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저온 플라즈마 반응기를 이용하여 유해 가스가 포함된 오염된 공기를 정화하는 유해 가스 처리 시스템의 제어방법에 있어서: 유해 가스를 포함하는 오염된 공기를 저온 플라즈마 반응기로 유입하고, 저온 플라즈마 반응기를 동작시켜 오염된 공기를 정화시키는 단계; 및 유해 가스를 포함하지 않은 비오염된 공기를 저온 플라즈마 반응기로 유입하고, 저온 플라즈마 반응기를 동작시켜 오염된 저온 플라즈마 반응기 자신을 재생하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항에 있어서, 유해가스 처리 시스템은 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기들로 구성되고, 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기들은 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 서로 교대로 진행하여 전체적으로 오염 공기 정화 처리는 연속 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항에 있어서, 유해가스 처리 시스템은 단일 저온 플라즈마 반응기로 구성되고, 단일 저온 플라즈마 반응기는 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 교대로 진행하여 전체적으로 오염 공기 정화 처리는 불연속 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항에 있어서, 재생 처리 단계를 진행하는 저온 플라즈마 반응기로 제공되는 비오염된 공기에 소정량의 과산화 수소를 포함시키는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항에 있어서, 저온 플라즈마 반응기의 내벽은 귀금속 촉매가 코딩된 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항에 있어서, 재생 처리 단계에서 저온 플라즈마 반응기로 제공되는 비오염된 공기량은 정화 처리 단계에서 저온 플라즈마 반응기로 제공되는 오염된 공기량에 비하여 대략 1/2 이하인 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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제1항 또는 제6항에 있어서, 재생 처리 단계에서 저온 플라즈마 반응기로 제공되는 플라즈마 방전을 위한 고주파 전력은 정화 처리 단계에서 제공되는 고주파 전력의 주파수보다 높은 주파수를 갖는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템의 제어방법
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저온 플라즈마 반응기를 이용하여 유해 가스가 포함된 오염된 공기를 정화하는 유해 가스 처리 시스템에 있어서: 적어도 한 대 이상의 저온 플라즈마 반응기; 오염된 공기를 정화하기 위한 공정을 수행하는 저온 플라즈마 반응기로 오염된 공기를 제공하고, 오염된 저온 플라즈마 반응기 자신을 재생하기 위한 공정을 수행하는 저온 플라즈마 반응기로는 비오염된 공기를 제공하는 복수개의 밸브들을 갖는 밸브 시스템; 및 적어도 한 대 이상의 저온 플라즈마 반응기로 각기 고주파 전력을 제공하는 적어도 한 대 이상의 고주파 발생기를 포함하는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템
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제8항에 있어서, 유해가스 처리 시스템은 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기들로 구성되고, 적어도 두 대의 저온 플라즈마 반응기들은 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 서로 교대로 진행하여 전체적으로 유해가스 처리 시스템의 오염 공기 정화 처리는 연속 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템
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제8항에 있어서, 유해가스 처리 시스템은 단일 저온 플라즈마 반응기로 구성되고, 단일 저온 플라즈마 반응기는 정화 처리 단계와 재생 처리 단계를 서로 교대로 진행하여 전체적으로 오염 공기 정화 처리는 불연속 공정으로 진행되는 것을 특징으로 하는 유해가스 처리 시스템
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플라즈마 반응기에 설치되고, 고주파 발생기로부터 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마 방전을 발생하는 다층 평판 전극에 있어서: 내측에 전극판 삽입 영역을 갖는 비도전성 평판과, 전극판 삽입 영역에 삽입되는 도전성 전극판을 갖는 다층으로 배열된 복수개의 평판 전극들; 및 다층의 평판 전극들 사이에 통공이 형성되도록 각 세라믹 평판 전극들 사이에 위치하는 복수개의 스페이서들을 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극
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제11항에 있어서, 상기 비도전성 평판과 상기 스페이서는 세라믹으로 구성되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극
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제11항에 있어서, 상기 복수개의 평판 전극은 대략 사각 평판의 형상을 갖고 그 일 측에 전극판 삽입구가 마련되며, 복수개의 평판 전극은 전극판 삽입구가 이웃하는 평판 전극의 전극판 삽입구와 서로 반대 방향으로 엇갈리게 배열되는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극
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저온 플라즈마 반응기에 설치되고, 고주파 발생기로부터 고주파 전력을 제공받아 저온 플라즈마 방전을 발생하는 다층 평판 전극의 제조 방법에 있어서: 제1 세라믹 평판의 일 측 표면에 전극판 삽입 영역을 형성하는 단계; 전극판 삽입 영역이 내측으로 오도록 제1 세라믹 평판과 제2 세라믹 평판을 하나의 평판 전극으로 접합하기 위해 제1 고온 열처리를 수행하는 단계; 전극판 삽입 영역에 전극판을 삽입하는 단계; 복수개의 평판 전극을 다층으로 배열하고, 그 사이에 통공이 형성되도록 각기 세라믹 스페이서를 두고 복수개의 평판 전극과 세라믹 스페이서를 접합하기 위해 제2 고온 열처리를 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 저온 플라즈마 반응기를 위한 다층 평판 전극의 제조 방법
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제14항에 있어서, 제1 및 제2 고온 열처리는 대략 1450℃내지 1800℃의 고온으로 대략 0
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