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중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130569
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 구체적으로 기판; 상기 기판상에 형성된 투명전극층; 상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층; 상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층; 상기 전자수송층상에 적층된 그래핀 옥사이드 정공수송층; 상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및 상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 무기계 광활성층 및 유기계 광활성층 사이에 삽입된 산화인듐주석 전자수송층/그래핀 옥사이드 정공수송층으로 이루어진 중간층은 유·무기 복합 탠덤 태양전지를 구성하는 무기태양전지 및 유기태양전지 각각에서 생성되는 전자와 정공이 재결합할 수 있는 영역을 효율적으로 제공하여 무기 복합 탠덤 태양전지의 광전변환효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라 장기간 안정성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/075 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/078 (2006.01) H01L 51/42 (2006.01)
CPC H01L 27/302(2013.01) H01L 27/302(2013.01)
출원번호/일자 1020120058576 (2012.05.31)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1316096-0000 (2013.10.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131011) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.05.31)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김창수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 서지훈 대한민국 부산 연제구
3 김동호 대한민국 경남 창원시 마산회원구
4 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구
5 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 남기석 대한민국 경남 창원시 의창구
7 류승윤 대한민국 경기 화성
8 권정대 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2012-0437995-26
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0290339-28
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0403230-22
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2013-0403226-49
5 등록결정서
Decision to grant
2013.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0673195-78
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판상에 형성된 투명전극층;상기 투명전극층상에 적층된 무기계 광활성층;상기 무기계 광활성층상에 적층된 산화인듐주석 전자수송층;상기 전자수송층상에 적층된 그래핀 옥사이드 정공수송층; 상기 정공수송층상에 적층된 유기계 광활성층; 및상기 유기계 광활성층상에 적층된 후면전극층을 포함하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide; ZnO:Al;), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO: Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층/i형 비정질 실리콘층/n형 비정질 실리콘이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 유·무기 복합 탠덤 태양전지
7 7
기판상에 투명전극층을 코팅하는 단계(단계 1);상기 투명전극층 상부에 무기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 2);상기 무기계 광활성층 상부에 산화인듐주석 전자수송층을 적층하는 단계(단계 3);상기 전자수송층 상부에 그래핀 옥사이드 정공수송층을 적층하는 단계(단계 4);상기 정공수송층 상부에 유기계 광활성층을 적층하는 단계(단계 5); 및상기 유기계 광활성층 상부에 후면전극층을 적층하는 단계(단계 6)를 포함하는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합형 탠덤 태양전지의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 기판은 유리 또는 플라스틱 기판인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 투명전극층은 알루미늄이 도핑된 산화아연(AZO; Aluminium-zinc oxide;ZnO:Al), 산화인듐주석(ITO;indium-tin oxide), 산화아연(ZnO), 산화알루미늄주석(ATO;Aluminium-tin oxide; SnO2:Al), 불소함유 산화주석(FTO; Fluorine-doped tin oxide), 은 나노와이어, 그래핀(graphene), 탄소나노튜브 및 PEDOT:PSS를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 무기계 광활성층은 p형 비정질 실리콘층, i형 비정질 실리콘층 및 n형 비정질 실리콘층이 순서대로 적층되는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 단계 4 이후에 100 ~ 300 ℃에서 열처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
12 12
제 7항에 있어서, 상기 유기계 광활성층은 PBDTTT-C(poly[4,8-bis-alkyloxybenzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl-alt-[alkyl thieno[3,4-b]thiophene-2-carboxylate]-2,6-diyl), PTB7 (Poly[[4,8-bis[(2-ethylhexyl)oxy]benzo[1,2-b:4,5-b']dithiophene-2,6-diyl][3-fluoro-2-[(2-ethylhexyl)carbonyl]thieno[3,4-b]thiophenediyl]]), PCPDTBT (poly[2,6-(4,4-bis-(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-b;3,4-b'] dithiophene)-alt-4,7-(2,1,3-benzothiadiazole)]), PC61BM [6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester) 및 PC71BM을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
13 13
제7항에 있어서, 상기 후면전극층은 알루미늄, 은, 금, 크롬, 팔라듐, 그래핀, 탄소나노튜브 및 은 나노와이어를 포함하는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 중간층이 삽입된 유·무기 복합 탠덤 태양전지의 제조방법
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