출단계;(S200)를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템을 이용한 PR제거 방법
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반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 PR을 제거하는 베이퍼 시스템에 있어서,상기 PR제거 시스템(100) 내부의 하단에 설치되어진 가열기(603)가 순수를 가열하여 수증기를 발생시키고, 상기 가열기(603)를 감싸는 가열기 케이스(602)가 가열기(603)를 보호하며, 상기 가열기 케이스(602) 상단에 유량센서(605)를 통해 순수(604)가 일정량의 수위가 유지되고, 상기 가열기(603)를 통해 가열된 순수(604)가 수증기를 발생하고, 상기 가열기(603)와 순수가 내장되는 외부 케이스(601)를 포함하여 구성된 가열부(600)와, 상기 가열부(600)의 상단에 결합되고, 중앙에 수증기와 반응가스가 통과하는 홀이 형성 되어지며, 반응부(500)와 환기부(300)를 고정볼트(403)로 고정시키는 하부 고정 지그(402)와, 상기 하부 고정 지그(402)와 고정볼트(403)로 연결되며, 내부에 반도체 웨이퍼(405) 및 FPD기판(405)을 장착하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판 장착부(404)가 반응가스와 수증기 및 플라즈마가 통과하는 다수개의 홀이 형성되어 내부에 설치된 것을 포함하여 구성된 상부 고정 지그(401)와, 상기 상부,하부 고정 지그부(401,402) 사이에 결합되어 제어부(700)에서 인가되는 전원으로 플라즈마 전극(503a,503b)에 방전하는 방전극(502)이 일측에 설치되며, 중앙에 플라즈마 전극(503a,503b)이 설치되고, 플라즈마 전극(503a,503b)에서 방출된 플라즈마를 배출하는 접지극(501)이 타측에 설치된 것을 포함하여 구성된 반응부(500)와, 상기 상부 고정 지그(401) 상측에 설치되어 반응가스와 수증기가 혼합된 배출가스를 배출하는 환기부(300)를 포함하여 구성된 PR제거 시스템과;상기 가열부(600) 내부에 순수를 공급하는 순수 공급관이 내재되고, 상기 순수와 수증기에 산소가스를 제공하는 산소가스저장탱크(901)가 설치되며, 상기 산소가스저장탱크(901)와 가열부(600) 간에 연결되어 순수와 수증기에 산소를 공급하는 산소가스 공급관(910)을 포함하여 구성된 유틸리티부(900)와, 상기 반응부의 일측단에 설치된 방전극(502)에 전원을 인가하는 전원부(800)와, 상기 전원부와 반응부의 방전극(502)과 연결되어 전원부에서 인가되는 전원을 방전극(502)에 전송하는 전송선로(801)와, 상기 순수 공급관(905)과 산소가스 공급관(910), 가열기(603) 및 수증기와 반응가스를 공급 및 순환시키는 순환 가스관(906)에 반응가스와 순수, 산소의 유량의 투입량을 조절하는 유량 조절장치(903)와 가열기(603)에 각각의 제어선(701)으로 연결되어 각각의 유량 조절장치(903)와 가열기(603)의 온도를 제어하는 가스 및 온도 제어부(700)와, 상기 반응가스를 하부 고정 지그(402) 내부로 공급하며, 상기 상부 고정 지그(401)와 하부 고정 지그(402)를 연결하여 수증기와 반응가스를 순환시키는 순환 가스관(906)의 일부위에 연결되는 화학펌프(904)와, 상기 화학펌프(904)의 양측으로 순환 가스관(906)의 일부위와 순수와 수증기에 산소가스를 공급하는 산소가스 공급관(910) 및 순수 공급관(905)의 일부위에 설치되어 사용자가 순환을 조절하는 순환밸브(902)를 포함하여 구성된 제어시스템(200)으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템
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제 3항에 있어서,상기 플라즈마 전극(503a)은 하단에서 유입되어 상단으로 가스가 유동되는 구조를 갖는 다수의 평판전극이 형성되고, 상기 다수 평판전극 사이에 통공이 형성되도록 평판전극 간의 양끝단에 다수개의 세라믹 재질의 스페이서가 위치하며, 상기 다수개의 세라믹 평판전극은 그 일측에 전극판 삽입구가 형성되고, 다수개의 평판전극은 전극판 삽입구가 이웃하는 평판전극의 전극판 삽입구와 서로 반대방향으로 엇갈리게 배열되며, 동일방향으로 배열된 각 전도성 재질의 금속 박판의 전도성 재질로 이루어져 금속 박판 돌출부는 고주파 발생기의 일 한 단자에 동일하게 병렬 접속되는 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템
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제 3항에 있어서,상기 플라즈마 전극(503b)은 다수개의 세라믹 전극 봉들이 동일한 중심상에서 서로 다수의 층이 형성되고, 상기 세라믹 전극 봉사이에 일정 간격의 통공이 형성되고 상기 세라믹 전극봉을 일정간격으로 이격 되도록 설치되며, 상기 다수개의 세라믹 전극 봉은 세라믹 튜브내부에 도포된 금속전극과 연결되어 외부로 연장되는 전극리드가 마련되고, 상기 다수개의 전극 봉은 금속전극 연결 전극리드가 이웃하는 전극 봉의 전극 단자 부분과 서로 반대 방향으로 엇갈려 배치된 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 및 FPD기판의 포토레지스트 제거용 베이퍼 시스템
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