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실란 생성 장치, 실란 생성 방법 및 이를 이용한 규소 강판의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130560
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 일 관점에 따른 실란 생성 장치가 제공된다. 제 1 홀을 가지는 제1 전극, 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극, 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 적어도 하나 이상의 입상 규소(silicon granular) 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 연결된 전원부를 포함한다. 상기 제 1 홀을 통하여 수소 가스가 유입될 수 있고, 상기 제 2 홀을 통하여 상기 플라즈마가 상기 수소와 상기 입상 규소와 반응하여 형성된 실란(SiH4)이 유출될 수 있다.
Int. CL C01B 33/04 (2006.01) C23C 16/24 (2006.01) C23C 16/513 (2006.01) B01J 19/12 (2006.01)
CPC C01B 33/04(2013.01) C01B 33/04(2013.01) C01B 33/04(2013.01) C01B 33/04(2013.01) C01B 33/04(2013.01)
출원번호/일자 1020120043775 (2012.04.26)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1404133-0000 (2014.05.29)
공개번호/일자 10-2013-0120686 (2013.11.05) 문서열기
공고번호/일자 (20140613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.26)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남기석 대한민국 경남 창원시 의창구
2 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구
3 권정대 대한민국 경남 창원시 성산구
4 김동호 대한민국 경남 창원시 마산회원구
5 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 류승윤 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 박성규 대한민국 경남 창원시 성산구
8 윤정흠 대한민국 경남 김해시 월산로 ***-**,
9 이건환 대한민국 경기도 평택시
10 이성훈 대한민국 경남 창원시 마산회원구
11 정용수 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 한윤호 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
3 양기혁 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로**길 **(삼성동) 명지빌딩, *층(선정국제특허법률사무소)
4 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)휴렉 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.04.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0333924-90
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0026577-14
4 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.07.31 수리 (Accepted) 1-1-2013-0696692-95
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0640268-40
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-1000122-37
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1000123-83
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2014.01.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0069445-76
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0137081-32
10 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2014.02.12 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-0137080-97
11 보정요구서
Request for Amendment
2014.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2014-0033761-58
12 등록결정서
Decision to Grant Registration
2014.03.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0171923-15
13 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2014.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2014-0238928-90
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 홀을 가지는 제1 전극; 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극; 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 규소를 포함하는 구조체; 및상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키기 위하여 상기 제 1 전극 및 상기 제 2 전극에 연결된 전원부;를 포함하고,상기 제 1 홀을 통하여 수소 가스가 유입될 수 있고, 상기 제 2 홀을 통하여 상기 플라즈마가 상기 규소를 포함하는 구조체 및 상기 수소 가스와 반응하여 형성된 실란(SiH4)이 유출될 수 있는, 실란 생성 장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 실란은 실란 가스 및 실란 플라즈마 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 실란 생성 장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 규소를 포함하는 구조체는 입상 규소(silicon granular)를 포함하는, 실란 생성 장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 실란 생성 장치는, 상기 실란을 이용하여 대상물 상에 규소층을 형성할 수 있도록, 상기 대상물과 이격하여 대면하도록 배치된, 실란 생성 장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 실란 생성 장치는, 상기 실란을 이용하여 대상물 상에 규소층을 형성할 수 있도록, 상기 실란을 대상물로 이동시킬 수 있는 유로(流路)를 더 포함하는, 실란 생성 장치
6 6
제 1 홀을 가지는 제 1 전극, 제 2 홀을 가지며 상기 제 1 전극과 이격하여 대향하는 제 2 전극, 및 상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 개재된 규소를 포함하는 구조체를 포함하는 실란 생성 장치를 제공하는 단계;상기 제 1 홀을 통하여, 수소 가스가 유입되는 단계;상기 제 1 전극과 상기 제 2 전극 사이에 플라즈마를 발생시키는 단계; 및상기 제 2 홀을 통하여, 상기 플라즈마가 상기 규소를 포함하는 구조체와 상기 수소와 반응하여 형성된 실란이 유출되는 단계; 를 포함하는, 실란 생성 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 실란은 실란 가스 및 실란 플라즈마 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 실란 생성 방법
8 8
제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 실란 생성 장치가 배치되고, 상기 실란 생성 장치를 이용하여 생성된 실란을 이용한 플라즈마 화학기상증착법에 의하여 제1 강판의 적어도 일면 상에 적어도 하나의 규소층을 형성하는 플라즈마 화학기상증착장치; 및상기 적어도 하나의 규소층 내 규소가 상기 제 1 강판 내로 확산되도록 상기 제 1 강판을 열처리하여, 규소를 함유하는 제 2 강판을 형성하는 열처리 장치;를 포함하는 규소 강판 제조 장치
9 9
제 8 항에 있어서, 상기 플라즈마 화학기상증착 장치는 상압 플라즈마 화학기상증착법을 수행하여 상기 적어도 하나의 규소층을 형성하는, 규소 강판 제조 장치
10 10
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