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금속 배선이 매립된 기판을 포함하는 유기발광다이오드 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130571
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 배선이 매립된 기판을 포함하는 유기발광다이오드 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판, 양극, 유기발광층 및 음극이 순차적으로 적층되어 이루어지되, 상기 기판은 그 내부에 금속 배선이 매립된 기판인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드를 제공한다. 본 발명에 따른 금속 배선이 매립된 기판을 포함하는 유기발광다이오드 및 이의 제조방법은 기판 내부에 금속 배선을 매립시킴으로써, 기판상에 형성되는 전극(음극 또는 양극)의 저항을 낮출 수 있으며, 매립된 금속 배선에 의하여 유기발광층에서 형성된 빛이 산란됨에 따라 발광효율이 향상되는 효과가 있다.
Int. CL H05B 33/22 (2006.01) H01L 51/52 (2006.01) H01L 51/56 (2006.01)
CPC H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01) H01L 51/5203(2013.01)
출원번호/일자 1020120063728 (2012.06.14)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1335913-0000 (2013.11.25)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20131202) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.14)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강재욱 대한민국 경남 창원시 성산구
2 김장주 대한민국 서울 종로구
3 김도근 대한민국 경남 창원시
4 김종국 대한민국 경남 창원시 성산구
5 정성훈 대한민국 서울 은평구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 대한민국(산업통상자원부장관) 세종특별자치시 한누리대
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2012-0473580-26
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0056092-20
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.09.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0636571-20
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1025968-65
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1025971-03
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0800619-82
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
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금속배선이 표면상에 매립된 기판을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 기판의 금속배선이 노출된 표면상으로 음극을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 음극 상부로 유기발광층을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 유기발광층 상부로 양극을 형성하는 단계(단계 4)를 포함하되,상기 단계 1의 금속배선이 표면상에 매립된 기판은기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 a);상기 단계 a의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 b);상기 단계 b의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 c); 및상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 d)를 포함하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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금속배선이 표면상에 매립된 기판을 제조하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 제조된 기판의 금속배선이 노출된 표면상으로 양극을 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 형성된 양극 상부로 유기발광층을 형성하는 단계(단계 3); 및상기 단계 3에서 형성된 유기발광층 상부로 음극을 형성하는 단계(단계 4)를 포함하되,상기 단계 1의 금속배선이 표면상에 매립된 기판은기판상에 물 또는 유기용매에 가용성인 고분자, 또는 광분해성 고분자로 이루어지는 희생층을 코팅하는 단계(단계 a);상기 단계 a의 희생층 상부에 금속 배선을 형성시키는 단계(단계 b);상기 단계 b의 금속 배선이 형성된 희생층 상부에 경화성 고분자를 코팅하고 경화시켜 금속 배선이 함몰된 고분자 층을 제조하는 단계(단계 c); 및상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층 사이에 존재하는 희생층만을 물 또는 유기 용매에 용해시키거나, 광분해시켜 제거하여, 상기 단계 a의 기판과 단계 c의 고분자 층을 분리시키는 단계(단계 d)를 포함하는 공정을 통해 제조되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 a의 희생층은 폴리비닐알코올, 폴리에틸렌 글라이콜 및 카르복시메틸셀룰로오스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 고분자를 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 a의 희생층은 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA) 또는 감광성 고분자(포토레지스트, PR) 물질인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 은(Ag), 구리(Cu), 알루미늄(Al), 금(Au), 백금(Pt), 니켈(Ni), 티타늄(Ti) 또는 이들의 합금을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 인듐틴옥사이드(ITO), 인듐징크옥사이드(IZO), 인듐징크틴옥사이드(IZTO), 알루미늄징크옥사이드(AZO), 인듐틴옥사이드-은-인듐틴옥사이드(ITO-Ag-ITO), 인듐징크옥사이드-은-인듐징크옥사이드(IZO-Ag-IZO), 인듐징크틴옥사이드-은-인듐징크틴옥사이드(IZTO-Ag-IZTO) 및 알루미늄징크옥사이드-은-알루미늄징크옥사이드(AZO-Ag-AZO)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 어느 하나 또는 이의 혼합물을 코팅하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 b의 금속 배선은 잉크젯프린팅, 그라비아프린팅, 그라비아 오프셋, 에어로졸 프린팅, 스크린 프린팅, 전기도금, 진공증착 또는 포토리소그래피 공정에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 c의 경화성 고분자는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀고분자(COP), 사이클로올레핀코고분자(COC), 디시클로펜타디엔고분자(DCPD), 시클로펜타디엔고분자(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS), 실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
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제16항 또는 제17항에 있어서, 상기 단계 d의 경화는 열 경화, 자외선 경화, 습기 경화, 건조경화, 화학반응경화, 마이크로 웨이브 경화(microwave), 적외선(IR) 경화 또는 냉각경화인 것을 특징으로 하는 유기발광다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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