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기판;상기 기판 상에 형성되면서 광결정 구조를 갖는 광추출효율향상층;상기 광추출효율향상층 상에 형성되는 제1 전극층;상기 제1 전극층 상에 형성되면서 전류의 흐름에 따라 빛을 발하는 발광층; 및상기 발광층 상에 형성되는 제2 전극층을 포함하고,상기 광추출효율향상층은, 이종 재질의 물질이 상기 기판 면에 평행한 제1 방향을 따라 교번하여 배열된 나노 구조물 패턴을 갖는 광결정층이 상기 기판 면에 수직한 제2 방향을 따라 복수 개 적층되어 형성되고,상기 광결정층은 제1 오목부와 제1 볼록부를 갖는 제1 나노구조물층과, 상기 제1 나노구조물층과 서로 다른 재질을 포함하며 상기 제1 나노구조물층의 제1 오목부에 적어도 일부가 삽입되어 적층된 제1 평탄화층을 포함하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 평탄화층은 상기 제1 나노구조물층의 제1 오목부에 채워지는 제2 볼록부를 포함하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 평탄화층은 상기 제1 나노구조물층의 제1 오목부의 일부에 삽입되는 제2 볼록부를 포함하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 4 항에 있어서,상기 제1 나노구조물층과 상기 제1 평탄화층의 사이에는 빈 공간(cavity)을 포함하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 제1 나노구조물층 및 제1 평탄화층 중 어느 하나는 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어지고, 다른 하나는 SOG (spin on glass)로 이루어지는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 광결정층은 상기 나노 구조물 패턴으로 형성된 빈 공간(cavity)을 포함하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 7 항에 있어서,상기 광결정층은 산화지르코늄(ZrO2) 또는 SOG (spin on glass)로 이루어지는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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제 1 항에 있어서,상기 발광층은 유기 발광층인 것을 특징으로 하는, 다층의 광결정층을 갖는 발광소자
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기판 상에 나노 구조물 패턴의 광결정 구조를 갖는 제1 광결정층을 형성하는 단계;상기 제1 광결정층 상에 나노 구조물 패턴의 광결정 구조를 갖는 제2 광결정층을 형성하는 단계; 및상기 제2 광결정층 상에 제1 전극층, 발광층, 제2 전극층을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하고,상기 제1 광결정층을 형성하는 단계는, 상기 기판 상에 나노구조물층 물질을 도포하는 예비 나노구조물층 형성단계; 상기 예비 제1 나노구조물층 상에 몰드를 가압하여 나노 구조물 패턴을 갖도록 임프린트 시키는 나노임프린트 단계; 상기 예비 제1 나노구조물층을 경화시켜 나노임프린트 패턴된 나노구조물층을 형성하는 나노구조물층 형성단계; 및 상기 나노구조물층 상에 평탄화층 물질을 도포하고 경화시켜 평탄화층을 형성하는 평탄화층 형성단계를 포함하며,상기 예비 나노구조물층 형성단계 내지 상기 평탄화층 형성단계를 반복하여, 상기 평탄화층 상에 상기 제2 광결정층을 적층하고,상기 제1 광결정층은, 제1 오목부와 제1 볼록부를 갖는 제1 나노구조물층과, 상기 제1 나노구조물층과 서로 다른 재질을 포함하며 상기 제1 나노구조물층의 제1 오목부에 적어도 일부가 삽입되어 적층된 제1 평탄화층을 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 예비 나노구조물층 형성단계 내지 상기 평탄화층 형성단계를 반복하여, 상기 제2 광결정층과 제1 전극층 사이에 적어도 1층 이상의 광결정층을 더 형성하는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 나노구조물층 형성단계는,자외선 경화법으로 상기 예비 나노구조물층을 경화시키는 것을 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 광결정층을 형성하는 단계는,상기 임프린트 패턴된 나노구조물층을 어닐링(annealing) 하는 어닐링 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 광결정층을 형성하는 단계는,점착방지물질을 이용하여 상기 나노임프린트 패턴된 상기 나노구조물층의 표면에 자기조립단분자막(self-assembled monolayer)을 형성시켜 점착방지층(anti-adhesion layer)을 형성하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 14 항에 있어서,상기 제1 광결정층을 형성하는 단계는,상기 점착방지층이 형성된 상기 나노구조물층의 표면을 에어 플라즈마 처리하는 단계를 더 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 제1 광결정층을 형성하는 단계는,상기 나노구조물층과 상기 평탄화층을 어닐링(annealing)하는 어닐링단계를 더 포함하는, 발광소자 제조방법
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제 16 항에 있어서,상기 나노구조물층은 자외선 경화성 폴리머 재질로 이루어지고,상기 어닐링 단계에서 상기 나노구조물층은 하소(calcinations)되는, 발광소자 제조방법
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제 17 항에 있어서,상기 평탄화층은 산화지르코늄(ZrO2) 또는 SOG (spin on glass)로 이루어지는, 발광소자 제조방법
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제 10 항에 있어서,상기 나노구조물층 및 평탄화층 중 어느 하나는 산화지르코늄(ZrO2)으로 이루어지고, 다른 하나는 SOG (spin on glass)로 이루어지는, 발광소자 제조방법
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