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기판의 표면을 초발수 처리하는 초발수 처리단계;상기 초발수 처리된 상기 기판의 표면에 친수성을 가지는 패턴을 형성하는 친수패터닝단계;상기 친수성을 가지는 패턴과 대응되는 위치에 전도성 용액을 위치시키는 배선단계; 상기 전도성 용액을 건조하여 전도성 배선을 형성하는 단계; 및상기 전도성 배선을 열처리하는 소성단계를 포함하고,상기 열처리 온도는 200 내지 300℃인 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 용액은 전도성 입자를 포함하며, 나노 와이어(Nano-Wire) 및 탄소나노튜브(CNT) 중 적어도 어느 하나를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 친수패터닝단계는 형성하고자 하는 회로 패턴을 포함하는 마스크를 위치시켜, 상기 초발수 처리된 상기 기판의 표면을 노광함으로써 회로 패턴과 동일한 부위가 친수 성능을 갖도록 하는 방법이거나, 레이저빔을 이용하여 상기 기판의 표면에 형성하고자 하는 회로 패턴을 직접 패터닝하는 방법이거나, 기계장치를 이용하여, 상기 기판의 표면에 형성하고자 하는 회로 패턴을 직접 패터닝하는 방법인 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 입자는 은 나노입자이고, 상기 나노 와이어는 은 나노 와이어이며, 상기 나노 와이어 및 상기 탄소나노튜브는 수백 나노미터 내지 수십 마이크로미터의 크기인 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 친수성을 가지는 패턴은 형성하고자 하는 배선 패턴과 대응되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 용액은 전도성 입자를 포함하며, 상기 전도성 입자의 분말 사이즈가 200nm인 경우, 상기 전도성 입자의 함량비는 전도성 용액 100wt% 대비 50wt% 이상, 80wt% 미만인 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 전도성 용액은 전도성 입자를 포함하며,상기 전도성 입자의 분말 사이즈가 50nm인 경우, 상기 전도성 입자의 함량비는 전도성 용액 100wt% 대비 25wt% 이상, 30wt% 미만인 것을 특징으로 하는 배선을 포함하는 기판의 제조방법
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