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아민 또는 아마이드 작용기를 가지는 올레핀 계열의 단량체를 사용하여 중합반응에 의해 합성된 고분자 담체의 아민 또는 아마이드 작용기를 가지는 기공에 헤테로폴리산이 담지된 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 2항에 있어서, 상기 올레핀 계열 단량체는 메틸 메타크릴레이트(Methyl methacrylate)와 메타크릴아마이드(methacrylamide)인 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 3항에 있어서, 상기 메틸 메타크릴레이트와 메타크릴아마이드는 각각 97 mol%:3 mol% 내지 30 mol%:70 mol%인 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 2항에 있어서, 상기 헤테로폴리산은 Keggin 구조 A형 헤테로폴리산: HnXM12O40 (중심원자(X)=P, Si, Ge 또는 As; 배위원자(M)=Mo, W 및 V에서 선택된 1종, 또는 이들의 조합); 또는 결손형 Keggin 구조 헤테로폴리산: H12-nXM11O39 (중심원자(X)=P, As 또는 Ge; 배위원자(M)=Mo, W 및 V에서 선택된 1종, 또는 이들의 조합)인 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 5항에 있어서, 상기 헤테로폴리산은 H3PW12O40, H3PMo12O40, H4SiW12O40, H5PW10V2O40, H6PW9V3O40, H4PMo11VO40 또는 H5PMo10V2O40인 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 2항에 있어서, 상기 기공은 카르복실산 템플레이트 분자(template molecules)에 의해 크기가 조절되는 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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제 7항에 있어서, 상기 카르복실산 템플레이트 분자는 벤질말론산(benzylmalonic acid), 포름산(formic acid), 아세트산(acetic acid) 및 페닐아세트산(phenylacetic acid)으로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매
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하기 단계를 포함하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매의 제조방법:
a) 메타크릴크릴아마이드와 카르복실산을 용매상에서 혼합하는 제 1단계;
b) 상기 혼합액에 메틸 메타크릴레이트, 가교제 및 개시제를 넣고 60-80℃에서 15-17시간 동안 중합반응을 수행하는 제 2단계;
c) 상기 중합반응 후, 묽은 NaOH 수용액으로 카르복실산을 제거하고, 증류수로 세척한 후, 오븐에서 건조시켜 담체 기공 내 아민 또는 아마이드기를 가지는 고분자 담체를 제조하는 제 3단계;
d) 상기 제조된 고분자 담체를 헤테로폴리산을 에탄올(95%)에 녹인 용액에 첨가한 후, 증발기(rotary evaporator)를 사용하여 상온에서 20시간 동안 담지시키는 제 4단계; 및
e) 상기 d) 단계의 결과물을 탈이온수로 세척한 후, 100℃에서 12시간 동안 건조하는 단계
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제 10항에 있어서, 상기 a)단계에서 용매는 디메틸포름아마이드, 디메틸아세트아마이드, 디메틸설폭사이드, N-메틸피롤디돈, 메탄올, 아세톤 및 클로로포름 중에서 선택된 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매의 제조방법
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제 10항에 있어서, 상기 b)단계에서 가교제와 개시제는 각각 에틸렌 글리콜 디메타크릴레이트(ethylene glycol dimethacrylate, EGDMA)와 α,α'-azobis(isobutyronitrile), AIBN)인 것을 특징으로 하는 헤테로폴리산 담지 고분자 촉매의 제조방법
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