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평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스처리시스템

  • 기술번호 : KST2015130848
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 정방형 또는 장방형의 덕트(40)가 "ㄱ"자 형상으로 구성되어 상기 덕트(40)의 상부에는 유입되는 가스유입구(11)와, 상기 가스유입구(11)의 후면에 설치되어 있으며 유입된 가스를 여과하는 에어필터(또는 집진장치)(10)와, 상기 에어필터(또는 집진장치)(10)의 후면에 설치되어 있고 상기 에어필터(또는 집진장치)(10)에서 여과된 가스를 흡입하는 흡기팬 또는 흡기구(20)와, 상기 흡기팬 또는 흡기구(20)의 후단에는 굴곡된 파이프나 덕트의 하부에 위치되어 있고 플라즈마를 발생시키며 방전 교류전원 공급장치(50)가 부착된 저온 플라즈마 반응기(30)와, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)하부에 형성된 금속필터(60)와, 상기 금속필터(60)의 하부에 형성된 복수 개의 카트리지 형상의 촉매반응기(70)와, 상기 촉매반응기(70)하부에 형성된 유입팬 또는 급기팬(80)과, 상기 유입팬 또는 급기팬(80)일측면에 형성되어 가스를 배출하는 가스배출구(81)로 구성된 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리 시스템인 것이다.저온, 플라즈마, 유해가스, 악취, 휘발성, 유기화합물, 촉매
Int. CL B01D 53/32 (2006.01)
CPC B01D 53/32(2013.01) B01D 53/32(2013.01)
출원번호/일자 1020010084294 (2001.12.24)
출원인 (주) 퍼시픽 글로벌, 한국기계연구원
등록번호/일자 10-0477060-0000 (2005.03.07)
공개번호/일자 10-2002-0024572 (2002.03.30) 문서열기
공고번호/일자 (20050317) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 2020010039976;
심사청구여부/일자 Y (2001.12.24)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주) 퍼시픽 글로벌 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최경일 대한민국 대전광역시유성구
2 한소영 대한민국 대전광역시중구
3 신동준 대한민국 경기도화성군
4 송영훈 대한민국 대전광역시유성구
5 차민석 대한민국 대전광역시유성구
6 이재옥 대한민국 대전광역시유성구
7 김석준 대한민국 대전광역시서구
8 김관태 대한민국 대전광역시서구
9 신완호 대한민국 충청북도청주시상당구
10 최연석 대한민국 대전광역시유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 송재욱 대한민국 대전광역시 서구 청사로 ***, 수협본관 ***호 (둔산동)(송재욱국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 환경플라즈마(주) 대한민국 대전광역시 유성구
2 한국기계연구원 대한민국 대전 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 실용신안등록이중출원서
Dual Application for Utility Model Registration
2001.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0344316-17
2 특허출원서
Patent Application
2001.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2001-0344216-50
3 명세서 등 보정서
Amendment to Description, etc.
2003.01.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2003-0000261-06
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2004.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2004.02.13 수리 (Accepted) 9-1-2004-0007403-99
6 등록결정서
Decision to grant
2004.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2004-0228784-23
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2005.01.21 수리 (Accepted) 4-1-2005-0002690-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2006.05.25 수리 (Accepted) 4-1-2006-5072567-72
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069919-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2011-5069914-14
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2013-0063366-94
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000368-10
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.03 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000304-09
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.04.08 수리 (Accepted) 4-1-2016-0023683-39
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템에 있어서, 정방형 또는 장방형의 덕트(40)가 "ㄱ"자 형상으로 구성되어 상기 덕트(40)의 상부에는 유입되는 가스유입구(11)와, 상기 가스유입구(11)의 후면에 설치되어 있으며 유입된 가스를 여과하는 에어필터(10)와, 상기 에어필터(10)의 후면에 설치되어 있고 상기 에어필터(10)에서 여과된 가스를 흡입하는 흡기팬 또는 흡기구(20)와, 상기 흡기팬 또는 흡기구(20)의 후단에는 굴곡된 파이프나 덕트의 하부에 형성되어 있고 플라즈마를 발생시키며 방전 교류전원 공급장치(50)가 부착된 저온 플라즈마 반응기(30)와, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)하부에 형성된 금속필터(60)와, 상기 금속필터(60)의 하부에 형성된 복수개의 카트리지 형상의 촉매반응기(70)와, 상기 촉매반응기(70)하부에 형성된 유입팬 또는 급기팬(80)과, 상기 유입팬 또는 급기팬(80)일측면에 형성되어 가스를 배출하는 가스배출구(81)로 구성되어 있음을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
2 2
평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템에 있어서, 가스가 덕트(40)로 유입되도록 수평위치에 있는 덕트(40)의 상부 입구에 형성된 두 개의 가스유입구(11,11`)와, 상기 한쪽의 가스유입구(11)의 후면에 설치되어 있으며 유입된 가스를 여과하는 에어필터(10)와, 상기 에어필터(10)의 후면에 설치되어 있고 상기 에어필터(10)에서 여과된 가스를 흡입하는 흡기팬 또는 흡기구(20)와, 또 다른 가스유입구(11`)의 후면에 형성되어 있으며 깨끗한 공기를 유입시키는 유입팬 또는 급기팬(80a)과, 상기 유입팬 또는 급기팬(80a)의 후면에 형성되어 있으며, 깨끗한 공기를 여과시키는 에어필터(10a)와,상기 에어필터(10a)와 흡기팬 또는 흡기구(20)사이의 하부에 형성되어 있고 플라즈마를 발생시키며 방전 교류전원 공급장치(50)가 부착된 저온 플라즈마 반응기(30)와, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)하부에 형성된 금속필터(60)와, 상기 금속필터(60)의 하부에 형성된 복수개의 카트리지 형상의 촉매반응기(70)와, 상기 촉매반응기(70)하부에 형성된 유입팬 또는 급기팬(80)과, 상기 유입팬 또는 급기팬(80)일측면에 형성되어 가스를 배출하는 가스배출구(81)로 구성되어 있음을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
3 3
평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템에 있어서, 정방형 또는 장방형의 덕트(40)가 "ㄱ"자 형상으로 구성되어 상기 덕트(40)의 상부에는 유입되는 가스유입구(11)와, 상기 가스유입구(11)의 후면에 설치되어 있으며 유입된 가스를 여과하는 에어필터(10)와, 상기 에어필터(10)의 후면에 설치되어 있고 상기 에어필터(10)에서 여과된 가스를 흡입하는 흡기팬 또는 흡기구(20)와, 상기 흡기팬 또는 흡기구(20)의 후단에는 굴곡된 파이프나 덕트의 하부에 위치되어 있고 플라즈마를 발생시키며 방전 교류전원 공급장치(50)가 부착된 저온 플라즈마 반응기(30)와, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)하부에 형성된 유입팬 또는 급기팬(80)과, 상기 유입팬 또는 급기팬(80) 일측면에 파이프로 연결되어 가스를 습식으로 처리하는 습식 가스처리설비(스크러버)(90)과, 상기 습식 가스처리설비(스크러버)(90)의 상부에 설치되어 있으며, 용수를 공급하며 용수 파이프 및 용수분사노즐로 구성된 용수 공급장치(91)와, 상기 습식 가스처리설비(스크러버)(90)의 하부에 형성되어 가스처리시 생성된 폐수를 배출하는 폐수배출장치(92)와, 상부 중앙에는 처리된 가스를 배출하는 가스배출구(81)로 구성되어 있음을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
4 4
청구항 1 내지 청구항 3에 있어서, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)는 장방형 또는 정방형과 같이 소정의 공간을 갖는 입방형체의 몸체이며, 가스의 흐름의 방향은 반응기 자체에는 구별이 없고 전방에서 유입되어 후방으로 배출되는 구조는 갖도록 다수의 평판전극(31)과, 상기 다수 평판전극(31)사이에 통공이 형성되도록 평판전극(31)사이 양끝단에 위치하는 복수개의 세라믹 재질의 스페이서(32a, 32b)와,복수개의 세라믹 평판전극(31)은 그 일측에 전극판 삽입구가 마련되며 복수개의 평판전극(31)은 전극판 삽입구가 이웃하는 평판전극의 전극판 삽입구와 서로 반대방향으로 엇갈리게 배열된다
5 5
청구항 1 내지 청구항 3에 있어서, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)는 평판전극(31)을 복수개로 엇갈려 배열하고 사이에 세라믹 재질의 스페이서를 놓아 통공을 형성하고 일측의 전극을 서로 병렬로 연결된 구조임을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
6 6
청구항 1 내지 청구항 3에 있어서, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)는 수 개에서 수십 개로 이루어진 평판전극(31)으로 구성되고, 처리하려는 가스의 종류와 양에 따라 수 개의 단일 반응기를 쉽게 병합, 배열시킬 수 있는 모듈형상임을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
7 7
청구항 1내지 청구항 3에 있어서, 상기 저온 플라즈마 반응기(30)의 방전공간에 입상형태의 Pt, Rh, Pd등의 귀금속 촉매와 Fe, Ni, Cu, Co, Cr, Mn 등의 금속촉매, 알루미나 비드, 제올라이트 계열의 촉매 흡착제 및 양이온(Na, K, Rb, Cs, Mg, Ca, Sr, Ba 등) 치환된 반응기 내장촉매(31g)가 충진되어 있는 구조임을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
8 8
청구항 4에 있어서, 상기 평판전극(31)은 세라믹 재질의 두께 0
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 촉매 반응기(70)는 복수 개의 촉매반응기 카트리지(71)가 병렬로 연결된 상태이며, 입구(유입구)와 출구(배출구)에는 유출입 여과망(72)이 형성되어 있으며, 상기 촉매반응기 카트리지(71)내에 충진된 촉매는 Mn, Fe, Cr, Cu, Mg, Pt, 제올라이트 등의 계열의 입상촉매(73)로 구성되어 있음을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템
10 10
평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템 작동방법에 있어서, 덕트(40)의 상부에 형성된 가스유입구(11)를 통해 유입된 오염된 공기는 공기필터(10)를 먼저 거쳐 큰입자가 제거 된 뒤 흡기팬 또는 흡기구(20)를 통과하여 저온플라즈마 반응기(30)에 이동되면, 저온 플라즈마 반응기(30) 내에 공기를 유입시키면서 오염 가스를 처리하고, 금속촉매(60)으로 이송시켜, 플라즈마 제거시 필연적으로 발생되는 에어로졸을 여과하여 촉매반응기(70)의 부담을 덜어주고, 상기 금속촉매(60)를 통과한 가스는 촉매반응기(70)에 도착하여 여러 개의 촉매반응기 카트리지(71)로 형성된 촉매반응기(70)는 상기 촉매반응기 카트리지(71)의 입구(전면)인 촉매반응기 유출입 여과망(72)을 통하여 유입되어 촉매반응기 카트리지(71)의 내에 충전된 촉매반응기의 입상촉매(73)를 통과하면서 오염물질을 흡착 산화시킨 다음 최종 배기구(80)로 정화된 가스가 배출시키는 작동함을 특징으로 하고, 운전 휴지기에는 처리공정보다 높은 주파수의 교류전원(50)을 공급하면 플라즈마 발생으로 유해성분의 산화와 함께 세라믹 재질의 반응기(30)내에 유전열 발생으로 반응기를 재생시키는 작동방법
11 11
평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템 작동방법에 있어서, 반응기로 유입되는 두 군데의 흡기구를 설치 해 평상시 운전 중에는 흡기구(20)에서는 처리하려는 오염된 공기가 유입이 되어 처리공정을 거치고, 운전이 휴지되는 기간에는 깨끗한 공기가 유입되는 또 다른 가스유입구(11`)에 소량의 깨끗한 공기를 유입시킨 다음, 상기 가스유입구(11`)의 후면에 형성된 유입팬 또는 급기팬(80a)에 의해 상기 유입팬 또는 급기팬(80a)의 후면에 형성된 에어필터(10a)에서 유입된 깨끗한 공기를 여과시킨 다음, 닥트(40)의 하부에 형성된 저온 플라즈마 반응기(30)에서 저온 플라즈마 처리를 거친 후 금속촉매(60), 촉매반응기(70)을 통과시켜 장치내부를 정화시켜 작동시킴을 특징으로 하는 평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템 작동방법
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평판형 다층 저온 플라즈마 반응기를 이용한 유해가스 처리시스템 작동방법에 있어서, 덕트(40)의 상부에 형성된 가스유입구(11)를 통해 유입된 오염된 공기는 공기필터(10)를 먼저 거쳐 큰입자가 제거 된 뒤 흡기팬 또는 흡기구(20)를 통과하여 저온플라즈마 반응기(30)에 이동되면, 저온 플라즈마 반응기는 몸통 전체(30)가 세라믹 재질로 되어있어 공기를 유입시키면서 오염가스를 처리하고, 처리공정보다 높은 주파수의 교류전원(50)을 공급하면 플라즈마 발생으로 유해성분을 산화시킴과 동시에 유전열이 발생되어 저온 플라즈마 반응기를 재생 처리후, 유입팬 또는 급기팬(80)을 통과시킨 다음, 정화된 가스를 습식처리설비(스크러버)(90)의 하부로 통과시키면 습식 처리설비(스크러버)(90)의 상부에 설치된 용수 공급장치(91)에서 용수가 분사되어 하부에서 상승하는 처리가스와 만나 가스에 함유된 불순물을 용수에 용해시켜 처리하고, 하부에 낙하된 폐수를 폐수배출장치(92)를 이용하여 배출하며 정화된 가스는 상부 중앙에 형성된 가스배출구(81)로 배출하는 작동방법
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