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실리콘 태양전지의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131047
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실리콘 태양전지의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따르는 실리콘 태양전지의 제조방법은 실리콘기판의 표면에 요철구조를 형성한 후, pn 접합, 산화막 및 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서,(a) 상기 실리콘기판의 표면에 요철구조 형성시, 실리콘기판과 몰드기판과의 사이에 전사층을 구비하고, 상기 몰드기판의 실리콘기판을 향한 면에는 탈착을 용이하게 돕는 부착방지층을 배치하며, 실리콘기판과 몰드기판을 일정한 압력으로 합착하여 실리콘기판 상에 상기 전사층이 패턴으로 형성되는 단계와, (b) 상기 패턴을 에칭방지막으로 이용하여 실리콘기판을 에칭용액으로 에칭하는 단계 및 (c) 상기 패턴을 제거하여 실리콘기판의 적어도 일면에 복수개의 돌출부를 갖도록 형성하는 단계를 포함하는데, 상기 실리콘기판 표면에서의 입사광의 반사율을 효과적으로 줄여서 이로 인한 광학적 손실을 저하시키고 저가의 도료를 사용하여 제조비용의 저감 및 연속생산공정을 통하여 생산성을 향상시킬 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/042 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020050089299 (2005.09.26)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0645831-0000 (2006.11.07)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20061114) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2005.09.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김동환 대한민국 서울 용산구
2 이 헌 대한민국 서울 노원구
3 김동섭 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2005.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2005-0536895-72
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2006.09.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2006.10.16 수리 (Accepted) 9-1-2006-0065449-06
4 등록결정서
Decision to grant		 2006.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2006-0635119-07
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
실리콘기판의 표면에 요철구조를 형성한 후, pn 접합, 산화막 및 전극을 순차적으로 형성하는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지의 제조방법에 있어서,(a) 상기 실리콘기판의 표면에 요철구조 형성시, 실리콘기판과 몰드기판과의 사이에 전사층을 구비하고, 상기 몰드기판의 실리콘기판을 향한 면에는 탈착을 용이하게 돕는 부착방지층을 배치하며, 실리콘기판과 몰드기판을 일정한 압력으로 합착하여 실리콘기판 상에 상기 전사층을 패턴으로 형성시키는 단계;(b) 상기 패턴을 에칭방지막으로 이용하여 실리콘기판을 에칭용액으로 에칭하는 단계; 및(c) 상기 패턴을 제거하여 실리콘기판의 적어도 일면에 복수개의 돌출부를 갖도록 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 전사층은 열경화성 또는 광경화성 화합물로 구성되는 조성물인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 조성물은 벤질-메타그릴레이트(benzyl-methacrylate) 100 중량부, 폴리 벤질-메타그릴레이트(poly benzyl-methacrylate) 3 내지 15 중량부를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 몰드기판은 상기 실리콘기판을 향한 면에 복수개의 오목부를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서,상기 오목부는 일정간격으로 이격되어 종방향으로 배치되되, 횡방향으로는 엇갈리게 배치되는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 몰드기판은 석영이나 실리콘기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.