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반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트 및 이를 포함하는 반도체 공정용 가열장치

  • 기술번호 : KST2015130861
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 내부에 발열체가 매립 설치되어 있으며 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재 및 상기 금속 모재의 적어도 일측면에 형성된 세라믹층을 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트 및 이를 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치에 관한 것이다. 본 발명에 따른 반도체 제조공정용 히팅 플레이트는 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재에 가열과 냉각이 반복되는 열충격이 가해져도 AlN 등으로 이루어진 세라믹층과의 정합성을 유지하는 우수한 내열충격성을 나타내며, 세라믹층을 구비함으로써 내화학성, 내마모성 등이 우수하여 금속 모재의 손상을 방지할 수 있다. 따라서, 상기 히팅 플레이트를 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치는 식각공정, 증착공정 등을 수행함에 있어서 안정적으로 기판 가열을 수행할 수 있으며, 종래 질화알루미늄(AlN)를 주성분으로 하여 이루어진 반도체 제조공정용 가열 장치의 히팅 플레이트에 비해 경제적이고, 세라믹층이 AlN과 같은 고열전도성 소재로 이루어질 경우 우수한 온도 균일성을 달성할 수 있으며, 작은 전력으로 기판을 원하는 온도로 신속히 가열할 수 있다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/3247(2013.01) H01L 21/3247(2013.01) H01L 21/3247(2013.01) H01L 21/3247(2013.01)
출원번호/일자 1020130080363 (2013.07.09)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1463385-0000 (2014.11.13)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20141119) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.07.09)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김세종 대한민국 경남 창원시 성산구
2 이정환 대한민국 경남 창원시 성산구
3 최정호 대한민국 경남 창원시 성산구
4 윤종헌 대한민국 경남 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김정수 대한민국 서울시 송파구 올림픽로 ***(방이동) *층(이수국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0617306-12
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2014.02.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.03.12 수리 (Accepted) 9-1-2014-0023182-14
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.05.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0333281-56
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.07.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0680578-14
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0680577-68
7 등록결정서
Decision to grant		 2014.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0764689-67
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
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번호 청구항
1 1
내부에 발열체가 매립 설치되어 있으며 니켈(Ni) 25~35 중량%, 철(Fe) 45~55 중량% 및 코발트(Co) 10~20 중량%를 포함하는 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재 및 상기 금속 모재의 적어도 일측면에 형성된 세라믹층을 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 Ni-Fe-Co 합금은 Ni 29
4 4
제1항에 있어서, 상기 세라믹층은 AlN, Al2O3, ZrO3 또는 Y2O3로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
5 5
제1항에 있어서, 상기 발열체는 텅스텐(W), 몰리브덴(Mo) 또는 크롬(Cr)으로 이루어진 열선을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치의 히팅 플레이트
6 6
내부에 발열체가 매립 설치되어 있으며 니켈(Ni) 25~35 중량%, 철(Fe) 45~55 중량% 및 코발트(Co) 10~20 중량%를 포함하는 Ni-Fe-Co 합금으로 이루어진 금속 모재 및 상기 금속 모재의 적어도 일측면에 형성된 세라믹 코팅층을 포함하는 히팅 플레이트; 및상기 금속 모재의 타측면에 연결된 샤프트를 포함하는 반도체 제조공정용 가열장치
7 7
제6항에 있어서, 상기 샤프트는 길이 방향을 따라 형성된 중공에 전극봉 및 열전대가 내재된 것을 특징으로 하는 반도체 제조공정용 가열장치
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 지식경제부 한국기계연구원부설재료연구소 협동연구사업 반도체/디스플레이 제조용 고기능 Susceptor 부품을 위한 공통제조기반기술개발