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반도체 소자를 이용한 온도 센서 및 저장 용기

  • 기술번호 : KST2015131448
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자를 이용한 저장 용기를 제공한다. 저장 용기는 외부 용기, 상기 외부 용기 내부에 삽입되고, 내부에 공간이 형성되어 물질을 저장하는 내부 용기, 상기 외부 용기 및 상기 내부 용기 사이에 배치되는 단열재 및 상기 외부 용기 및 상기 내부 용기 사이에 배치되고, 상기 내부 용기에 저장된 물질의 계면을 측정할 수 있는 방향으로 배열되며, 각각에 동일한 전압이 인가되었을 때 일정 전류 이상이 흐르는지 여부로 상기 내부 용기에 저장된 물질의 계면을 측정할 수 있는 복수의 반도체 소자를 포함한다. 반도체, 문턱전압, 온도, MBCFET, TSNWFET
Int. CL H01L 39/04 (2006.01) G01K 7/00 (2006.01)
CPC G01K 7/015(2013.01) G01K 7/015(2013.01) G01K 7/015(2013.01)
출원번호/일자 1020070140354 (2007.12.28)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0964111-0000 (2010.06.08)
공개번호/일자 10-2009-0072288 (2009.07.02) 문서열기
공고번호/일자 (20100616) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.12.28)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황성우 대한민국 서울 성북구
2 홍병학 대한민국 서울 성북구
3 정영채 대한민국 서울 성북구
4 최루리 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2007-0945584-39
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.03.05 수리 (Accepted) 4-1-2008-5034712-96
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.11.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.12.05 수리 (Accepted) 9-1-2008-0078300-86
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.07.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0298846-13
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0510315-64
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0510314-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0026718-45
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0168551-67
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.03.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0168549-75
12 등록결정서
Decision to grant
2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0233906-22
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
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외부 용기; 상기 외부 용기 내부에 삽입되고, 내부에 공간이 형성되어 물질을 저장하는 내부 용기; 상기 외부 용기 및 상기 내부 용기 사이에 배치되는 단열재; 상기 외부 용기 및 상기 내부 용기 사이에 배치되고, 상기 내부 용기에 저장된 물질의 계면을 측정할 수 있는 방향으로 배열되며, 각각에 동일한 전압이 인가되었을 때 일정 전류 이상이 흐르는지 여부로 상기 내부 용기에 저장된 물질의 계면을 측정할 수 있는 복수의 반도체 소자; 상기 반도체 소자에 전압을 인가하는 전압원; 상기 반도체 소자에 흐르는 전류를 측정하는 전류계;및 상기 전압원이 상기 반도체 소자에 인가하는 전압을 제어하고, 상기 전류계를 이용해 상기 반도체 소자에 일정 전류 이상이 흐르는지 여부로 저장된 상기 내부 용기에 저장된 물질의 계면을 검출하는 제어부;를 포함하되, 상기 반도체 소자는 MBCFET(Multi-Bridge-Channel MOSFET) 또는 TSNWFET(Twin Silicon Nanowire MOSFET)인 것을 특징으로 하는 저장 용기
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제5항에 있어서, 상기 복수의 반도체 소자는 상기 계면에 수직방향으로 일정 간격 배열되는 저장 용기
8 8
제5항에 있어서, 상기 복수의 반도체 소자는 상기 내부 용기를 둘러싸는 나선(spiral)을 형성하며, 일정 간격으로 배열되는 저장 용기
9 9
제5항에 있어서, 상기 내부 용기에 저장되는 물질은 절대온도 100K 이하인 저장 용기
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 과학기술부 한국 과학재단 창의적 연구 진흥사업 나노 기능소자 연구단