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프로브 핀 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015130916
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제1프로브 팁 영역과 제2프로브 팁 영역을 포함하는 프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 프로브 핀에 있어서, 상기 프로브 핀은, 상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 위치하는 제1금속층; 및 상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 위치하고, 상기 제1금속층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀에 관한 것으로, 접합→몰드 제거의 공정을 배제한 간단한 공정에 의해, 프로브 팁과 프로브 빔을 포함하는 프로브 핀을 제조할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL G01R 1/067 (2006.01) H01L 21/66 (2006.01)
CPC G01R 1/06738(2013.01) G01R 1/06738(2013.01) G01R 1/06738(2013.01)
출원번호/일자 1020110114007 (2011.11.03)
출원인 한국기계연구원
등록번호/일자 10-1296352-0000 (2013.08.07)
공개번호/일자 10-2013-0049013 (2013.05.13) 문서열기
공고번호/일자 (20130814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.11.03)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이주열 대한민국 경상남도 김해시
2 정용수 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 장도연 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김만 대한민국 경상남도 창원시 가음동
5 이규환 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 임재홍 대한민국 경상남도 창원시 가음동
7 이상열 대한민국 경상남도 김해시 장유면
8 차수섭 대한민국 경상남도 창원시 의창구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인가산 대한민국 서울 서초구 남부순환로 ****, *층(서초동, 한원빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국기계연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2011-0867122-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.12.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0002357-25
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0068573-09
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.04.01 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0282289-54
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2013-0282274-70
7 등록결정서
Decision to grant
2013.07.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0528145-38
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.11.28 수리 (Accepted) 4-1-2017-5193093-72
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1프로브 팁 영역과 제2프로브 팁 영역을 포함하는 프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 프로브 핀에 있어서,상기 프로브 핀은,상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 위치하는 제1금속층; 및상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 위치하고, 상기 제1금속층 상에 위치하는 제2금속층을 포함하고,상기 프로브 팁은 상기 제1금속층으로 이루어지는 프로브 팁 본체부 및 상기 제2프로브 팁 영역에 위치하고, 상기 제2금속층으로 이루어지는 프로브 팁 보강부를 포함하고,상기 프로브 빔은 상기 제1금속층으로 이루어지는 제1프로브 빔 및 상기 제2금속층으로 이루어지는 제2프로브 빔을 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1금속층은 무전해도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀
4 4
제1프로브 팁 영역과 제2프로브 팁 영역을 포함하는 프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 시드층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 제1금속층을 형성하는 단계;상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 제2프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 핀의 제조방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 제1금속층은 상기 시드층이 촉매로 작용하는 화학적 반응에 의한 무전해 도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
6 6
제 4 항에 있어서,상기 제2금속층은 전기도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
7 7
제 4 항에 있어서,상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계는,상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계, 또는 상기 제2프로브 팁 영역 상에만 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
8 8
제 4 항에 있어서,상기 노출된 제2프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 제2금속층의 상부 표면의 평탄화하는 화학적 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
9 9
제 4 항에 있어서,상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계 이후, 상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 자기 조립 단분자 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
11 11
제 4 항에 있어서,상기 시드층은 Cr 시드층이고,상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 시드층을 형성하는 단계이후, 상기 시드층의 상부에 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
12 12
제1프로브 팁 영역과 제2프로브 팁 영역을 포함하는 프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역을 포함하는 베이스 기판을 제공하는 단계;상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 시드층을 형성하는 단계;상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 제1금속층을 형성하는 단계;상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계; 및상기 노출된 제2프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계를 포함하는 프로브 핀의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서,상기 제1금속층은 상기 시드층이 촉매로 작용하는 화학적 반응에 의한 무전해 도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 제2금속층은 전기도금법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 노출시키는 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계는,상기 제2프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역을 제외한 상기 베이스 기판의 전면에 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계, 또는 상기 제2프로브 팁 영역 상에만 제2포토레지스트막 패턴층을 형성하는 단계인 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
16 16
제 12 항에 있어서,상기 노출된 제2프로브 팁 영역 및 프로브 빔 영역에 제2금속층을 형성하는 단계 이후, 상기 제2금속층의 상부 표면의 평탄화하는 화학적 기계적 연마(CMP:Chemical Mechanical Polishing) 공정을 더 포함하는 프로브 핀의 제조방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하는 것은, 상기 베이스 기판의 전면에 포토레지스트 막을 형성하고, 새도우 마스크를 사용하여 노광공정을 진행한 후, 노광공정이 진행된 상기 포토레지스트막을 현상공정을 진행하여, 상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하고,상기 시드층의 형성은 상기 제1포토레지스트막 패턴층을 형성하기 위한 새도우 마스크와 동일한 마스크를 사용하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
18 18
제 12 항에 있어서,상기 프로브 빔 영역에 형성하고자 하는 프로브 빔의 형상에 대응하는 트렌치를 형성하는 단계 이후, 상기 트렌치를 포함한 상기 베이스 기판의 전면에 자기 조립 단분자 패턴을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 자기조립 단분자 패턴은 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질을 포함하며, 상기 자기조립 단분자막(Self Assembled Monolayer, SAM) 물질은 아민계 실란 커플링 에이전트 또는 설퍼계 실란 커플링 에이전트 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
20 20
제 12 항에 있어서,상기 시드층은 Cr 시드층이고,상기 프로브 팁 영역 및 상기 프로브 빔 영역에 시드층을 형성하는 단계 이후, 상기 시드층의 상부에 금속산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 프로브 핀의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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