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기판,상기 기판 위에 형성되어 있는 제1 전극,상기 제1 전극 위에 형성되어 있으며 돌기 또는 오목부를 포함하는 금속산화층,상기 금속산화층의 상기 돌기 또는 오목부 위에 형성되어 있는 복수의 나노 와이어를 포함하는 나노층,상기 나노 와이어 사이를 사이를 채우며 상기 나노층 위에 형성되어 있는 활성층,상기 활성층 위에 형성되어 있는 완충층,상기 완충층 위에 형성되어 있는 제2 전극을 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 돌기 또는 오목부의 평면 모양은 선형, 원형, 다각형 및 망형 중 적어도 하나를 포함하는 태양 전지
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제1항에서,상기 돌기의 높이 또는 오목부의 깊이는 수십 nm-수백 nm인 태양 전지
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제5항에서,상기 돌기 또는 오목부의 폭은 수십 nm-수백 nm이고, 간격은 수 um 이내인 태양 전지
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제1항에서,상기 금속산화층은 ZnO, TiO2로 이루어지는 태양 전지
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기판 위에 제1 전극을 형성하는 단계,상기 제1 전극 위에 코팅층을 형성하는 단계,몰드로 상기 코팅층을 가압하여 상기 코팅층 상부에 돌기 또는 오목부를 형성하는 단계,상기 코팅층에 예비 열처리를 진행하는 단계,상기 몰드를 제거한 후 상기 코팅층을 소성하여 금속산화층을 형성하는 단계,상기 금속산화층 위에 복수의 나노 와이어를 성장시켜 나노층을 형성하는 단계,상기 나노 와이어 사이를 채우도록 상기 나노층 위에 활성층을 형성하는 단계,상기 활성층 위에 완충층을 형성하는 단계,상기 활성층 위에 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 예비 열처리는 10℃ 내지 100℃의 온도에서 10분 이하로 진행하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 소성은 100℃ 내지 500℃의 온도로 10분 내지 180분 동안 진행하는 태양 전지의 제조 방법
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제8항에서,상기 코팅층은 ZnO 또는 TiO2 졸로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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제11항에서,상기 코팅층은 1㎛이하의 두께로 형성하는 태양 전지의 제조 방법
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