맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

ＷＯ3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지

  • 기술번호 : KST2015130306
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 WO3 버퍼층을 포함하는 박막형 태양전지가 개시된다. 본 발명의 일 실시예에서는 기판; 상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극; 상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층; 상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극; 및 상기 p형 반도체층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되는 것으로, WO3를 포함하여 형성되는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/042 (2006.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01) H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020120000434 (2012.01.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1326539-0000 (2013.11.01)
공개번호/일자 10-2013-0079759 (2013.07.11) 문서열기
공고번호/일자 (20131108) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.03)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 류승윤 대한민국 경기 화성
2 김동호 대한민국 경남 창원시 마산회원구
3 남기석 대한민국 경남 창원시 의창구
4 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 권정대 대한민국 경남 창원시 성산구
6 이성훈 대한민국 경남 창원시 마산회원구
7 윤정흠 대한민국 경남 김해시 월산로 ***-**,
8 이건환 대한민국 경기도 평택시
9 김종국 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 남충우 대한민국 서울 강남구 언주로 ***, *층(역삼동, 광진빌딩)(알렉스국제특허법률사무소)
2 노철호 대한민국 경기도 성남시 분당구 판교역로 ***, 에스동 ***호(삼평동,에이치스퀘어)(특허법인도담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0005007-98
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0295077-22
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0560122-93
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.06.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0560107-18
5 등록결정서
Decision to grant		 2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0742825-31
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 배치되는 제1 전극;상기 제1 전극 상부에 배치되는 것으로, 적어도 하나의 p형 반도체층, 적어도 하나의 n형 반도체층 및 적어도 하나의 i형 반도체층이 접합되어 형성되는 광전변환층;상기 광전변환층 상부에 배치되는 제2 전극; 및상기 p형 반도체층 및 상기 제1 전극 사이에 배치되는 것으로, WO3를 포함하여 형성되는 버퍼층을 포함하고, 상기 버퍼층의 두께는 1 내지 6nm이고, 상기 광전변환층의 상기 p형 반도체층의 두께는 5 내지 15nm인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 기판은 FTO(Fluorine Tin Oxide)가 코팅된 유리 기판인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
3 3
제 1항에 있어서, 상기 기판은 ITO(Indium Tin Oxide)가 코팅된 기판 및 GZO(Gallium Zinc Oxide)가 코팅된 기판을 포함하는 이중 기판인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 기판은 AZO(Aluminum Zinc Oxide)가 코팅된 기판인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 광전변환층의 상기 p형 반도체층은 p형 실리콘박막 또는 실리콘카바이드(SiC)이고, 상기 n형 반도체층은 n형 실리콘박막인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 광전변환층의 상기 i형 반도체층은 비정질 실리콘박막, 미세결정질 실리콘박막 및 나노결정질 실리콘박막 중에서 선택된 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
7 7
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 비정질 WO3(Amophous WO3, a-WO3)를 포함하여 형성되는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
8 8
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.