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기판위에 기저층을 적층하는 기저층적층단계;상기 기저층 위에 희생층을 적층하는 희생층적층단계;상기 희생층 위에 상호 이웃하며 돌출되는 나노패턴을 형성하는 패턴형성단계;상기 기판의 일부가 노출되도록 이웃하는 나노패턴 사이 공간의 하측에 위치하는 희생층 및 기저층을 식각하는 식각단계;상기 노출된 기판 및 상기 나노패턴 상에 상기 기저층과 이종재료로 이루어지는 이종층을 적층하는 이종층적층단계;상기 희생층이 제거되도록 희생층 제거액에 상기 희생층을 침지하여 상기 기저층과 상기 이종층으로 이루어지는 내장패턴을 형성하는 내장패턴형성단계;를 포함하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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기판위에 기저층을 적층하는 기저층적층단계;상기 기저층 위에 희생층을 적층하는 희생층적층단계;상기 희생층 위에 상호 이웃하며 돌출되는 나노패턴을 형성하는 패턴형성단계;상호 이웃하는 나노패턴 사이에 평탄층을 적층하는 평탄층적층단계;상기 기판의 일부가 노출되도록 이웃하는 나노패턴과 상기 나노패턴 하측에 위치하는 희생층 및 기저층을 식각하는 식각단계;상기 노출된 기판 및 상기 평탄층 상에 상기 기저층과 이종재료로 이루어지는 이종층을 적층하는 이종층적층단계;상기 희생층이 제거되도록 희생층 제거액에 상기 희생층을 침지하여상기 기저층과 상기 이종층으로 이루어지는 내장패턴을 형성하는 내장패턴형성단계;를 포함하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 1항에 있어서,상기 식각단계에서 식각되어 남겨지는 상기 희생층과 상기 나노패턴의 높이의 합은 상기 이종층 높이의 2배 이상인 것을 특징으로 하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 식각단계에서 상기 평탄층이 하변의 길이에 비해 상변의 길이가 긴 역경사를 형성하도록 상기 평탄층의 식각속도는 상기 희생층과 상기 기저층의 식각속도 보다 느린 것을 특징으로 하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 2항에 있어서,상기 식각단계에서 상기 기판의 일부가 노출되도록 상기 나노패턴 사이에 위치하는 상기 평탄층과 상기 나노패턴의 하측에 위치하는 희생층 및 기저층을 식각하는 것을 특징으로 하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 나노패턴 위에 적층되는 상기 이종층은 상기 내장패턴형성단계에서 제거되는 것을 특징으로 하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 패턴형성단계는 상기 희생층 위에 패턴층을 적층하는 패턴층적층단계; 상기 패턴층에 나노임프린트를 이용하여 나노패턴을 형성하는 나노패턴형성단계;를 포함하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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제 1항 또는 제 2항에 있어서,상기 내장패턴형성단계에서 상기 기판 및 상기 기저층은 제거되지 않는 것을 특징으로 하는 이종 재료 나노패턴이 내장된 기판 제조방법
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