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나노카본을 용매 중에서 세척하거나 열산화처리하여 불순물을 제거하는 제1 단계;상기 세척 또는 열산화처리된 나노카본을 Pd가 함유된 용액에 침지하여 나노카본의 표면에 활성화된 Pd핵을 형성하게 하는 제2 단계;상기 Pd핵이 형성된 나노카본을 강산처리하는 제3 단계;상기 강산처리된 나노카본을 무전해 니켈도금액에 침지하여 나노카본 표면에 니켈 도금층을 형성하는 제4 단계; 및상기 니켈 도금층이 형성된 나노카본을 고온열처리하여 결정화하는 제5 단계를 포함하며,상기 제4 단계는 Pd 농도 0
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나노카본을 용매 중에서 세척하거나 열산화처리하여 불순물을 제거하는 제1 단계;상기 세척 또는 열산화처리된 나노카본을 Pd가 함유된 용액에 침지하여 나노카본의 표면에 활성화된 Pd핵을 형성하게 하는 제2 단계;상기 Pd핵이 형성된 나노카본을 강산처리하는 제3 단계;상기 강산처리된 나노카본을 무전해 니켈도금액에 침지하여 나노카본 표면에 니켈 도금층을 형성하는 제4 단계; 및상기 니켈 도금층이 형성된 나노카본을 고온열처리하여 결정화하는 제5 단계를 포함하며,상기 제4 단계는 Pd 농도 0
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나노카본을 용매 중에서 세척하거나 열산화처리하여 불순물을 제거하는 제1 단계;상기 세척 또는 열산화처리된 나노카본을 Pd가 함유된 용액에 침지하여 나노카본의 표면에 활성화된 Pd핵을 형성하게 하는 제2 단계;상기 Pd핵이 형성된 나노카본을 강산처리하는 제3 단계;상기 강산처리된 나노카본을 무전해 니켈도금액에 침지하여 나노카본 표면에 니켈 도금층을 형성하는 제4 단계; 및상기 니켈 도금층이 형성된 나노카본을 고온열처리하여 결정화하는 제5 단계를 포함하며,상기 제4 단계는 Pd 농도 0
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 나노카본은 CNF, MWCNT, TWCNT, DWCNT 및 금속성 SWCNT; 또는 반도체성 SWCNT 및 SWCNT 번들인 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 단계는 나노카본을 유기용매 또는 산수용액 중에서 초음파로 세척하는 단계인 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 제1 단계는 400~600℃에서 30분 내지 5시간 동안 공기 중 열산화처리를 하는 단계인 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 나노카본은 반도체성 SWCNT 및 SWCNT 번들(bundle)이고, 제2 단계 후에 Sn이 함유된 용액에 반도체성 나노카본을 침지하여 Sn2+이온을 반도체성 나노카본 표면에 흡착시키고 수세하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 제3 단계는 Pd핵이 형성된 나노카본을 강산으로 처리하여 정제된 Pd를 석출하는 단계인 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서,상기 제5 단계는 니켈 도금층이 형성된 나노카본을, 불활성기체 분위기 또는 진공분위기 또는 Air 분위기에서 300 내지 700℃로 3시간 동안 고온열처리하는 단계인 것을 특징으로 하는 무전해 도금법을 이용하여 니켈 코팅 나노카본을 제조하는 방법
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