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(a) 반도체성 물질 및 금속성 물질이나 불순물이 혼합되어 있는 혼합물을 절연성 기판 위에 형성시키는 단계, (b) 상기 형성된 혼합물에 마이크로파를 조사하여 상기 금속성 물질이나 불순물을 적어도 부분적으로 파괴하여 반도체성 층을 형성하는 단계, (c) 드레인 전극 및 소스 전극을 형성시키는 단계를 포함하고,상기 금속성 물질 또는 불순물은 마이크로파의 스킨 두께(skin depth)보다 작은 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반도체 소자 제조방법은 (d'') 상기 반도체성 층 위에 절연층을 형성시킨 후 그 위에 게이트 전극을 형성시키거나 또는 (d'''') 상기 반도체성 층 측면에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 금속성 또는 불순물로만 이루어지는 전류 루트를 단절하기에 충분한 양의 마이크로파를 조사함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제3항에 있어서, 상기 반도체성 물질은 반도체성 탄소나노튜브, 반도체성 그래핀, 반도체성 양자점, 금속 산화물 반도체, 유기 반도체 물질 및 이들의 혼합물 중에서 선택되고; 상기 금속성 물질은 금속성 탄소나노튜브, 금속성 그래핀, 금속성 양자점, 금속 및 이들의 혼합물 중에서 선택되며; 상기 절연성 기판은 반도체 산화물, 금속 산화물, 세라믹, 플라스틱 중에서 선택된 고단열성 물질인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 혼합물은 반도체성 탄소나노튜브 및 금속성 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브의 혼합물이거나 또는 반도체성 그래핀 및 금속성 그래핀의 그래핀 혼합물인 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 혼합물은 반도체성 탄소나노튜브 및 금속성 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브의 혼합물이고, 상기 탄소나노튜브는 개별화된 단일벽 탄소나노튜브이며, 상기 형성된 탄소나노튜브는 네트워크 형태로 연결되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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(a) 반도체성 물질 및 금속성 물질이나 불순물이 혼합되어 있는 혼합물을 절연성 기판 위에 형성시키는 단계, (b) 상기 형성된 혼합물에 마이크로파를 조사하여 상기 금속성 물질이나 불순물을 적어도 부분적으로 파괴하여 반도체성 층을 형성하는 단계, (c) 드레인 전극 및 소스 전극을 형성시키는 단계를 포함하는 반도체 소자 제조방법으로서,상기 (b) 단계는 상기 금속성 또는 불순물로만 이루어지는 전류 루트를 단절하기에 충분한 양의 마이크로파를 조사함으로써 수행되고,상기 혼합물은 반도체성 탄소나노튜브 및 금속성 탄소나노튜브를 포함하는 탄소나노튜브의 혼합물이고, 상기 혼합물을 절연성 기판 위에 형성시키는 단계는 탄소나노튜브가 10층 이하로 형성될 수 있도록 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 (a) 단계는 상기 탄소나노튜브가 상기 소스 전극과 상기 드레인 전극 사이에 병렬로 연결된 구조를 형성할 수 있도록 상기 탄소나노튜브의 방향을 일렬로 성장시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 혼합물은 반도체성 그래핀 및 금속성 그래핀의 그래핀 혼합물이고; 상기 (a) 단계는 상기 그래핀의 리본의 폭을 100 nm 이하로 절연성 기판 위에 패터닝함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 반도체 소자 제조방법은 (d'') 상기 반도체성 층 위에 절연층을 형성시킨 후 그 위에 게이트 전극을 형성시키거나 또는 (d'''') 상기 반도체성 층 측면에 게이트 전극을 형성시키는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자 제조방법
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