요약 | 본 발명은 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판; 상기 기판상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층; 상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층; 상기 전자수송층상에 적층된 그래핀 옥사이드 정공수송층; 상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및 상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 무기계 광활성층 및 유기계 광활성층 사이에 삽입된 산화인듐주석 전자수송층/그래핀 옥사이드 정공수송층으로 이루어진 중간층은 유·무기 복합 탠덤 태양전지를 구성하는 무기태양전지 및 유기태양전지 각각에서 생성되는 전자와 정공이 재결합할 수 있는 영역을 효율적으로 제공하여 무기 복합 탠덤 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장기간 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다. |
---|---|
Int. CL | H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/078 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01) |
CPC | H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020120058576 (2012.05.31) |
출원인 | 한국기계연구원 |
등록번호/일자 | 10-1316096-0000 (2013.10.01) |
공개번호/일자 | |
공고번호/일자 | (20131011) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2012.05.31) |
심사청구항수 | 13 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 한국기계연구원 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 김창수 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
2 | 서지훈 | 대한민국 | 부산 연제구 |
3 | 김동호 | 대한민국 | 경남 창원시 마산회원구 |
4 | 강재욱 | 대한민국 | 경남 창원시 성산구 |
5 | 정용수 | 대한민국 | 경상남도 창원시 성산구 |
6 | 남기석 | 대한민국 | 경남 창원시 의창구 |
7 | 류승윤 | 대한민국 | 경기 화성 |
8 | 권정대 | 대한민국 | 경남 창원시 성산구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 이원희 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
---|---|---|---|
1 | 대한민국(산업통상자원부장관) | 세종특별자치시 한누리대 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2012.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0437995-26 |
2 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2013.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0290339-28 |
3 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.05.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0403230-22 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0403226-49 |
5 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0673195-78 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 기판;상기 기판상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층;상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층;상기 전자수송층상에 적층된 그래핀 옥사이드 정공수송층; 상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
2 |
2 제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
3 |
3 제1항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
4 |
4 제1항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
5 |
5 제1항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
6 |
6 제1항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지 |
7 |
7 기판상에 투명전극층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 투명전극층 상부에 무기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 2);상기 무기계 광활성층 상부에 산화인듐주석 전자수송층을 적층하는 단계(단계 3);상기 전자수송층 상부에 그래핀 옥사이드 정공수송층을 적층하는 단계(단계 4);상기 정공수송층 상부에 유기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 5); 및상기 유기계 광활성층 상부에 후면전극층을 적층하는 단계(단계 6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합형 탠덤 태양전지의 제조방법 |
8 |
8 제7항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
9 |
9 제7항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
10 |
10 제7항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질 실리콘층 및 n형 비정질 실리콘층이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
11 |
11 제7항에 있어서, 상기 단계 4 이후에 100 ~ 300 ℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
12 |
12 제 7항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
13 |
13 제7항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법 |
14 |
14 삭제 |
지정국 정보가 없습니다 |
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패밀리정보가 없습니다 |
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순번 | 연구부처 | 주관기관 | 연구사업 | 연구과제 |
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1 | 지식경제부 | 한국기계연구원 부설 재료연구소 | 재료연구소 주요사업 | 대면적 실리콘 박막태양전지 핵심소재 공정개발 및 평가 기반 구축 |
공개전문 정보가 없습니다 |
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특허 등록번호 | 10-1316096-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20120531 출원 번호 : 1020120058576 공고 연월일 : 20131011 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130930 청구범위의 항수 : 13 유별 : H01L 31/078 발명의 명칭 : 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
2 |
(권리자) 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대... |
2 |
(의무자) 한국기계연구원 대전광역시 유성구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 276,000 원 | 2013년 10월 02일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 326,000 원 | 2016년 09월 07일 | 납입 |
제 5 - 19 년분 | 금 액 | 0 원 | 2016년 11월 18일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2012.05.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0437995-26 |
2 | 의견제출통지서 | 2013.04.29 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0290339-28 |
3 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.05.07 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2013-0403230-22 |
4 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.05.07 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0403226-49 |
5 | 등록결정서 | 2013.09.30 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0673195-78 |
6 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2017.11.28 | 수리 (Accepted) | 4-1-2017-5193093-72 |
기술정보가 없습니다 |
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과제고유번호 | 1415118558 |
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세부과제번호 | PNK2580 |
연구과제명 | 대면적실리콘박막태양전지핵심소재공정개발및평가기반구축 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 재료연구소 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201001~201412 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1711008502 |
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세부과제번호 | PNK3290 |
연구과제명 | 대면적 실리콘 박막태양전지 핵심소재 공정개발 및 평가 기반 구축 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201001~201412 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
과제고유번호 | 1711008522 |
---|---|
세부과제번호 | PNK3470 |
연구과제명 | Solid carbon source를 이용한 차세대 Graphene 전극 소재 저온 공정 개발 |
성과구분 | 등록 |
부처명 | 미래창조과학부 |
연구관리전문기관명 | |
연구주관기관명 | |
성과제출연도 | 2013 |
연구기간 | 201101~201312 |
기여율 | 0.33333334 |
연구개발단계명 | 기초연구 |
6T분류명 | NT(나노기술) |
과제고유번호 | 1415118558 |
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세부과제번호 | PNK2580 |
연구과제명 | 대면적실리콘박막태양전지핵심소재공정개발및평가기반구축 |
성과구분 | 출원 |
부처명 | 지식경제부 |
연구관리전문기관명 | 산업기술연구회 |
연구주관기관명 | 재료연구소 |
성과제출연도 | 2011 |
연구기간 | 201001~201412 |
기여율 | 1 |
연구개발단계명 | 개발연구 |
6T분류명 | ET(환경기술) |
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