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실리사이드 형성방법

  • 기술번호 : KST2015130283
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘산화막 일면에 형성된 금속층에 전자선을 조사하여 실리사이드가 형성되도록 한 실리사이드 형성방법에 관한 것이다. 본 발명에 의한 실리사이드 형성방법은, 자연산화막이 형성된 실리콘(120)을 준비하는 실리콘준비단계(S100)와, 상기 자연산화막 일측에 천이금속층(140)을 형성하는 금속층형성단계(S200)와, 상기 천이금속층에 전자선을 조사하여 실리사이드(100)를 형성하는 전자선조사단계(S300)로 이루어지며, 상기 전자선조사단계(S300)는, 상온 이하의 온도에서 실시됨을 특징으로 한다. 또한, 상기 전자선조사단계(S300)에서, 상기 전자선은 200keV 미만의 크기를 갖는다. 이와 같이 구성되는 본 발명에 의하면, 공정수가 줄어들어 생산성이 향상되며 저렴한 비용으로 원하는 부위에만 실리사이드의 형성이 가능한 이점이 있다. 실리사이드, 전자선, 조사, 패턴
Int. CL H01L 21/24 (2006.01)
CPC H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01) H01L 21/28518(2013.01)
출원번호/일자 1020080067442 (2008.07.11)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1005239-0000 (2010.12.24)
공개번호/일자 10-2010-0007032 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20101231) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.07.11)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정구 대한민국 경상남도 창원시 가음
2 최철진 대한민국 경상남도 창원시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기문 대한민국 서울시 강남구 역삼로 *** *층 (역삼동 현죽빌딩)(한미르특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0499855-57
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.07.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0296941-20
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0555356-37
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0555385-51
5 등록결정서
Decision to grant		 2010.12.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0585719-02
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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자연산화막이 형성된 실리콘을 준비하는 실리콘준비단계와, 상기 자연산화막 일측에 천이금속층을 형성하는 금속층형성단계와, 상온 이하의 온도에서 상기 천이금속층에 75keV 이상 200keV 미만의 크기를 갖는 전자선을 조사하여 실리콘(SiOX)에 포함된 산소를 천이금속과 환원시켜 실리사이드를 형성하는 전자선조사단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리사이드 형성방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 전자선조사단계는 40분 이상 실시됨을 특징으로 하는 실리사이드 형성 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 전자선조사단계에서, 상기 전자선의 조사 위치는 설정된 경로를 따라 변경 가능한 것을 특징으로 하는 실리사이드 형성방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 천이금속층은, 철(Fe), 니켈(Ni), 코발트(Co), 백금(Pt), 팔라듐(Pd), 텅스텐(W) 중 하나 이상을 포함하여 구성됨을 특징으로 하는 실리사이드 형성방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학부 한구기계연구원부설 재료연구소 21C 프론티어 기술 개발 사업 나노분말을 이용한 초소형 정밀부품 제조기술 개발