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기판;상기 기판상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층;상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층;상기 전자수송층상에 적층되되, 디메틸설폭사이드로 처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS) 또는 폴리아닐린(polyaniline) 으로 구성되고, 일면 또는 양면의 표면에 귀금속나노입자 분산층을 포함하는 정공수송층;상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 귀금속나노입자 분산층은 금(Au) 나노입자 분산층인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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7
제1항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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기판상에 투명전극층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 투명전극층 상부에 무기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 2);상기 무기계 광활성층 상부에 산화인듐주석 전자수송층을 적층하는 단계(단계 3);상기 전자수송층 상부에 디메틸설폭사이드로 처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS) 또는 폴리아닐린(polyaniline) 으로 구성되고, 일면 또는 양면의 표면에 귀금속나노입자 분산층을 포함하는 정공수송층을 적층하는 단계(단계 4);상기 정공수송층 상부에 유기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 5); 및상기 유기계 광활성층 상부에 후면전극층을 적층하는 단계(단계 6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 귀금속나노입자 분산층을 정공수송층에 포함시키기 위하여 이소프로필알코올이 첨가되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 귀금속나노입자 분산층의 귀금속나노입자는 크기가 10 - 50 ㎚인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
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기판상에 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)인 투명전극층;p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순차적으로 적층된 무기계 광활성층;산화인듐주석 전자수송층;금 나노입자 분산층;디메틸설폭사이드로 처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS)인 정공수송층;PBDTTT-C:PCBM인 유기계 광활성층; 알루미늄인 후면전극층이 순서대로 적층된 구조를 갖는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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기판상에 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)인 투명전극층;p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순차적으로 적층된 무기계 광활성층;산화인듐주석 전자수송층;디메틸설폭사이드로 처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS)인 정공수송층;금 나노입자 분산층;PBDTTT-C:PCBM인 유기계 광활성층; 알루미늄인 후면전극층이 순서대로 적층된 구조를 갖는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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기판상에 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO)인 투명전극층;p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순차적으로 적층된 무기계 광활성층;산화인듐주석 전자수송층;금 나노입자 분산층;디메틸설폭사이드로 처리된 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌설포네이트)(PEDOT:PSS)인 정공수송층;금 나노입자 분산층;PBDTTT-C:PCBM인 유기계 광활성층; 알루미늄인 후면전극층이 순서대로 적층된 구조를 갖는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
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