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이리듐 착물의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131149
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 이리듐 착물의 제조방법이 제공된다.본 발명에 따른 이리듐 착물의 제조방법은 반응시간이 빠르기 때문에 공정효율이 우수하며 부산물의 생성이 억제되어 수율이 높다는 장점이 있다.
Int. CL C07F 15/00 (2006.01)
CPC C07F 15/0033(2013.01)
출원번호/일자 1020060053533 (2006.06.14)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0776826-0000 (2007.11.08)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20071129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.06.14)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 양대륙 대한민국 서울 성북구
2 김성민 대한민국 서울 강서구
3 장지웅 대한민국 서울 성북구
4 김치식 대한민국 전북 고창군

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2006-0416714-81
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.03.09 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.04.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0021348-18
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.04.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0220551-20
6 명세서등보정서
Amendment to Description, etc.
2007.06.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0429207-83
7 의견서
Written Opinion
2007.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0429208-28
8 등록결정서
Decision to grant
2007.10.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0550953-77
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 식 1의 이리듐 클로라이드 다이머 착물 1몰당 Ag+염 또는 Ba2+염 1 내지 3당량 및 두자리 리간드 2
2 2
제 1항에 있어서,상기 반응의 반응 온도는 60∼100℃이고, 반응 압력은 2∼40atm인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물의 제조방법
3 3
제 1항에 있어서,상기 이리듐 클로라이드 다이머 착물은 하기 식 2의 화합물인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물의 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 두자리 리간드는 1-페닐 이소퀴놀린, 페닐 피라졸, 피콜린산, 1-(2-히드록시페닐)피라졸 및 8-히드록시퀴놀린으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물의 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 Ag+염은 실버트리플루오로아세틸설페이트인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물의 제조방법
6 6
제 1항에 있어서, 상기 반응시간은 4 내지 16시간인 것을 특징으로 하는 이리듐 착물의 제조방법
7 7
제 1항 내지 제 6항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이리듐 클로라이드 다이머 착물 1몰당 Ag+염 또는 Ba2+염 1 내지 3당량을 먼저 반응시켜 반응중간체를 얻은 후, 염화은 또는 염화바륨을 제거한 다음, 두자리 리간드 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.