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기판;
상기 기판 위에 패터닝되어 형성된 게이트 전극;
상기 기판과 상기 게이트 전극을 덮는 게이트 절연막;
상기 게이트 전극과 자기정렬되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않도록 상기 게이트 절연막 위에 형성되는 소스/드레인 전극; 및
상기 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 형성되는 유기 반도체막;
을 포함하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 자외선 투과가 가능한 절연성 물질로 이루어지고,
상기 소스/드레인 전극은 자외선 경화가 가능한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터
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기판을 제공하는 단계;
상기 기판 위에 패터닝된 제1 도전막으로 게이트 전극을 형성하는 단계;
상기 게이트 전극을 덮도록 상기 기판 위에 게이트 절연막을 형성하는 단계;
상기 게이트 절연막 위에 제2 도전막을 형성하는 단계;
상기 기판의 하부 쪽에서 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 제2 도전막에 자외선을 조사하는 자외선 후면 노광을 수행하는 단계;
상기 제2 도전막을 현상함으로써 상기 게이트 전극과 자기정렬되어 상기 게이트 전극과 중첩되지 않는 소스/드레인 전극을 형성하는 단계; 및
상기 소스/드레인 전극의 사이 및 상부에 유기 반도체막을 형성하는 단계;
를 포함하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 게이트 전극 형성 단계는 상기 기판에 섀도우 마스크를 덮고 상기 제1 도전막을 열 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 게이트 전극 형성 단계는 열 증착, 전자빔 증착, 스퍼터링, 마이크로 컨택 프린팅, 나노 임프린팅 중의 어느 한 방법을 이용하여 상기 기판에 상기 제1 도전막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 게이트 절연막 형성 단계는 스핀 코팅 또는 라미네이팅 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 자외선 투과가 가능한 절연성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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8
제3항에 있어서,
상기 게이트 절연막은 폴리-4-비닐페놀, 폴리이미드, 폴리비닐알콜, 폴리스티렌, 무기물/유기물의 혼성 절연물 중의 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 제2 도전막 형성 단계는 스크린 프린팅, 스프레이프린팅, 잉크젯 프린팅, 그라비아 프린팅, 옵셋, 리버스 옵셋, 그라비아-옵셋, 플렉소 중의 어느 한 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 제2 도전막은 자외선 경화가 가능한 도전성 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제 3 항에 있어서,
상기 제2 도전막 형성 단계에서 상기 제2 도전막은 도전성 물질이 분말 상태로 자외선 경화 수지에 분산되어 있는 페이스트(paste) 상태 또는 잉크(ink) 상태인 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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12
제3항에 있어서,
상기 유기 반도체막 형성 단계는 열증착 또는 잉크젯 프린팅 방법을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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13
제3항에 있어서,
상기 유기 반도체막은 펜타센(pentacene), 테트라센(tetracene), 안트라센(anthracene), Tips-Pentacene[6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene], P3HT[poly(3-hexylthiophene)], F8T2[poly(9,9-dioctylfluorene-co-bithiophene)], PQT-12[poly(3,3-didodecylquarter-thiophene) 및 PBTTT[poly (2,5-bis(3-tetradecylthiophen-2-yl)thieno[3,2-b]thiophene] 가운데 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제3항에 있어서,
상기 기판은 플라스틱 또는 유리로 이루어지는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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15
제3항에 있어서,
상기 기판은 릴 형태로 제공되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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제15항에 있어서,
상기 게이트 전극 형성 단계, 상기 게이트 절연막 형성 단계, 상기 제2 도전막 형성 단계, 상기 자외선 후면 노광 단계, 상기 소스/드레인 전극 형성 단계, 상기 유기 반도체막 형성 단계 중의 적어도 두 단계는 상기 릴 형태의 기판이 연속적으로 이송되는 상태에서 연속하여 진행되는 것을 특징으로 하는 자기정렬 유기박막 트랜지스터의 제조 방법
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