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가열로;상기 가열로 내부에 구비되되, 그 내부에서 마그네슘이 용융될 수 있으며, 상단에 개구부가 구비된 형태인 마그네슘 용융 도가니; 바닥면이 그물망 구조이고, 상하 이동이 가능한 장입봉에 고정됨으로써 상기 마그네슘 용융 도가니의 개구부를 통해 마그네슘 용융 도가니 내부로 장입될 수 있으며, 그 내부에 환원시키고자 하는 산화물 원료가 장입되되, 티타늄(Ti) 또는 몰리브덴(Mo) 재질인 산화물 원료 도가니;상기 가열로 상부 일면에 구비되는 불활성기체 공급부; 및상기 가열로 상부 일면에 구비되는 진공 조성부;를 포함하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 마그네슘 용융 도가니는 마일드 스틸(mild steel, 연강), 스테인레스 스틸 및 티타늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 금속 재질인 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 산화물 원료 도가니의 그물망은 0
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제1항에 있어서, 상기 산화물 원료는 탄탈륨(Ta), 니오븀(Nb), 티타늄(Ti), 지르코늄(Zr), 바나듐(V) 및 하프늄(Hf)을 포함하는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 산화물 원료의 입자 크기는 그물망 구조의 구멍 크기보다 큰 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 산화물 원료는 가소결처리된 펠렛형태로 장입되는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 환원장치는 상기 가열로 상부에 구비되는 방열판을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 환원장치는 상기 장입봉을 수직으로 상하 이동시키는 가이드 핀을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제9항에 있어서, 상기 환원장치는 상기 장입봉을 상하 이동시키기 위하여 상기 가이드핀을 따라 상하 이동할 수 있는 스테인리스 주름관을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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제1항에 있어서, 상기 환원장치는 가열로 하단부에 환원장치를 이동시킬 수 있는 회전캠을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 마그네슘을 이용한 금속산화물 환원장치
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마그네슘 용융 도가니로 고체상의 마그네슘을 장입하는 단계(단계 1);상기 산화물 원료 도가니 내에 가소결된 금속산화물 입자를 장입하는 단계(단계 2);상기 가열로 내부를 진공처리한 후, 불활성 기체를 주입하는 단계(단계 3);상기 단계 1의 고체상 마그네슘을 가열하여 용융시키는 단계(단계 4); 및금속산화물 입자가 장입된 상기 단계 2의 산화물 원료 도가니를 마그네슘 용융 도가니 내부로 하방이동시켜 금속산화물 입자를 용융된 마그네슘에 침지시키는 단계(단계 5);를 포함하는 제1항에 따른 환원장치를 이용한 금속산화물 환원방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 2의 금속산화물은 탄탈륨 산화물, 니오븀 산화물, 티타늄 산화물, 지르코늄 산화물, 바나듐 산화물 및 하프늄 산화물을 포함하는 군으로부터 선택되는 금속산화물인 것을 특징으로 하는 금속산화물 환원방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 3의 불활성 기체는 아르곤(Ar), 질소(N2) 및 헬륨(He)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 기체인 것을 특징으로 하는 금속산화물 환원방법
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제12항에 있어서, 상기 단계 4의 가열은 700 내지 950 ℃의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속산화물 환원방법
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제12항에 있어서, 상기 환원방법은 상기 단계 5에서 금속산화물 입자를 용융된 마그네슘에 침지시킨 후, 회전캠을 이용하여 환원장치를 유동시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 금속산화물 환원방법
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