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소량의 규소(Si)가 함유된 강판을 황산철도금액에서 도금하는 도금과정과, 상기 도금과정을 거친 철박판을 후처리하는 후처리과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 강판은 규소(Si)를 3wt% 이하로 함유하는 것을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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티타늄(Ti) 또는 스테인레스강(SUS)으로 구성된 소지금속을 철도금액에 도금하는 제 1 도금과정과, 상기 제 1 도금과정에서 형성된 순철박판을 황산철도금액에서 도금하는 제 2 도금과정과, 상기 제 2 도금과정을 거친 철박판을 후처리하는 후처리과정을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 3 항에 있어서, 상기 제 1 도금과정에서의 철도금액은 염화철도금액임을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 황산철도금액은 규소(Si) 입자 5g/l ~ 300g/l 와 FeSO4·7H2O 20g/l ~ 600g/l 를 포함하는 것을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 1 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 후처리과정은 냉간압연, 확산열처리, 응력제거 열처리 중 적어도 어느 하나 이상임을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 냉간압연은 350℃ 이하에서 행함을 특징으로 하는 전주도금법에 의한 전자기기용 고규소강판 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 확산열처리는 1000℃ ~ 1250℃ 의 환원성분위기에서 0
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8
제 6 항에 있어서, 상기 확산열처리는 1000℃ ~ 1250℃ 의 환원성분위기에서 0
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