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RF 플라즈마를 이용하여 이산화규소 나노 입자상에 이산화세륨을 박막증착시키는 방법 및 이로부터 제조된 연마입자

  • 기술번호 : KST2015130968
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 RF 플라즈마를 이용하여 이산화규소(SiO2) 나노 입자상에 이산화세륨(CeO2)을 박막증착시키는 방법에 관한 것으로, SiO2 나노 입자를 제조하고 CeO2 전구체를 제조한 후 상기 SiO2 나노 입자와 CeO2 전구체에 RF 플라즈마를 처리하여 CeO2이 코팅된 즉 박막증착된 SiO2 입자를 합성한 후 SEM 이미지를 찍어 RF 플라즈마에 의한 CeO2 박막 증착을 확인하고 CeO2 박막 증착 전/후 pH에 따른 제타포텐셜을 비교하여 SiO2 입자가 그의 표면 특성을 잃고 CeO2의 표면 화학적 특성을 얻게 되었음을 확인함으로써 SiO2의 물리적 특성과 CeO2의 화학적 표면 특성을 이용할 수 있는 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 연마입자를 제공하는 매우 뛰어난 효과가 있다. 플라즈마, RF 플라즈마, 이산화규소, 이산화세륨, 반도체, 연마입자, CMP용 연마입자, 박막증착, 제타포텐셜
Int. CL C23C 14/08 (2011.01) C23C 14/40 (2011.01)
CPC C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01) C23C 14/08(2013.01)
출원번호/일자 1020040046302 (2004.06.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0614218-0000 (2006.08.11)
공개번호/일자 10-2005-0121139 (2005.12.26) 문서열기
공고번호/일자 (20060821) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2004.06.21)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이관영 대한민국 서울특별시 영등포구
2 이대원 대한민국 서울특별시 강동구
3 오경종 대한민국 광주광역시 서구
4 오명환 대한민국 경기도 수원시 권선구
5 이병률 대한민국 서울특별시 관악구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이덕록 대한민국 서울특별시 강남구 헌릉로***길 **-**(세곡동) *층, ***호(예일국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)디앤비플러스 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2004.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2004-0268263-38
2 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2004.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-5093444-85
3 공지예외적용주장대상(신규성,출원시의특례)증명서류제출서
Submission of Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)
2004.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2004-5093445-20
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2005.12.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.01.19 수리 (Accepted) 9-1-2006-0004794-79
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0087859-10
7 의견서
Written Opinion
2006.04.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0261632-44
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.04.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0261629-17
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2006.05.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0290179-88
10 의견서
Written Opinion
2006.07.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0522992-65
11 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.07.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2006-0522991-19
12 등록결정서
Decision to grant
2006.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0440059-37
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
졸-겔법에 의해 이산화규소 나노 입자를 형성시키는 단계;산화세륨 전구체로서 Ce(dpm)4를 형성시키는 단계; 및RF 플라즈마 반응기에 상기의 이산화규소 나노 입자와 이산화세륨 전구체 Ce(dpm)4를 로딩하여 산소 플라즈마로 처리하는 단계로 구성되는, 이산화규소 나노 입자상에 이산화세륨 박막을 증착시키는 방법
2 2
1항의 방법에 따라 제조된 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 연마입자
3 2
1항의 방법에 따라 제조된 CMP(Chemical Mechanical Polishing)용 연마입자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.