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도전성 기판 및 상기 도전성 기판의 일면 상에 적층된 리튬 금속 분산 전착층을 포함하는 리튬 전지용 음극에 있어서,상기 리튬 금속 분산 전착층은 리튬 금속층 패턴을 포함하며,상기 리튬 금속층 패턴의 표면적은 상기 리튬 금속 분산 전착층의 총 표면적 중 5 내지 60 면적%를 차지하는 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극
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제1항에 있어서, 상기 리튬 금속층 패턴은 비도전성 고분자층 또는 비도전성 산화물층 중에 형성된 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극
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제1항에 있어서, 상기 리튬 금속층 패턴은 도트 패턴, 스트라이프 패턴 또는 부정형 패턴인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극
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제3항에 있어서, 상기 도트의 평균 직경은 20nm 내지 5㎛이고, 상기 스트라이프의 폭은 100nm 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극
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도전성 기판의 일면 상에 비도전성 물질층을 적층하는 단계;상기 비도전성 물질층의 총 표면적에 대하여 5 내지 60면적%의 표면적으로 패턴을 형성하여 상기 도전성 기판의 일부를 노출시키는 단계; 및상기 노출된 도전성 기판 상에 리튬 금속층을 전착시키는 단계를 포함하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 비도전성 물질은 비도전성 고분자 또는 비도전성 산화물인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 패턴은 도트 패턴, 스트라이프 패턴 또는 부정형 패턴인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 도트의 평균 직경은 20nm 내지 5㎛이고, 상기 스트라이프의 폭은 100nm 내지 5㎛인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 비도전성 물질층의 적층 두께는 100nm 내지 300nm인 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 패턴의 형성은 나노임프린팅 (nanoimprinting), 에칭 (etching) 또는 스크래칭 (scratching)에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 리튬 금속층의 전착은 가스 반응법, 열 증착법, 스퍼터링법, 화학 기상 증착법, 플라즈마 처리 화학 기상 증착법, 레이저 처리 화학 기상 증착법, 이온 플레이팅법, 캐소드 아크 처리법, 또는 제트 기상 증착법에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 리튬 전지용 음극의 제조방법
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제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 따른 리튬 전지용 음극을 채용한 리튬 전지
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