1 |
1
외주면에 유전체가 형성된 원통형의 기판히터를 구비하는 서셉터;캐필러리부들을 가지는 도전성 몸체를 포함하고, 상기 기판히터의 원주방향을 따라 상기 서셉터와 이격되어 배열되는, 적어도 하나 이상의 회전전극; 및유연기판을, 상기 회전전극과는 이격되고 상기 서셉터와는 접하도록, 롤투롤 방식으로 감을 수 있는, 한 쌍의 롤들;을 포함하고,상기 복수의 캐필러리부들은, 선형으로 배치되며, 상기 도전성 몸체의 길이축 방향으로 신장되고, 상기 회전전극에 가해지는 전기장을 상기 캐필러리부의 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 회전전극과 상기 유연기판 사이에서만 플라즈마 방전이 국부적으로 발생되고, 상기 플라즈마 방전의 온/오프 제어는 상기 적어도 하나 이상의 회전전극들에 독립적으로 인가되는 전원, 상기 회전전극의 회전수 및 상기 복수의 캐필러리부들의 수를 변화시켜 조절하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
3 |
3
제 1 항에 있어서,상기 회전전극은 상기 복수의 캐필러리부의 저면부를 노출하도록 상기 도전성 몸체의 외주면 상에 배치된 절연성 차폐층을 더 포함하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
4 |
4
제 3 항에 있어서,상기 절연성 차폐층은 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
5 |
5
제 1 항에 있어서,상기 캐필러리부의 저면부 상에 도전층을 더 포함하고,상기 도전층은 상기 저면부보다 이차전자 방출계수가 높은 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
6 |
6
제 1 항에 있어서, 상기 도전성 몸체는 도전성 금속, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
7 |
7
제 1 항에 있어서, 상기 서셉터 및 상기 회전전극이 내부에 안치되는 챔버를 더 포함하고, 상기 챔버는 반응기체의 공급구 및 반응기체의 배출구를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
|
8 |
8
외주면에 유전체가 형성된 원통형의 기판히터를 구비하는 서셉터, 및 캐필러리부들을 가지는 도전성 몸체를 포함하고 상기 기판히터의 원주방향을 따라 상기 서셉터와 이격되어 배열되는 적어도 하나 이상의 회전전극을 제공하는 단계; 한 쌍의 롤들을 이용하여 롤투롤 방식으로, 상기 서셉터 상에 상기 회전전극과는 이격되도록 유연기판을 제공하는 단계;상기 유연기판 상에 반응기체를 유입하는 단계; 및상기 회전전극의 캐필러리부와 상기 유연기판 사이에서만 플라즈마를 발생시켜 상기 반응기체의 화학적 반응을 유도하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 캐필러리부들은, 선형으로 배치되며, 상기 도전성 몸체의 길이축 방향으로 신장되고, 상기 회전전극에 가해지는 전기장을 상기 캐필러리부의 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키는, 캐필러리부가 구비된 회전전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 방법
|