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기판의 표면 일측에 Ni 및 Mn을 함유하는 스피넬 결정상으로 이루어진 세라믹소재를 상온 진공 분말 분사법(Room Temperature Powder Spray in Vacuum, AD)으로 진공 증착한 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막은 0
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제1항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막의 밀도는 95% 이상인 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막은 나노결정립의 미세구조를 갖는 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막의 NTC 특성상수(B)는 3000 K 이상을 갖는 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막은 상기 기판 외면에 앵커링된 후 열처리 과정을 거치지 않은 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 세라믹소재는 NiMn2O4, Co가 도핑된 NiMn2O4, Fe가 도핑된 NiMn2O4 및 Cu가 도핑된 NiMn2O4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 세라믹소재는 Ni 및 Mn의 조성을 다양하게 변화시켜 미세한 함량조절이 가능한 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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제1항에 있어서, 상기 세라믹소재는 0
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제1항에 있어서, 상기 기판은 전기절연체 기판인 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막
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세라믹소재를 혼합용기에 장입하고, 기판을 스테이지에 고정하는 재료준비단계(S100); 상기 혼합용기 내부에 캐리어가스를 공급하여 세라믹소재와 캐리어가스를 혼합하는 가스공급단계(S200);상기 혼합용기 내부에서 혼합된 캐리어가스 및 세라믹소재를 이송시켜 상기 기판에 분사하는 입자분사단계(S300); 및 상기 스테이지를 이송하여 기판에 NTC 서미스터 후막을 형성하는 NTC 서미스터 후막 형성단계(S400)를 포함하는 진공 분말 분사법을 이용한 NTC 서미스터 후막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 세라믹소재는 NiMn2O4, Co가 도핑된 NiMn2O4, Fe가 도핑된 NiMn2O4 및 Cu가 도핑된 NiMn2O4로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 세라믹소재는 Ni 및 Mn의 조성을 다양하게 변화시켜 미세한 함량조절이 가능한 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 기판은 전기절연체 기판인 것을 특징으로 하는 NTC 서미스터 후막의 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 NTC 서미스터 후막 형성단계의 NTC 서미스터 후막의 성막속도는 0
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