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일정 깊이의 트랜치를 포함하는 베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 전면(全面)에 자기조립 단분자 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계;상기 이형 금속층의 상부에 금속층을 형성하는 단계;접착층이 형성된 기판을 제공하고, 상기 접착층의 면과 상기 베이스 부재의 상기 금속층의 면이 마주보도록 배치하는 단계; 및상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 금속층은 상기 트랜치가 형성된 영역의 요(凹)부에 위치하는 제1금속층 및 상기 트랜치의 형성에 따라 돌출된 영역의 철(凸)부에 위치하는 제2금속층을 포함하고,상기 트랜치의 형성에 따라 돌출된 영역의 철(凸)부에 위치하는 제2금속층이 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사되는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 전극의 제조방법
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일정 깊이의 트랜치를 포함하는 베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 전면(全面)에 자기조립 단분자 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계;상기 이형 금속층의 상부에 금속층을 형성하는 단계;접착층이 형성된 기판을 제공하고, 상기 접착층의 면과 상기 베이스 부재의 상기 금속층의 면이 마주보도록 배치하는 단계; 및상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계 이후,상기 베이스 부재를 상기 기판으로부터 분리하는 공정을 더 포함하고, 상기 분리공정에 의해, 상기 이형 금속층 및 금속층을 포함하는 금속 메쉬 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 전극의 제조방법
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일정 깊이의 트랜치를 포함하는 베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 전면(全面)에 자기조립 단분자 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계;상기 이형 금속층의 상부에 금속층을 형성하는 단계;접착층이 형성된 기판을 제공하고, 상기 접착층의 면과 상기 베이스 부재의 상기 금속층의 면이 마주보도록 배치하는 단계; 및상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 기판은 투명성을 갖는 석영 또는 유리와 같은 투명 무기 기판이거나, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리스티렌(PS), 폴리프로필렌(PP), 폴리이미드(PI), 폴리에틸렌설포네이트(PES), 폴리옥시메틸렌(POM), 폴리에테르에테르케톤(PEEK), 폴리에테르설폰(PES) 및 폴리에테르이미드(PEI)로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 투명 플라스틱 기판인 금속 메쉬 전극의 제조방법
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일정 깊이의 트랜치를 포함하는 베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 전면(全面)에 자기조립 단분자 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계;상기 이형 금속층의 상부에 금속층을 형성하는 단계;접착층이 형성된 기판을 제공하고, 상기 접착층의 면과 상기 베이스 부재의 상기 금속층의 면이 마주보도록 배치하는 단계; 및상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트, 아민계 티올 커플링 에이전트, 설퍼계 티올 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 전극의 제조방법
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일정 깊이의 트랜치를 포함하는 베이스 부재를 제공하는 단계;상기 베이스 부재의 전면(全面)에 자기조립 단분자 패턴을 형성하는 단계;상기 자기조립 단분자 패턴 상부에 이형 금속층을 형성하는 단계;상기 이형 금속층의 상부에 금속층을 형성하는 단계;접착층이 형성된 기판을 제공하고, 상기 접착층의 면과 상기 베이스 부재의 상기 금속층의 면이 마주보도록 배치하는 단계; 및상기 금속층을 상기 접착층이 형성된 상기 기판에 전사하는 단계를 포함하고,상기 베이스 부재를 제공하는 단계는,제1몰드 기판 상에 포토레지스트막을 도포하는 단계;상기 포토레지스트막을 선택적으로 노광시켜 원하는 패턴을 형성하는 사진공정 과정을 진행하여, 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 제1몰드 기판에 폴리머 원액을 부어 캐스팅을 수행하는 단계;상기 폴리머가 경화된 후 제1몰드 기판으로부터, 상기 폴리머를 분리하여, 제2몰드 기판을 제조하는 단계;상기 제2몰드 기판의 전면(全面)에 금속 시드층을 형성하는 단계;상기 금속 시드층을 포함하는 제2몰드 기판 상에 도금층을 형성하는 단계; 및상기 제2몰드 기판으로부터 상기 도금층을 분리하여 상기 베이스 부재를 형성하는 단계를 포함하는 금속 메쉬 전극의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 폴리머는 실리콘 중합체인 PDMS(PolyDiMethylSiloxane)인 것을 특징으로 하는 금속 메쉬 전극의 제조방법
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서로 대향 배치되는 제1전극 및 제2전극을 포함하는 태양전지에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극 중 적어도 어느 하나의 전극은 금속 메쉬 패턴으로 이루어지고, 상기 금속 메쉬 패턴의 전면(全面)에는 일정간격으로 이격된 다수의 천공된 구멍을 포함하고,상기 제1전극 및 상기 제2전극은 기판 상에 위치하고,상기 기판과 상기 금속 메쉬 패턴의 사이에 위치하는 접착층을 더 포함하는 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 제1전극은 양극이고, 상기 제2전극은 음극이며,상기 음극은 마그네슘, 칼슘, 나트륨, 칼륨, 티타늄, 인듐, 이트륨, 리튬, 알루미늄, 은, 주석, 납, 스테인레스 스틸, 구리, 텅스텐 및 실리콘으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나를 포함하고, 상기 양극은 상기 금속 메쉬 패턴으로 이루어지는 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 제1전극은 음극이고, 상기 제2전극은 양극이며,상기 양극은 주석도핑 산화인듐(ITO: tin-doped indium oxide), 불소도핑 산화주석(FTO: fluorine-doped tin oxide), ZnO-Ga2O3, ZnO-Al2O3, SnO2-Sb2O3 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 투명산화물, 또는 전도성 고분자, 그라펜(graphene) 박막, 그라펜 산화물(graphene oxide) 박막, 탄소나노튜브 박막과 같은 유기 투명전극 또는 금속이 결합된 탄소나노 튜브 박막과 같은 유-무기 결합 투명전극으로 이루어지고, 상기 음극은 상기 금속 메쉬 패턴으로 이루어지는 태양전지
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제 8 항에 있어서,상기 제1전극 및 상기 제2전극의 사이에 위치하는 광활성층을 더 포함하는 태양전지
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