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나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조방법 및 센서의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130375
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 비진공 저온 상태에서 나노구조를 제조할 수 있는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법 및 이를 이용한 트랜지스터의 제조방법 및 센서의 제조방법에 관한 것으로, 기판을 준비하는 준비단계; 상기 기판상에 용액 상태의 박막을 형성하는 박막 형성단계; 패턴이 형성된 스탬프를 상기 박막에 임프린팅하여 상기 스탬프의 패턴에 대응되는 형상을 가지는 나노구조를 형성하는 임프린팅단계; 상기 나노구조의 결정성장을 향상시키도록 상기 임프린팅단계를 통해 형성된 상기 나노구조에 잔류하는 잔류물을 제거하는 잔류물 제거단계; 상기 잔류물 제거단계를 통해 잔류물이 제거된 상기 나노구조를 수열공정을 통해 성장시키는 성장단계;를 포함하며, 상기 임프린팅단계는 패턴이 형성된 스탬프를 상기 용액상태의 박막에 접촉시키되 모세관현상을 통해 상기 스탬프의 패턴 내부로 상기 용액상태의 박막을 충진시키는 스탬프 접촉단계; 상기 스탬프의 상측으로 자외선을 조사하여 상기 용액상태의 박막을 경화시키는 경화단계; 상기 경화단계를 통해 경화된 박막으로부터 상기 스탬프를 제거하는 스탬프 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/336 (2006.01)
CPC H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01) H01L 29/0665(2013.01)
출원번호/일자 1020130029674 (2013.03.20)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1510217-0000 (2015.04.02)
공개번호/일자 10-2014-0115070 (2014.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20150408) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정유진 대한민국 대전 유성구
2 이지혜 대한민국 대전 유성구
3 정준호 대한민국 대전 서구
4 최대근 대한민국 대전 유성구
5 최준혁 대한민국 대전 유성구
6 정주연 대한민국 대전 유성구
7 이응숙 대한민국 경남 창원시 마산회원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 나승택 대한민국 서울특별시 서초구 양재천로**길 **, *층 (양재동, 대화빌딩)(무일국제특허법률사무소)
2 조영현 대한민국 서울특별시 강남구 논현로 ***(도곡동, 은하수빌딩) *층(특허사무소시선)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0239966-58
2 보정요구서
Request for Amendment		 2013.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0032900-06
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0269299-50
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.11.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0105573-18
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0066814-06
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0296186-67
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0296164-63
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2014.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0483266-00
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0694630-63
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0694641-65
12 등록결정서
Decision to grant		 2015.01.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0055739-56
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
비진공 저온 상태에서 나노구조를 제조하는 나노구조 제조방법에 있어서, 기판을 준비하는 준비단계; 상기 기판상에 용액 상태의 박막을 형성하는 박막 형성단계; 패턴이 형성된 스탬프를 상기 박막에 임프린팅하여 상기 스탬프의 패턴에 대응되는 형상을 가지는 나노구조를 형성하는 임프린팅단계; 상기 나노구조의 결정성장을 향상시키도록 상기 임프린팅단계를 통해 형성된 상기 나노구조에 잔류하는 잔류물을 제거하는 잔류물 제거단계; 상기 잔류물 제거단계를 통해 잔류물이 제거된 상기 나노구조를 수열공정을 통해 성장시키는 성장단계;를 포함하며, 상기 임프린팅단계는 패턴이 형성된 스탬프를 상기 용액상태의 박막에 접촉시키되 모세관현상을 통해 상기 스탬프의 패턴 내부로 상기 용액상태의 박막을 충진시키는 스탬프 접촉단계; 상기 스탬프의 상측으로 자외선을 조사하여 상기 용액상태의 박막을 경화시키는 경화단계; 상기 경화단계를 통해 경화된 박막으로부터 상기 스탬프를 제거하는 스탬프 제거단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 잔류물 제거단계는 습식 에칭 또는 건식 에칭으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법
3 3
제 2항에 있어서,상기 임프린팅 단계와 상기 잔류물 제거단계 사이에 상기 박막을 어닐링(Annealing)하여 결정화하는 어닐링 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 기판 준비 단계에서 상기 기판은 나노 구조를 형성하기 위한 보조기판으로 마련되며,상기 보조기판으로부터 성장된 나노 구조를 상기 나노 구조를 이용하는 주기판으로 이송하는 기판교체 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 박막 형성단계에서 상기 박막은 아연(Zn), 마그네슘(Mg), 니켈(Ni), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 규소(Si) 중 어느 하나이거나 또는 아연, 마그네슘, 니켈, 티타늄, 지르코늄, 규소 중 적어도 어느 하나를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 나노임프린트을 이용한 나노구조 제조방법
6 6
기판을 준비하는 기판 준비단계; 상기 기판 상부에 게이트 전극을 적층하는 게이트 전극 적층단계; 상기 게이트 전극 상부 및 상기 기판 상부에 절연층을 적층하는 절연층 적층단계; 상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 나노구조 제조방법을 이용하여 상기 절연층 상부에 나노구조를 형성하는 나노구조 형성단계; 상기 나노구조 상부에 소스전극을 마련하는 소스전극 마련단계; 상기 나노구조 상부에 마련되되 상기 나노구조의 길이방향을 따라 상기 소스전극과 이격되는 드레인 전극을 마련하는 드레인 전극 마련단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법을 이용하는 트랜지스터 제조방법
7 7
기판을 준비하는 기판 준비단계; 상기 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 나노구조 제조방법을 이용하여 상기 기판 상부에 나노구조를 형성하는 나노구조 형성단계; 상기 나노구조 상부에 소스전극을 마련하는 소스전극 마련단계; 상기 나노구조 상부에 마련되되 상기 나노구조의 길이방향을 따라 상기 소스전극과 이격되는 드레인 전극을 마련하는 드레인 전극 마련단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노임프린트를 이용한 고결정성 나노구조 제조방법을 이용하는 센서 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국기계연구원 산업기술연구회 주요사업-일반 3차원 나노구조체 제조기술 고도화 사업 (3/5)
2 한국기계연구원 한국연구재단 교과부-국가연구개발사업(II) 다층 대면적 멀티스케일 플라즈모닉스 나노구조 공정기술개발 (2/2)
3 한국기계연구원 한국연구재단 교과부-국가연구개발사업(II) 필러층을 이용한 1차원 나노구조체의 병렬 접합기술 개발(1/6) (4/6)