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고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고순도 티타늄 합금 분말

  • 기술번호 : KST2015130462
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고순도 티타늄 합금 분말에 관한 것으로서, 상세하게는 액상 마그네슘 위로 티타늄 합금금속 가공 칩을 위치시켜 칩의 표면을 환원시키는 단계(단계 1); 상기 단계 1에서 환원된 칩을 산성 수용액으로 세척하는 단계(단계 2); 상기 단계 2에서 세척된 칩을 수소화 반응 시키는 단계(단계 3); 단계 3에서 수소화 반응된 칩을 분쇄하는 단계(단계 4); 및 단계 4에서 분쇄된 분말을 탈수소화 시키는 단계(단계 5)를 포함하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법 및 이에 의하여 제조되는 고순도 티타늄 합금 분말을 제공한다. 본 발명의 고순도 티타늄 합금 분말은 티타늄 합금을 수소화처리를 통하여 분말로 제조하고 이를 탈수소화하여 고순도 티타늄 합금 분말을 제조할 수 있는 효과가 있으며, 이에 따라 제조된 티타늄 합금 분말은 항공기, 화학플랜트, 선박 및 레저용 부품소재로 응용될 수 있는 장점이 있다.
Int. CL B22F 9/04 (2006.01) B22F 9/20 (2006.01)
CPC B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01) B22F 9/20(2013.01)
출원번호/일자 1020100097701 (2010.10.07)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1014350-0000 (2011.02.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20110215) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.10.07)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동원 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.10.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0647863-54
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.10.12 수리 (Accepted) 1-1-2010-0659151-91
3 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2010.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2010.10.22 수리 (Accepted) 9-1-2010-0066485-35
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2010.10.23 수리 (Accepted) 9-1-2010-0066626-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.12.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0552681-93
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2011-0065333-17
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0065334-63
9 등록결정서
Decision to grant
2011.02.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0060750-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
액상 마그네슘이 담지된 용기 상부에 티타늄 합금 덩어리를 얇게 가공한 가공 칩을 위치시켜 상기 가공 칩의 표면에 존재하는 산화물을 열처리하여 환원시키는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 환원된 가공 칩에 존재하는 마그네슘 산화물 또는 마그네슘 금속을 산성 수용액으로 세척하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 세척된 가공 칩을 수소분위기에서 열처리하여 수소화반응 시키는 단계(단계 3); 상기 단계 3에서 수소화 반응된 가공 칩을 분쇄하는 단계(단계 4); 및상기 단계 4에서 분쇄된 가공 칩을 열처리하여 탈수소화시키는 단계(단계 5)를 포함하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 가공 칩은 순수 티타늄 또는 티타늄 합금 용기에 담겨서 표면이 환원되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 단계 1의 액상 마그네슘은 순수 티타늄 또는 티타늄 합금 용기에 담겨있는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 환원은 800 내지 1000 ℃의 온도에서 아르곤 분위기로 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
5 5
삭제
6 6
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 수소화 반응은 600 내지 800 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 단계 3의 수소화 반응은 1
8 8
제1항에 있어서, 상기 단계 4의 분쇄는 볼밀링을 통하여 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 볼밀링은 2 내지 5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
10 10
제1항에 있어서, 상기 단계 5의 탈수소화는 500 내지 800 ℃의 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
11 11
제1항에 있어서, 상기 단계 5의 탈수소화는 10-5 Torr의 진공분위기에서 1 내지 5시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 고순도 티타늄 합금 분말의 제조방법
12 12
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13 13
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14 14
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.