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고효율 결정질 실리콘 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015131228
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 투명 전도 산화막의 적용시 투명 전도 산화막과 에미터 실리콘층 사이의 계면결함을 최소화 해줌으로써 개방 회로 전압(Voc)과 단락 회로 전류 밀도(Jsc)의 감소로 인한 효율 저하를 방지할 수 있으며 버퍼층의 사용에 의해 투명 전도 산화막과 얇은 에미터층의 적용이 가능해지게 되는 고효율 실리콘 태양전지가 제공된다. 본 발명에 따른 고효율 실리콘 태양전지는 제1 타입의 결정질 베이스 실리콘 기판; 기판 상에 형성되는 제2 타입 에미터 실리콘 층; 실리콘 층 상에 형성되는 투명 전도 산화막; 실리콘층과 상기 투명 전도 산화막 사이의 계면에 형성되는 버퍼층; 투명 전도 산화막 상에 이격간격을 가지고 형성되는 상부금속전극라인; 및 기판의 이면에 형성되는 하부금속전극라인을 포함한다.고효율, 실리콘, 태양전지, 버퍼층, 계면결함
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01) H01L 31/1884(2013.01)
출원번호/일자 1020070017633 (2007.02.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0850641-0000 (2008.07.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20080807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.02.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 옥영우 대한민국 서울 성북구
2 김동환 대한민국 서울 성북구
3 강민구 대한민국 서울 성북구
4 탁성주 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0154688-47
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2007.11.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2007.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2007-0073556-50
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.01.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0034781-96
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2008-0188166-02
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.03.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0188165-56
9 등록결정서
Decision to grant		 2008.07.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0380470-73
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 타입의 결정질 베이스 실리콘 기판;상기 베이스 실리콘 기판 상에 형성되는 제2 타입 실리콘 에미터층;상기 실리콘 에미터층 상에 형성되는 버퍼층;상기 버퍼층 상에 형성되는 투명전도산화막;상기 투명전도산화막 상에 이격간격을 가지고 형성되는 상부금속전극라인; 및상기 베이스 실리콘 기판의 이면에 형성되는 하부금속전극라인을 포함하는 결정질 실리콘 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 제1 타입은 p형이고, 제2 타입은 n형인 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서,상기 제1 타입은 n형이고, 제2 타입은 p형인 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
4 4
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층은 n+ or p+ 이 도핑된 비정질 실리콘(n+ or p+ doped amorphous silicon), Si1-XCX, 인트린식 비정질 실리콘(intrinsic amorphous silicon) 중 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서,상기 버퍼층의 두께는 1~20nm인 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
6 6
제 1 항에 있어서,상기 투명전도산화막은 ITO, ZnO 및 IZO 중 선택되는 하나의 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서,상기 실리콘 에미터층의 두께는 10~1000 nm인 것을 특징으로 하는 결정질 실리콘 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.