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기판, 상기 기판 상에 형성된 하지층, 상기 하지층 상에 형성된 자기 저항 구조체 및 상기 자기 저항 구조체 상에 형성된 상지층을 포함하는 다층 구조를 지닌 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하며, 상기 상지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층;상기 스페이서층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 3항에 있어서,상기 제 1강자성층 및 제 2강자성층은 CoFe를 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 3항에 있어서, 상기 반강자성층은 Mn을 포함하는 합금에 의해 이루어진 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,반강자성층;상기 반강자성층의 상부에 형성되며, 상기 반강자성층에 의해 자화 방향이 고정된 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층; 및상기 스페이서층 상에 형성되며, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 2강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 터널 장벽층;상기 터널 장벽층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는
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기판, 상기 기판 상에 형성된 자기 저항 구조체 및 상기 자기 저항 구조체 상에 형성된 상지층을 포함하는 자기 저항 소자에 있어서,상기 상지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층;상기 스페이서층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,반강자성층;상기 반강자성층의 상부에 형성되며, 상기 반강자성층에 의해 자화 방향이 고정된 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층; 및상기 스페이서층 상에 형성되며, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 2강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 터널 장벽층;상기 터널 장벽층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
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제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는
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