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기판,상기 기판 위에 위치하며 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층,상기 제1 소굴절층 위에 위치하며 상기 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질을 포함하는 혼합 굴절층,상기 혼합 굴절층 위에 위치하며 상기 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층,상기 제2 소굴절층 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있는 발광층,상기 발광층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 제1 소굴절층, 혼합 굴절층 및 제2 소굴절층 순으로 굴절율이 증가하거나 감소하는 표시 장치
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제1항에서,상기 제1 굴절율 물질 및 상기 제2 굴절율 물질의 입자 크기는 50nm 이하인 표시 장치
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삭제
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제1항에서,상기 혼합 굴절층은 상기 제1 굴절율 물질과 상기 제2 굴절율 물질의 혼합비에 따라서 굴절율이 달라지는 표시 장치
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제4항에서,상기 혼합 굴절층에 포함된 상기 제2 굴절율 물질은 상기 제1 소굴절층에 포함된 제1 굴절율 물질의 5% 내지 95% 의 비율로 혼합되어 있는 표시 장치
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6
제4항에서,상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1
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제6항에서,상기 제1 굴절율 물질은 SiO2이고,상기 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 표시 장치
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8
제4항에서,상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1
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제8항에서,상기 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제2 굴절율 물질은 SiO2인 표시 장치
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제1항에서,상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 상기 제2 소굴절층은 각각 20nm이상의 두께인 표시 장치
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제10항에서,상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 제2 소굴절층의 두께 합은 1㎛이하인 표시 장치
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12
삭제
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기판 위에 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층을 형성하는 단계,상기 제1 소굴절층 위에 상기 제1 굴절율 물질과 제2 굴절율 물질을 포함하는 혼합 굴절층을 형성하는 단계,상기 혼합 굴절층 위에 상기 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층을 형성하는 단계,상기 제2 소굴절층 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계,상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 혼합 굴절층을 형성하는 단계는 상기 제1 소굴절층의 상기 제1굴절율 물질에 대한 상기 제2 굴절율 물질의 비율을 증가시키면서 반복하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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기판 위에 제1 굴절율 물질을 포함하는 제1 소굴절층을 형성하고, 상기 제1 소굴절층이 경화되기 전에 상기 제1 소굴절층 위에 제2 굴절율 물질을 포함하는 제2 소굴절층을 도포하여 굴절층을 형성하는 단계,상기 굴절층 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 발광층을 형성하는 단계,상기 발광층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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삭제
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제13항 또는 제14항에서,상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1
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제16항에서,상기 제1 굴절율 물질은 SiO2이고,상기 제2 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제13항 또는 제14항에서,상기 제1 굴절율 물질의 굴절율은 1
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제18항에서,상기 제1 굴절율 물질은 ZrO2, TiO2, HfO2, ZnO, Y2O3 및 SrO 중 적어도 하나를 포함하고,상기 제2 굴절율 물질은 SiO2인 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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제13항 또는 제14항에서,상기 제1 소굴절층, 상기 혼합 굴절층 및 상기 제2 소굴절층은 스핀 코팅, 스프레이 코팅, 딥코팅, 슬릿 코팅 및 바코팅 중 어느 하나로 도포하여 형성하는 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
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