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원통형의 기판히터와 상기 기판히터의 외주면에 형성된 유전체를 구비하는 서셉터;복수의 캐필러리부들을 가지는 도전성 몸체를 포함하고, 상기 기판히터의 원주방향을 따라 상기 서셉터와 이격되어 배열되는, 적어도 하나 이상의 판상형 전극; 및유연기판을, 상기 판상형 전극과는 이격되고 상기 서셉터와는 접하도록, 롤투롤 방식으로 감을 수 있는, 한 쌍의 롤들;을 포함하고,상기 복수의 캐필러리부들은, 선형으로 배치되며, 상기 도전성 몸체의 길이축 방향으로 신장되고, 상기 판상형 전극에 가해지는 전기장을 상기 캐필러리부의 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 판상형 전극과 상기 유연기판 사이에서만 플라즈마 방전이 국부적으로 발생되고, 상기 플라즈마 방전의 온/오프 제어는 상기 적어도 하나 이상의 판상형 전극들에 독립적으로 인가되는 전원 및 상기 복수의 캐필러리부들의 수를 변화시켜 조절하는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 판상형 전극은 상기 복수의 캐필러리부의 저면부를 노출하도록 상기 도전성 몸체의 외주면 상에 배치된 절연성 차폐층을 더 포함하는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 3 항에 있어서,상기 절연성 차폐층은 알루미나(Al2O3), 탄화규소(SiC), 질화규소(Si3N4), 석영(SiO2), 산화마그네슘(MgO) 및 테프론(PTFE) 중 적어도 어느 하나를 포함하는,캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 1 항에 있어서,상기 캐필러리부의 저면부 상에 도전층을 더 포함하고,상기 도전층은 상기 저면부보다 이차전자 방출계수가 높은 금속, 합금, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 도전성 몸체는 도전성 금속, 도전성 세라믹, 도전성 탄소체 및 도전성 폴리머 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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제 1 항에 있어서, 상기 서셉터 및 상기 판상형 전극이 내부에 안치되는 챔버를 더 포함하고, 상기 챔버는 반응기체의 공급구 및 반응기체의 배출구를 포함하는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 시스템
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원통형의 기판히터와 상기 기판히터의 외주면에 형성된 유전체를 구비하는 서셉터, 및 복수의 캐필러리부들을 가지는 도전성 몸체를 포함하고 상기 기판히터의 원주방향을 따라 상기 서셉터와 이격되어 배열되는 적어도 하나 이상의 판상형 전극을 제공하는 단계; 한 쌍의 롤들을 이용하여 롤투롤 방식으로, 상기 서셉터 상에 상기 판상형 전극과는 이격되도록 유연기판을 제공하는 단계;상기 유연기판 상에 반응기체를 유입하는 단계; 및상기 판상형 전극의 캐필러리부와 상기 유연기판 사이에서만 플라즈마를 발생시켜 상기 반응기체의 화학적 반응을 유도하는 단계;를 포함하고,상기 복수의 캐필러리부들은, 선형으로 배치되며, 상기 도전성 몸체의 길이축 방향으로 신장되고, 상기 판상형 전극에 가해지는 전기장을 상기 캐필러리부의 저면부에 집적하여 캐필러리 방전을 발생시키는, 캐필러리부가 구비된 판상형 전극을 이용한 롤투롤 플라즈마 처리 방법
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