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알루미늄 양극 산화막 템플레이트를 이용한 Ti02광촉매의 제조방법 및 상기 방법에 의해서 제조된 Ti02광촉매

  • 기술번호 : KST2015131237
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 TiO2 광촉매의 제조방법 및 상기 방법에 의해서 제조된 TiO2 광촉매에 관한 것으로서, 더욱 구체적으로는 알루미늄 박판을 전해액 중에서 전해연마하는 단계; 상기 전해연마 처리된 알루미늄 박판에 대해서 산 용액 중에서 제1 양극산화 과정을 수행하는 단계; 상기 제1 양극산화 처리된 알루미늄 박판에 대해서 에칭 과정을 수행하는 단계; 상기 에칭 처리된 알루미늄 박판에 대해서 제2 양극산화 과정을 수행하는 단계; 및 상기 제2 양극산화 처리된 알루미늄 박판의 표면에 TiO2 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 TiO2 광촉매의 제조방법 및 상기 방법에 의해서 제조된 TiO2 광촉매에 관한 것이다. 본 발명에 따르면, 알루미늄 양극 산화막 템플레이트 상에 TiO2를 매우 얇고 균일한 박막의 형태로 성장시켜서 알루미늄 양극 산화막에 의한 촉매 지지체를 확보하는 동시에, 알루미늄 양극 산화막 표면의 나노 크기 세공을 이용하여 촉매 표면적을 증가시킬 수 있고, 열처리 과정을 통하여 TiO2 박막의 결정성을 촉매 반응에 적합한 형태로 표면 결함 없이 제작할 수 있는 TiO2 광촉매의 제조방법 및 상기 방법에 의해서 제조된 TiO2 광촉매를 제공할 수 있다. TiO2 광촉매, 알루미늄 양극 산화막, 원자층 증착법
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) B01J 21/06 (2011.01)
CPC B01J 37/348(2013.01) B01J 37/348(2013.01) B01J 37/348(2013.01) B01J 37/348(2013.01) B01J 37/348(2013.01)
출원번호/일자 1020060132224 (2006.12.21)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0907467-0000 (2009.07.06)
공개번호/일자 10-2008-0058104 (2008.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20090713) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2006.12.21)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김수영 대한민국 경기도 광명시 모세로 *,
2 하정숙 대한민국 서울특별시 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2006.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2006-0951935-13
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2007.03.22 수리 (Accepted) 4-1-2007-5043540-16
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2007.06.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2007.07.12 수리 (Accepted) 9-1-2007-0041278-78
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2007.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2007-0508285-56
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0825748-49
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2007.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0825749-95
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.03.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0147387-26
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.05.16 보정각하 (Rejection of amendment) 7-1-2008-0020917-85
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0300058-11
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2008.05.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0299203-10
13 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2008.07.10 수리 (Accepted) 7-8-2008-0022525-45
14 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0064324-26
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0165057-21
16 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.04.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0019631-32
17 등록결정서
Decision to grant
2009.05.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0228137-97
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
알루미늄 박판을 전해액 중에서 전해연마하는 단계; 상기 전해연마 처리된 알루미늄 박판에 대해서 산 용액 중에서 제1 양극산화 과정을 수행하는 단계; 상기 제1 양극산화 처리된 알루미늄 박판에 대해서 에칭 과정을 수행하는 단계; 상기 에칭 처리된 알루미늄 박판에 대해서 제2 양극산화 과정을 수행하는 단계; 및 상기 제2 양극산화 처리된 알루미늄 박판의 표면에 TiO2 박막을 증착시키는 단계를 포함하는 TiO2 광촉매의 제조방법에 있어서, 상기 TiO2 박막의 증착이 60℃ 내지 80℃의 온도에서 Ti 전구체를 증발시키고, 150℃ 내지 220℃에서 증착시키는 원자층 증착법 (atomic layer deposition)에 의해서 수행되는 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 전해액은 에탄올과 과염소산의 3:1 내지 5:1 부피비의 혼합 용액인 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 산 용액은 옥살산, 인산, 황산, 크롬산 또는 그 혼합물의 용액인 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 양극산화 과정 및 상기 제2 양극산화 과정은 0
5 5
제1항에 있어서, 상기 에칭 과정은 인산과 크롬산의 1:2 내지 1:4 중량비의 혼합 용액 중에서 50℃ 내지 70℃의 온도로 수행되는 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
6 6
제1항에 있어서, 상기 에칭 과정은 25시간 내지 50시간 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 양극산화 과정에 의해서 제조된 알루미늄 박판 표면의 세공 직경은 10nm 내지 100nm이며, 세공 간 거리는 80nm 내지 120nm이고, 세공 깊이는 0
8 8
삭제
9 9
제1항에 있어서, 상기 원자층 증착법의 Ti 전구체로는 Ti(OCH(CH3)2)4를 사용하고, 산소 공급원으로는 H2O를 사용하며, 퍼지 가스로는 Ar을 사용하는 것을 특징으로 하는 TiO2 광촉매의 제조방법
10 10
삭제
11 11
제1항 내지 제7항 또는 제9항 중 어느 한 항에 따른 방법에 의해서 제조된 TiO2 광촉매
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.