요약 | 본 발명은 전극성분(Ti oxide 또는 Zn oxide)이 포함하는 용액에 양자점을 분산시켜 양자점과 흡수층이 동시에 인쇄될 수 있도록 하는 한편 상기 양자점잉크를 이용하는 태양전지를 인쇄전자 기법에 의해 제조될 수 있도록 하는 양자점 잉크 제조 방법 및 이를 구비하는 태양전지와 상기 태양전지의 제조 방법에 대한 것이다. |
---|---|
Int. CL | C09D 11/037 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01) |
CPC | C09D 11/037(2013.01) C09D 11/037(2013.01) C09D 11/037(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020110102332 (2011.10.07) |
출원인 | 한국기계연구원 |
등록번호/일자 | 10-1165601-0000 (2012.07.09) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20120806) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 소멸 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.10.07) |
심사청구항수 | 14 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 김인영 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
2 | 이택민 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
3 | 이승현 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
4 | 장윤석 | 대한민국 | 대전광역시 동구 |
5 | 조정대 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 김동수 | 대한민국 | 대전광역시 서구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 특허법인다나 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 | 서울특별시 강남구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2011.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0783477-24 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.10.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0791794-25 |
3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2011.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2011.11.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0093247-43 |
5 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2011.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0736015-11 |
6 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.02.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0113937-89 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0113936-33 |
8 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0166580-50 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.05.22 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0408773-28 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2012.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0372942-17 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
번호 | 청구항 |
---|---|
1 |
1 전극성분을 포함하는 용액(ES)에 양자점(QD)을 분산시켜 양자점과 흡수층이 동시에 인쇄될 수 있도록 제조되되,상기 용액(ES)은 metal oxide precursor를 ethyl alcohol과 hydrochloric acid의 수용액에 용해시켜 용액화하거나, ethanolamine과 2-methoxyethanol 혼합액에 용해시켜 제조하거나, ethylene glycol과 citric acid 수용액에 용해하는 sol-gel 공정 또는 Polyol 공정에 의해 용액화하거나 Chemical Solution Deposition(CBD) 방식에 의해 용액화되는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크 제조 방법 |
2 |
2 제1항에 있어서,상기 전극 성분은 TiO2, ZnO 또는 SiO2을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크 제조 방법 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 전극 성분은 삼원계 물질로 simple perovskite 구조를 가지는 Al doped ZnO (AZO), PbTiO3(PT), BaTiO3(BT), SrTiO3 (ST), 또는 complex perovskite 구조를 가지는 (Ba,Sr)TiO3 (BST), Pb(Zr,Ti)O3 (PZT), Sr(Zr,Ti)O3 (SZT), Ba(Zr,Ti)O3 (BZT), Pb(Sc,Ta)O3 (PST), Pb(Mg1/3Nb2/3)O3 (PMN), 또는 Layered perovskite 구조를 가지는 SrBi2Ta2O9 (SBT), SrBi2Nb2O9 (SBN), (Bi1-xLax)4Ti3O12 (BLT) 중 적어도 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크 제조 방법 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 전극 성분은 사원계 물질로 (La,Sr)CoO3 (LSCO), (La,Sr)MnO3 (LSMO), YBa2Cu3O7-d (YBCO), 또는 Y doped BaZrO3 (YBZO)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크 제조 방법 |
5 |
5 삭제 |
6 |
6 제1항에 있어서,상기 양자점(QD)은 II-VI족의 CdSe, CdTe, ZnS, ZnSe, ZnTe을 포함하는 이원소 화합물; 또는 CdSeS, CdSeTe, CdSTe, ZnSeS, ZnSeTe, ZnSTe, CdZnS, CdZnSe, CdZnTe을 포함하는 삼원소 화합물; 또는 CdZnSeS, CdZnSeTe, CdZnSTe, CdHgSeS, CdHgSeTe, CdHgSTe, HgZnSeS, HgZnSeTe, HgZnSTe을 포함하는 사원소 화합물; 또는 III-V족의 GaN, GaP, GaAs, aSb, InP, InAs, InSb을 포함하는 이원소 화합물; 또는 GaNP, GaNAs, GaNSb, GaPAs, GaPSb, InNP, InNAs, InNSb, InPAs, InPSb, GaAlNP을 포함하는 삼원소 화합물; 또는 GaAlNAs, GaAlNSb, GaAlPAs, GaAlPSb, GaInNP, GaInNAs, GaInNSb, GaInPAs, GaInPSb, InAlNP, InAlNAs, InAlNSb, InAlPAs, InAlPSb 을 포함하는 사원소 화합물; 또는 IV-VI족의 PbS, PbSe, PbTe을 포함하는 이원소 화합물; 또는 PbSeS, PbSeTe, PbSTe, SnPbS, SnPbSe, SnPbTe을 포함하는 삼원소 화합물; 또는 SnPbSSe, SnPbSeTe, SnPbSTe을 포함하는 사원소 화합물; 또는 IV족의 Si, Ge을 포함하는 단일 원소 화합물; 또는 SiC, SiGe을 포함하는 이원소 화합물; 또는 상기 화합물 중 2종의 화합물이 접합된 형태인 2종 접합 화합물인 것을 특징으로 하는 양자점 잉크 제조 방법 |
7 |
7 제1항 내지 제4항 및 제6항 중 어느 한 항에 기재된 양자점 잉크(Q)를 포함하는 태양전지(100)로서, 상기 태양전지(100)는 기판(110)과 상기 기판(110)상에 상기 양자점 잉크(Q)가 도포되어 형성된 양자점 레이어(QL)와, 상기 양자점 레이어(QL)일측에 설치되는 인출 전극(WE)을 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 구비하는 태양전지 |
8 |
8 제7항에 있어서,상기 양자점 레이어(QL) 상면 또는 저면에 배치되는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 구비하는 태양전지 |
9 |
9 제7항에 있어서,상기 양자점 레이어(QL) 상면 또는 저면에 배치되는 반사 방지 레이어(RL)를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 구비하는 태양전지 |
10 |
10 제7항에 있어서,상기 양자점 레이어(QL)는 크기가 각각 상이한 양자점 잉크(Q)에 의해 형성된 복수개의 층(180)을 포함하는 것을 특징을 하는 양자점 잉크를 구비하는 태양전지 |
11 |
11 제7항에 기재된 태양전지(100)의 양자점 레이어(QL)를 전자인쇄방법에 의해 인쇄하여 태양전지를 제작하는 방법(S200)으로서,상기 방법(S200)은 평제판(M)에 상기 양자점 잉크(Q)를 도포하는 단계(S210)와,상기 평제판(M)상에 롤러(R)를 접촉시켜 상기 평제판(M)의 패턴 요홈부(P)에 도포된 양자점 잉크(Q)를 상기 롤러(R)로 전사시키는 단계(S220)와,상기 롤러(R)를 기판(S)에 접촉시켜 상기 롤러(R)에 전사된 양자점 잉크(Q)를 상기 기판(S)에 전사시키는 단계(S230)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 이용한 전자인쇄 방식의 태양전지 제조 방법 |
12 |
12 제11항에 있어서,상기 단계(S210)는 상기 양자점 잉크(Q)를 평제판(M)상에 투입하는 단계(S211)와,상기 평제판(M)상에 닥터 블레이드(DB)를 이용하여 상기 평제판(M)의 패턴 요홈부(P)에 상기 양자점 잉크(Q)가 충진되도록 하는 단계(S212)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 이용한 전자인쇄 방식의 태양전지 제조 방법 |
13 |
13 제7항에 기재된 태양전지(100)의 양자점 레이어(QL)를 전자인쇄방법에 의해 인쇄하여 태양전지를 제작하는 방법(S300)으로서,상기 방법(S300)은 패턴 롤러(R1)에 양자점 잉크(Q)를 투입하는 단계(S310)와,상기 패턴 롤러(R1)에 도포된 양자점 잉크(Q)를 블랑켓 롤러(R2)로 전사시키는 단계(S320)와,상기 블랑켓 롤러(R2)와 임프레션 롤러(R3)사이를 통과하는 기판(S)에 상기 양자점 잉크(Q)가 전사되는 단계(S330)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 이용한 전자인쇄 방식의 태양전지 제조 방법 |
14 |
14 제7항에 기재된 태양전지(100)의 양자점 레이어(QL)를 전자인쇄방법에 의해 인쇄하여 태양전지를 제작하는 방법(S400)으로서,상기 방법(S400)은 패턴 롤러(R1)에 양자점 잉크(Q)를 투입하는 단계(S410)와,상기 패턴 롤러(R1)와 임프레션 롤러(R3)사이를 통과하는 기판(S)에 상기 양자점 잉크(Q)가 전사되는 단계(S420)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 이용한 전자인쇄 방식의 태양전지 제조 방법 |
15 |
15 제7항에 기재된 태양전지(100)의 양자점 레이어(QL)를 전자인쇄방법에 의해 인쇄하여 태양전지를 제작하는 방법(S500)으로서,상기 방법(S500)은 베이스(B)에 양자점 잉크(Q)를 도포하는 단계(S510)와,상기 베이스(B)에 롤러(R)를 접촉하여 상기 양자점 잉크(Q)가 롤러(R)측으로 전사되도록 하는 단계(S520)와,상기 롤러(R)를 클리쉐(CL)에 접촉시켜 상기 양자점 잉크(Q) 중 불필요한 부분을 제거하는 단계(S530)와,상기 양자점 잉크(Q) 중 불필요한 부분이 제거된 롤러(R)를 기판(S)에 접촉시켜 상기 롤러(R)에 잔존하는 양자점 잉크(Q)를 상기 기판(S)에 전사시키는 단계(S540)를 포함하는 것을 특징으로 하는 양자점 잉크를 이용한 전자인쇄 방식의 태양전지 제조 방법 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
---|---|---|---|---|
1 | 지식경제부 | 한국기계연구원 | 주요사업-기관고유 | 마이크로 연속생산장비 핵심요소기술 개발 (3/3) |
2 | 산업기술연구회 | 한국화학연구원 | 산업기술연구회-협동연구사업 | 용액기반형 초저가 나노박막 태양전지 연속 프린팅 생산시스템 개발 (3/5) |
공개전문 정보가 없습니다 |
---|
특허 등록번호 | 10-1165601-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20111007 출원 번호 : 1020110102332 공고 연월일 : 20120806 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120627 청구범위의 항수 : 14 유별 : C09D 11/00 발명의 명칭 : 양자점 잉크 제조 방법 및 이를 구비하는 태양전지와 상기 태양전지의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 : 20150710 |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(의무자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(권리자) 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 295,500 원 | 2012년 07월 10일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2011.10.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0783477-24 |
2 | [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.10.11 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0791794-25 |
3 | 선행기술조사의뢰서 | 2011.11.10 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
4 | 선행기술조사보고서 | 2011.11.25 | 수리 (Accepted) | 9-1-2011-0093247-43 |
5 | 의견제출통지서 | 2011.12.13 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0736015-11 |
6 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.02.13 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0113937-89 |
7 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.02.13 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0113936-33 |
8 | 최후의견제출통지서 | 2012.03.22 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0166580-50 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.05.22 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2012-0408773-28 |
10 | 등록결정서 | 2012.06.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0372942-17 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
기술정보가 없습니다 |
---|
과제고유번호 | 1415111795 |
---|---|
세부과제번호 | NK155D |
연구과제명 | 마이크로 연속생산장비 핵심요소기술 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200901~201112 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415095168 |
---|---|
세부과제번호 | 산업-일반-협동8 |
연구과제명 | 용액공정/인쇄기법을 이용한 초저가 나노 박막태양전지 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 지식경제부 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2008 |
연구기간 | 200812~201402 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415110859 |
---|---|
세부과제번호 | 산업-일반-협동8 |
연구과제명 | 용액공정인쇄기법을 이용한 초저가 나노 박막태양전지 기술개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국화학연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200812~201402 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 응용연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1415111795 |
---|---|
세부과제번호 | NK155D |
연구과제명 | 마이크로 연속생산장비 핵심요소기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2010 |
연구기간 | 200901~201112 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415118435 |
---|---|
세부과제번호 | NK162D |
연구과제명 | 마이크로 연속생산장비 핵심요소기술 개발 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 한국기계연구원 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 200901~201112 |
기여율 | 0.25 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
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