맞춤기술찾기

이전대상기술

리모트 저온 플라즈마 반응기

  • 기술번호 : KST2015130272
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리모트 저온 플라즈마 반응기에 관한 것으로 상세하게는 플라즈마 반응기에 있어서, 플라즈마 반응기에 있어서, 대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 가공하여 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극을 코팅하고, 상기 금속전극의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재를 상기 금속전극 표면에 코팅하며, 상기 유전체의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극을 코팅하며, 상기 접지전극의 표면에 절연코팅재를 코팅하고, 플라즈마의 발생을 위하여 다수개의 유전체를 일정간격 이격 배치시켜 구성된 것을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기에 관한 것이다.리모트, 플라즈마, 유전체, 세라믹, 코팅
Int. CL H01L 21/3065 (2006.01)
CPC H01J 37/32357(2013.01) H01J 37/32357(2013.01) H01J 37/32357(2013.01)
출원번호/일자 1020060127668 (2006.12.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0820916-0000 (2008.04.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080411) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.14)
심사청구항수 11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 차민석 대한민국 대전 유성구
2 송영훈 대한민국 대전광역시 유성구
3 이재옥 대한민국 대전광역시 유성구
4 김관태 대한민국 대전광역시 서구
5 이대훈 대한민국 대전 유성구
6 김석준 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 진용석 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 청사오피스텔 ***호 세빈 국제특허법률사무소 (둔산동)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0925984-96
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.10.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.11.08 수리 (Accepted) 9-1-2007-0064853-05
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0607420-79
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.01.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0029530-89
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.01.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0029539-99
7 등록결정서
Decision to grant
2008.04.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0185442-20
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 가공하여 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅하고, 플라즈마의 발생을 위하여 다수개의 유전체를 일정간격 이격 배치시켜 구성하는 것을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
2 2
플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 가공하여 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅한 것을 포함하여 구성된 유전체(10)의 양측에 소정 두께를 가지고 형성된 판형태의 측면접지전극(60)을 소정간격 이격시켜 배치한 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
3 3
플라즈마 반응기에 있어서,대면적에 플라즈마를 발생시키도록 세라믹종류의 유전체(10) 상측에 소정폭과 소정 깊이를 가지며, 길이방향으로 형성되고, 상측으로 향하며, 단면상 'ㄷ'자 형태의 홈을 가공하여 내측면의 표면 전체에 'ㄷ'자 형태로 금속전극(20)을 코팅하고, 상기 금속전극(20)의 표면을 보호 및 절연을 위한 보호절연코팅재(30)를 상기 금속전극(20) 표면에 코팅하며, 상기 유전체(10)의 하단측에 접지전극홈이 형성되어지고, 상기 접지전극홈에 접지전극(50)을 코팅하며, 상기 접지전극(50)의 표면에 절연코팅재(40)를 코팅한 것을 포함하여 구성된 유전체(10)의 양측에 'H'자 형상으로 형성된 측면접지전극(70)을 소정간격을 이격시켜 배치하되, 상기 측면접지전극(70)의 중앙에 인젝션홀(71)이 형성된 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
4 4
제 2항에 있어서,상기 측면접지전극은 아노다이징 처리된 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
5 5
제 2항에 있어서,상기 측면접지전극(60)은 상측을 향하는 'ㄷ'자 형태로 형성되어 상측의 홈으로 냉각수가 흐르는 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
6 6
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 유전체(10)의 강제 냉각을 수행하여 플라즈마의 온도조절 및 반응기의 내구성 향상을 위하여, 상기 유전체(10)의 보호절연코팅재(30) 상측으로 냉각수가 흐르는 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
7 7
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 플라즈마 온도를 더욱 낮출 필요가 있을 경우에, 투입되는 공정가스를 외부에 설치된 냉동기를 통한 강제 냉각을 수행하여 리모트 플라즈마의 온도를 감소시키도록 이루어진 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
8 8
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 고전압발생을 의한 전원장치는 10 kHz 이상 교류전원인 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
9 9
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 유전체(10)의 간극은 1mm이내 인 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
10 10
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호절연코팅재(30)는 테프론 코팅 또는 세라믹용사코팅 중 어느한가지 또는 두가지를 동시에 사용하며, 상기 유전체(10)의 하단에 코팅되는 절연코팅재(40)는 세라믹용사코팅재을 사용하는 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
11 11
제 3항에 있어서,상기 측면접지전극(70)의 중앙에 형성된 인젝션홀(71)에 분사노즐을 설치하여 화학약품 또는 순수 또는 수증기 중 어느한가지 또는 두가지 이상을 주입하는 것을 특징으로 하는 리모트 저온 플라즈마 반응기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.