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TixAl1-x(0<X<1)을 하지층 또는 상지층으로사용한 다층 구조를 지닌 소자

  • 기술번호 : KST2015131002
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TixAl1-x(0<x<1)을 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자에 관한 것이다. 기판; 상기 기판 상에 적층된 하지층; 상기 하지층 상에 형성된 자성층 및 비자성층들로 이루어진 자기 저항 구조체; 및 상기 자기 저항 구조체 상에 형성된 상지층;을 포함하는 자기 저항 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하며, 상기 상지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)을 포함하는 소자 구조를 제공한다.
Int. CL H01L 27/105 (2006.01)
CPC H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01) H01L 43/08(2013.01)
출원번호/일자 1020050036520 (2005.04.30)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0733781-0000 (2007.06.25)
공개번호/일자 10-2006-0113245 (2006.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20070702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.04.30)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이성래 대한민국 서울 강남구
2 송진오 대한민국 서울 영등포구
3 최철민 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 리앤목특허법인 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)
2 이해영 대한민국 서울 강남구 언주로 **길 **, *층, **층, **층, **층(도곡동, 대림아크로텔)(리앤목특허법인)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 인텔렉추얼디스커버리 주식회사 서울특별시 강남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2005.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2005-0229532-02
2 전자문서첨부서류제출서
Submission of Attachment to Electronic Document
2005.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2005-5054812-60
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2006.07.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2006.08.11 수리 (Accepted) 9-1-2006-0051028-15
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2006.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0482442-95
6 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-5083020-20
7 지정기간연장신청서
Request for Extension of Designated Period
2006.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2006-5094254-54
8 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2006.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2006-0964131-26
9 의견서
Written Opinion
2006.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2006-0964129-34
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
11 등록결정서
Decision to grant
2007.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0156879-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판, 상기 기판 상에 형성된 하지층, 상기 하지층 상에 형성된 자기 저항 구조체 및 상기 자기 저항 구조체 상에 형성된 상지층을 포함하는 다층 구조를 지닌 소자에 있어서, 상기 하지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하며, 상기 상지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층;상기 스페이서층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
4 4
제 3항에 있어서,상기 제 1강자성층 및 제 2강자성층은 CoFe를 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
5 5
제 3항에 있어서, 상기 반강자성층은 Mn을 포함하는 합금에 의해 이루어진 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,반강자성층;상기 반강자성층의 상부에 형성되며, 상기 반강자성층에 의해 자화 방향이 고정된 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층; 및상기 스페이서층 상에 형성되며, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 2강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
7 7
제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 터널 장벽층;상기 터널 장벽층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
8 8
제 1항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는
9 9
기판, 상기 기판 상에 형성된 자기 저항 구조체 및 상기 자기 저항 구조체 상에 형성된 상지층을 포함하는 자기 저항 소자에 있어서,상기 상지층은 비정질 TixAl1-x(0<x<1)를 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
10 10
제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층;상기 스페이서층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
11 11
제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는,반강자성층;상기 반강자성층의 상부에 형성되며, 상기 반강자성층에 의해 자화 방향이 고정된 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 비자성의 스페이서층; 및상기 스페이서층 상에 형성되며, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 2강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
12 12
제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는, 자장의 인가에 의해 자화 방향이 변경 가능한 제 1강자성층;상기 제 1강자성층 상에 형성된 터널 장벽층;상기 터널 장벽층 상에 형성되며 자화 방향이 고정된 제 2강자성층; 및상기 제 2강자성층 상에 형성되며, 상기 자성층의 자화 방향을 고정시키는 반강자성층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 TixAl1-x(0<x<1)을 하지층 또는 상지층으로 사용한 다층 구조를 지닌 소자
13 13
제 9항에 있어서, 상기 자기 저항 구조체는
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.