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원료 산화물 분말을 볼밀로 혼합한 후, 600 ~ 1000 ℃ 에서, 1 ~ 8시간 동안 하소하여 압전 산화물을 제조하고, 그 다음에 밀링하여 압전 산화물 분말을 제조하는 단계 (단계1);
상기의 압전 산화물 분말에 유기물 분말을 첨가하고, 밀링으로 혼합하여 압전 산화물 분말과 유기물 분말의 복합 분말을 제조하는 단계 (단계2);
상기의 복합 분말을 기판 위에 성막하는 단계 (단계3); 및
상기 복합 분말의 막에 대하여 후열처리를 수행하는 단계 (단계4)
를 포함하는 압전 후막의 제조방법
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원료 산화물 분말을 볼밀로 혼합한 후, 하소하여 압전 산화물을 제조하고, 그 다음에 밀링하여 압전 산화물 분말을 제조하는 단계 (단계1);
상기의 압전 산화물 분말에 유기물 분말을 첨가하고, 밀링으로 혼합하여 압전 산화물 분말과 유기물 분말의 복합 분말을 제조하는 단계 (단계2);
상기의 복합 분말을 에어로졸 성막법으로 기판 위에 충돌시켜 성막하는 단계 (단계3); 및
상기 복합 분말의 막에 대하여 후열처리를 수행하는 단계 (단계4)
를 포함하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 4 에 있어서, 단계1의 하소는 600 ~ 1000 ℃ 에서, 1 ~ 8시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 3 또는 청구항 4 에 있어서, 단계1의 압전 산화물 분말의 평균 입경은 0
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청구항 3 또는 청구항 4 에 있어서, 단계2의 유기물 분말의 함량은 복합 분말의 1 ~ 10 부피% 인 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 3 또는 청구항 4 에 있어서, 기판은 실리콘, 사파이어, 알루미나, 티타늄, 스테인레스 스틸, 구리, 니켈 또는 니켈 합금인 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 8 에 있어서, 기판은 실리콘인 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 8 에 있어서, 기판은 사파이어인 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 3 에 있어서, 단계3의 성막은 에어로졸 성막법을 사용하여 단계2의 복합 분말을 기판에 충돌시킴으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 3 또는 청구항 4 에 있어서, 단계4의 후열처리는 500 ~ 900 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 9 에 있어서, 단계4의 후열처리는 700 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 10 에 있어서, 단계4의 후열처리는 900 ℃ 에서 수행되는 것을 특징으로 하는 압전 후막의 제조방법
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청구항 3 또는 청구항 4의 제조방법에 의해 제조되는 센서용 압전 후막
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