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신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130639
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신호 검출 및 전자방출용 프로브 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 상기 프로브는 프로브 기재; 및 상기 프로브 기재에 위치하는 탄소나노튜브층을 포함하며, 상기 탄소나노튜브층은 프로브 기재에 물리적으로 적층되어 있거나, 또는 상기 프로브 기재와 탄소나노튜브층 사이에 아민기(-NH2), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO3H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 기능기와 카르복시기의 화학적 결합에 의해 프로브 기재에 링크(linked)되어 있다.본 발명에 따른 신호 검출 및 전자방출용 프로브는 마모에 강하고, 우수한 표면 특성 측정 정밀도를 나타내며, 고진공 상태에서 냉음극으로서 전자를 방출하는 소스로서 활용할 수 있다.프로브, 탄소나노튜브, 박막
Int. CL G01Q 60/48 (2011.01) B82Y 40/00 (2011.01) G01Q 60/16 (2011.01) G01Q 60/44 (2011.01)
CPC G01Q 60/16(2013.01) G01Q 60/16(2013.01) G01Q 60/16(2013.01) G01Q 60/16(2013.01)
출원번호/일자 1020070033315 (2007.04.04)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0866325-0000 (2008.10.27)
공개번호/일자 10-2008-0090158 (2008.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20081031) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.04)
심사청구항수 29

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 한창수 대한민국 대전 유성구
2 김준동 대한민국 대전 유성구
3 신영현 대한민국 대전 유성구
4 정대환 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 팬코리아특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 역삼***빌딩 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0261423-43
2 서지사항보정서
Amendment to Bibliographic items		 2007.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0330249-02
3 대리인변경신고서
Agent change Notification		 2007.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0430469-52
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.01.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0006446-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.04.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0211755-61
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.06.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0440205-30
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.06.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0440204-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0536971-05
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기계적 또는 전기적 장치에 장착되어 표면 신호 또는 화학, 생물학적 신호를검출하거나 전자를 방출하는 신호 검출 및 전자 방출용 프로브에 있어서, 프로브 기재; 및 상기 프로브 기재에 위치하는 탄소나노튜브층을 포함하며,상기 탄소나노튜브층은 프로브 기재에 물리적으로 적층되어 있거나, 또는 상기 프로브 기재와 탄소나노튜브층 사이 아민기(-NH2), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO3H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 기능기와 카르복시기의 화학적 결합에 의해 프로브 기재에 링크(linked)된 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
2 2
제1항에 있어서, 상기 프로브 기재는 금속, 반도체, 반도체 산화물, 금속 산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
3 3
제1항에 있어서, 상기 프로브 기재는 Si, 실리콘나이트라이드, Al2O3, SiC, 텅스텐, 철, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
4 4
제1항에 있어서,상기 프로브 기재는 기계적 또는 전기적 장치에 고정되는 지지부, 및 상기 지지부의 최 끝단에 위치하며 신호 검출을 위하여 돌출된 돌출부를 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
5 5
제4항에 있어서, 상기 지지부는 금속, 자성체 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 표면처리된 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
6 6
제4항에 있어서, 상기 지지부는 금, 백금, 은, 알루미늄, 팔라듐, 구리, 티타늄, 크롬, 망간, 코발트, 철, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 표면처리된 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
7 7
제4항에 있어서, 상기 돌출부는 10nm 이상의 곡률반경을 갖는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
8 8
제4항에 있어서, 상기 프로브 기재의 지지부 최 끝 단 돌출부에 돌출부의 형상을 따라 탄소나노튜브층이 형성되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
9 9
제8항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 돌출부의 돌출 방향으로 직립하고 있는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
10 10
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층은 1㎛ 이하의 두께를 갖는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
11 11
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브층은 1nm 내지 1㎛의 두께를 갖는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
12 12
제1항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브; 단일벽 탄소나노튜브 묶음(bundles of single-walled carbon nanotubes); 이중벽 탄소나노튜브; 다중벽 탄소나노튜브; 금속 또는 유기물이 수식된 탄소나노튜브; 바이오물질이 부착된 탄소나노튜브; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
13 13
제1항에 있어서,상기 프로브 기재 또는 탄소나노튜브층은 아민기(-NH2), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO3H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 기능기로 더 표면처리하여 링크된(linked) 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브
14 14
탄소나노튜브를 표면처리하여 기능기를 도입한 후 프로브 기재에 도포하거나, 또는 프로브 기재를 표면처리하여 기능기를 도입한 후 탄소나노튜브를 도포하여 프로브 기재에 탄소나노튜브층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 기능기는 아민기(-NH2), 알데히드기(-CHO), 히드록실기(-OH), 티올기(-SH), 시아노기(-CN), 술폰산기(-SO3H), 할로겐기 및 이들의 조합으로 구성된 군에서 선택되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 프로브 기재는 금속, 반도체, 반도체 산화물, 금속 산화물, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
16 16
제14항에 있어서, 상기 프로브 기재는 Si, 실리콘나이트라이드, Al2O3, SiC, 텅스텐, 철, 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것을 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
17 17
제14항에 있어서,상기 프로브 기재는 기계적 또는 전기적 장치에 고정되는 지지부, 및 상기 지지부의 최 끝단에 위치하며 신호 검출을 위하여 돌출된 돌출부를 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 지지부는 금속, 자성체, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 표면처리된 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
19 19
제17항에 있어서, 상기 지지부는 금, 백금, 은, 알루미늄, 팔라듐, 구리, 티타늄, 크롬, 망간, 코발트, 철, 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 물질로 표면처리된 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
20 20
제17항에 있어서, 상기 돌출부는 10nm 이상의 곡률반경을 갖는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
21 21
제14항에 있어서, 상기 탄소나노튜브는 단일벽 탄소나노튜브; 단일벽 탄소나노튜브 묶음(bundles of single-walled carbon nanotubes); 이중벽 탄소나노튜브; 다중벽 탄소나노튜브; 금속 또는 유기물이 수식된 탄소나노튜브; 바이오물질이 부착된 탄소나노튜브; 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
22 22
제14항에 있어서,상기 제조방법은 탄소나노튜브를 표면처리하여 표면에 기능기를 포함하는 탄소나노튜브를 제조하는 단계; 상기 기능기를 포함하는 탄소나노튜브를 휘발성 용매중에 분산시켜 수막 위에 탄소나노튜브의 랑뮤어-블로젯막을 제조하는 단계; 및 상기 탄소나노튜브의 랑뮤어-블로젯막이 형성된 수막에 프로브 기재를 함침하여 프로브 기재에 탄소나노튜브층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
23 23
제22항에 있어서,상기 탄소나노튜브에 대한 표면처리 공정은 하기 화학식 1의 화합물을 포함하는 슬러리를 이용하여 실시되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
24 24
제14항에 있어서, 상기 제조방법은 프로브 기재를 하기 화학식 2의 화합물을 포함하는 슬러리를 이용하여 표면처리한 후 건조하여 프로브 기재 표면에 탄소나노튜브와 화학적 결합을 유도하는 기능기를 형성하는 단계; 및상기 기능기를 포함하는 프로브 기재를 탄소나노튜브 분산액에 함침시켜 프로브 기재에 탄소나노튜브층을 형성하는 단계를 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
25 25
제24항에 있어서,상기 화학식 2의 화합물은 아미노알킬알콕시실란(aminoalkylalkoxysilane), 아미노아릴알콕시실란(aminoarylalkoxysilane) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
26 26
제24항에 있어서,상기 건조 공정은 진공 또는 불활성 기체하에서 실시되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
27 27
제24항에 있어서,상기 건조 공정은 10 내지 150℃의 온도에서 실시되는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
28 28
제24항에 있어서,상기 탄소나노튜브 분산액은 1,3-디시클로알킬카보디이미드, 1-알킬-3(3-디알킬아미노알킬)-카르보디이미드, 벤조트리아졸-1-일옥시트리스(디알킬아미노)포스포니움 헥사할로겐포스페이트, O-(7-아자벤조트리아졸-1-일)-N,N,N',N'-테트라알킬우로늄 헥사할로겐포스페이트 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 커플링제를 더 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
29 29
제14항에 있어서, 상기 제조방법은 탄소나노튜브층 형성 후 탄소나노튜브층에 테이프를 붙였다 떼거나 또는 탄소나노튜브층과 마주하는 전극단에 전압을 걸어서 탄소나노튜브를 돌출부의 돌출 방향으로 직립시키는 단계를 더 포함하는 것인 신호 검출 및 전자방출용 프로브의 제조방법
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1 과기부 한국기계연구원 21C프론티어 나노소재의 대량 조립공정 및 응용기술 개발