| 1 |
1
다중 스퍼터링장치 내부에 Ti타겟과 Ni타겟을 이격시켜 배치하고, 서로 상이한 전압을 인가하여 동시에 스퍼터링함으로써 기재에 Ti과 Ni이 혼합된 상태로 증착됨을 특징으로 하는 타이타늄-니켈 합금박막
|
| 2 |
2
제 1 항에 있어서, 상기 기재는 Si wafer 또는 단결정 NaCl 중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 타이타늄-니켈 합금박막
|
| 3 |
3
제 2 항에 있어서, 상기 Ti타겟은 Ni타겟 보다 3
|
| 4 |
4
Ti타겟과 Ni타겟 및 기재를 준비하는 타겟준비단계와,Ti타겟과 Ni타겟을 다중 스퍼터링장치 내부에 이격시켜 배치하는 타겟설치단계와,상기 다중 스퍼터링장치의 작업 조건을 세팅하는 장치세팅단계와,상기 다중 스퍼터링장치를 동작하여 기재에 Ti과 Ni이 혼합된 상태의 Ti-Ni 합금박막을 형성하는 박막증착단계로 이루어지는 것을 특징으로 하는 다중 스퍼터링법을 이용한 타이타늄-니켈 합금박막의 제조 방법
|
| 5 |
5
제 4 항에 있어서, 상기 타겟준비단계에서,상기 기재는 Si wafer 또는 단결정 NaCl 중 어느 하나로 형성됨을 특징으로 하는 다중 스퍼터링법을 이용한 타이타늄-니켈 합금박막의 제조 방법
|
| 6 |
6
제 5 항에 있어서, 상기 박막증착단계 이후에는,상기 기재가 단결정 NaCl로 형성된 경우 기재를 제거하는 박막분리단계가 실시됨을 특징으로 하는 다중 스퍼터링법을 이용한 타이타늄-니켈 합금박막의 제조 방법
|
| 7 |
7
제 6 항에 있어서, 상기 장치세팅단계에서,상기 Ti타겟은 Ni타겟 보다 3
|
| 8 |
8
제 7 항에 있어서, 상기 박막증착단계에서,상기 Ti 타겟에는 5000W의 전압이 인가되고 Ni 타겟에는 1500 내지 1550W의 전압이 인가됨을 특징으로 하는 다중 스퍼터링법을 이용한 타이타늄-니켈 합금박막의 제조 방법
|
| 9 |
9
제 8 항에 있어서, 상기 박막증착단계에서 Ti은,상기 Ti-Ni 합금박막의 전체에 대하여 48
|
