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전극 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015130591
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 환원된 산화 그래핀(reduced Graphene Oxide, rGO) 및 금속 산화층을 포함하는 전극 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 환원된 산화 그래핀(reduced Graphene Oxide, rGO); 및 금속 산화층을 포함하는 전극을 제공할 수 있다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 5/14 (2006.01)
CPC H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01) H01B 5/14(2013.01)
출원번호/일자 1020130129593 (2013.10.29)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2015-0049279 (2015.05.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.10.29)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 임경아 대한민국 부산 수영구
2 정성훈 대한민국 서울 은평구
3 김도근 대한민국 경남 창원시 성산구
4 이승훈 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2013-0983002-77
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.05.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.06.13 수리 (Accepted) 9-1-2014-0050035-33
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0818277-60
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2015-0073869-58
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2015.01.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2015-0073870-05
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.05.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0352202-95
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2015.06.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0617911-94
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2015.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2015-0617909-02
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2015.08.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0521978-15
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
환원된 산화 그래핀(reduced Graphene Oxide, rGO); 및 상기 환원된 산화 그래핀 상에 위치하는 금속 산화층을 포함하는 전극
2 2
제1항에 있어서, 상기 금속 산화층의 두께는 0
3 3
제1항에 있어서,상기 금속 산화층은 완전히 산화된 금속 산화층, 혹은 금속 및 금속 산화층이 혼재된 그래디언트 (gradient) 구조인 전극
4 4
제1항에 있어서, 상기 환원된 산화 그래핀 및 상기 금속 산화층은 동시 산화-환원 반응을 통해 형성되는 것인 전극
5 5
제1항에 있어서, 상기 환원된 산화 그래핀 하부에는 기판이 위치하는 것인 전극
6 6
제5항에 있어서, 상기 기판 상의 환원된 산화 그래핀 및 금속 산화층은,기판 상에 형성된 산화 그래핀 및 금속층으로부터 직접 동시 산화-환원되어 형성되는 것인 전극
7 7
제1항에 있어서,상기 금속은,은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 철(Fe), 코발트(Co), 실리콘(Si), 아연(Zn), 몰리브덴(Mo), 주석(Sn), 팔라듐(Pd), 타이타늄 (Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 지르코늄(Zr), 인듐(In), 또는 이들의 조합인 것인 전극
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속 산화층은 소자 내 버퍼층, 소자 내 활물질층, 소자 내 광촉매, 또는, 소자 내 충전재로 이용되는 것인 전극
9 9
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계; 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계; 및 상기 산화 그래핀층 및 금속층 간의 동시 산화-환원반응을 통해, 환원된 산화 그래핀층 및 금속 산화층을 수득하는 단계;를 포함하는 전극의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 기판 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계; 이후에, 상기 형성된 산화 그래핀층을 안정화시키는 단계를 더 포함하는 것인 전극의 제조 방법
11 11
제10항에 있어서,상기 형성된 산화 그래핀층을 안정화시키는 단계;는, 열, 자외선, 레이저, 적외선, 플라즈마, 전자빔, 또는 이들의 조합인 처리를 이용하는 것인 전극의 제조 방법
12 12
제9항에 있어서,상기 기판 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계; 및/또는 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계;는, 습식 또는 건식 방법을 이용하는 것인 전극의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 기판 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계; 및/또는 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계;는, 화학기상 증착, 스퍼터링 증착, 스프레이 코팅, 스핀 코팅, 스롯-다이(Slot-die)코팅, 또는 이들의 조합의 방법을 이용하는 것인 전극의 제조 방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계;는,전기도금법, 플라즈마 화학기상증착법, 마그네트론 스퍼터링법, 진공증발법, 아크 증착법, 원자층증착법, 이온빔 스퍼터링법, 또는 이들의 조합의 방법을 이용하여 수행되는 것인 전극의 제조 방법
15 15
제9항에 있어서,상기 산화 그래핀층 및 금속층 간의 동시 산화-환원반응을 통해, 환원된 산화 그래핀층 및 금속 산화층을 수득하는 단계;는,열, 자외선, 레이저, 적외선, 플라즈마, 전자빔, 또는 이들의 조합의 방법을 이용하는 것인 전극의 제조 방법
16 16
제9항에 있어서, 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계;에서, 형성된 금속층의 두께는 0
17 17
제9항에 있어서, 상기 기판을 준비하는 단계;, 상기 기판 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계; 및 상기 산화 그래핀층 상에 금속층을 형성시키는 단계;는, 기판을 준비하는 단계;, 상기 기판 상에 금속층을 형성시키는 단계; 및 상기 금속층 상에 산화 그래핀층을 형성하는 단계;인 것인 전극의 제조 방법
18 18
제12항에 있어서, 상기 습식 방법은 상압에서 수행되고, 상기 건식 방법은 10-7 torr 내지 760 Torr의 압력 하에서 수행되는 것인 전극의 제조 방법
19 19
제9항에 있어서,상기 전극의 제조 방법은 연속 공정인 것인 전극의 제조 방법
20 20
제19항에 있어서,상기 연속 공정은 인라인(In-line) 또는 롤투롤(Roll-to-Roll) 공정인 것인 전극의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원 부설 재료연구소 주요사업 미세금속 배선적용 유연 투명전도막 형성기술개발(2/3)