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1
ZnO를 포함하는 코어; 및상기 코어의 외측에 코팅된 TiXOY를 포함하는 산화 티탄층;을 포함하고,Y/X는 1보다 더 크고 2보다 더 작은 나노 소재
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제1 항에 있어서,상기 산화 티탄층은 Ti2O3, Ti3O5, Ti4O7, Ti5O9, Ti6O11, Ti7O13, Ti8O15, Ti9O17로 이루어진 군에서 어느 하나의 물질을 포함하는 나노 소재
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3
제1 항에 있어서,상기 산화 티탄층은 산소 결핍(oxygen vacancy)을 갖는 나노 소재
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4
제1 항에 있어서,상기 산화 티탄층의 두께는 6nm보다 더 크고, 40nm보다 더 작은 나노 소재
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제1 항 내지 제4 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노 소재는 나노 와이어인 나노 소재
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6
ZnO를 포함하는 코어; 및상기 코어의 외측에 형성된 산화 티탄층;을 포함하고,상기 산화 티탄층은 산소 결핍(oxygen vacancy)을 갖는 나노 소재
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7
ZnO를 포함하는 코어; 및상기 코어의 외측에 코팅된 TiXOY를 포함하는 산화 티탄층;을 포함하고,상기 X와 Y는 하기의 수학식[1]을 만족하는 나노 소재수학식[1]Y=X+1(X003e#1)
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8
ZnO를 포함하는 코어를 준비하는 단계;상기 코어에 티탄 필름을 코팅하는 단계; 및산소 환경 하에서 티탄 필름이 코팅된 코어를 가열하는 단계;를 포함하는 나노 소재의 제조 방법
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9
기판; 및상기 기판 상에 적층 형성된 P형 반도체층과 N형 반도체층을 포함하고;상기 P형 반도체층은 ZnO를 포함하는 코어, 및 상기 코어의 외측에 코팅된 TXOY를 포함하는 산화 티탄층을 갖는 나노소재를 포함하고, Y/X는 1보다 더 크고 2보다 더 작은 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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10
제9 항에 있어서,상기 N형 반도체층은 ZnO를 포함하여 상기 P형 반도체층과 상기 N형 반도체층은 동종결합(homojunction)된 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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11
제9 항에 있어서,상기 P형 반도체층과 N형 반도체층 사이에는 활성층이 형성되고, 상기 활성층은 I형 반도체로 이루어진 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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12
제11 항에 있어서,상기 N형 반도체층과 상기 활성층은 ZnO를 포함하고,상기 P형 반도체층과 상기 N형 반도체층 및 상기 활성층은 동종결합(homojunction)된 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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13
제9 항에 있어서,상기 N형 반도체층 상에 상기 P형 반도체층이 형성된 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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14
제9 항에 있어서,상기 P형 반도체층 상에 상기 N형 반도체층이 형성된 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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15
제9 항에 있어서,상기 산화 티탄층은 Ti2O3, Ti3O5, Ti4O7, Ti5O9, Ti6O11, Ti7O13, Ti8O15, Ti9O17로 이루어진 군에서 어느 하나의 물질을 포함하는 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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16
제9 항에 있어서,상기 산화 티탄층은 산소 결핍(oxygen vacancy)을 갖는 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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제9 항에 있어서,상기 산화 티탄층의 두께는 6nm보다 더 크고, 40nm보다 더 작은 나노소재를 갖는 발광 다이오드
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