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기판 상부에 박리재를 코팅하고, 상기 박리재 상부로 촉매금속층을 형성시킨 후, 상기 촉매금속층 상부로 자장여과 아크 소스 장치를 이용하여 비정질 탄소 박막을 15 nm의 두께로 형성하고, 800 ℃의 온도에서 5분간 열처리한 후 40 ℃/분의 속도로 냉각하여 그래핀을 합성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 합성된 그래핀(graphene) 상부로 접착층을 코팅하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 코팅된 접착층 상부로 유연기판을 형성시키는 단계(단계 3); 상기 단계 2의 접착층을 경화시켜 유연기판과 그래핀을 접착시키는 단계(단계 4);단계 4까지 수행되어 기판/촉매금속층/그래핀/접착층/유연기판이 순차적으로 적층된 적층체로부터 기판을 제거하는 단계(단계 5); 및상기 단계 5에서 기판이 제거된 적층체에서 촉매금속층을 에칭(etching) 용액과 5 내지 10초 동안 접촉시켜 촉매금속층을 제거하는 단계(단계 6)를 포함하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 박리재는 실리콘 수지, 불소수지, 다이아몬드 라이크 카본(diamond like carbon, DLC) 및 산화지르코늄 막으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 1의 촉매금속은 니켈, 구리, 루테늄, 이리듐, 철, 백금 및 알루미늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 2의 접착층은 자외선 경화성 폴리머로 이루어진 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 3의 유연기판은 폴리머 유연기판인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제6항에 있어서, 상기 폴리머는 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (PET), 폴리에틸렌 설폰(PES), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN), 폴리카보네이트(PC), 폴리메틸메타크릴레이트(PMMA), 폴리이미드 (PI), 에틸렌비닐아세테이트(EVA), 아몰포스폴리에틸렌테레프탈레이트(APET), 폴리프로필렌테레프탈레이트(PPT), 폴리에틸렌테레프탈레이트글리세롤(PETG),폴리사이클로헥실렌디메틸렌테레프탈레이트(PCTG), 변성트리아세틸셀룰로스(TAC), 사이클로올레핀폴리머(COP), 사이클로올레핀코폴리머(COC), 디시클로펜타디엔폴리머(DCPD), 시클로펜타디엔폴리머(CPD), 폴리아릴레이트(PAR), 폴리에테르이미드(PEI), 폴리다이메틸실론세인(PDMS),실리콘수지, 불소수지 및 변성에폭시수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 4의 경화는 자외선 오존(Ultra Violet Ozone, UVO)처리를 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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제1항에 있어서, 상기 단계 6의 에칭(etching) 용액은 KOH, FeCl3, HCl 및HF으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 그래핀 전사방법
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