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스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 및고주파 자기장 생성 소자

  • 기술번호 : KST2015131501
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 스핀전달토크현상을 이용한 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자 및 고주파 자기장 생성 소자가 제공된다. 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 고정 자성층 / 비자성층 / 자유 자성층 / 비자성층 / 감지 자성층 / 반강자성층으로 구성된 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질로 이루어진 제 2 박막을 포함하고, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고 상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 본 발명에 따른 고주파 마이크로 웨이브 생성 소자는 보다 높은 전류에서도 자화회전이 가능하다. 따라서 본 발명에 따른 고주파 소자는 고주파 교류신호를 생성할 수 있으므로, 이러한 고주파 영역에서 구동되는 Resonator, Oscillator, Band-path filter 등의 소자의 개발에 따라 기존 소자에 비해 보다 많은 정보를 빠른 시간에 전송 및 처리할 수 있으므로, 소자의 효율성을 증대시킬 수 있다.
Int. CL H01F 13/00 (2006.01)
CPC H01F 10/3254(2013.01) H01F 10/3254(2013.01) H01F 10/3254(2013.01) H01F 10/3254(2013.01)
출원번호/일자 1020080045180 (2008.05.15)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1114281-0000 (2012.02.02)
공개번호/일자 10-2009-0119253 (2009.11.19) 문서열기
공고번호/일자 (20120305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020110031858;
심사청구여부/일자 Y (2008.05.15)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이경진 대한민국 서울특별시 동대문구
2 서수만 대한민국 서울특별시 강북구
3 이현우 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 정순욱 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인충현 대한민국 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관)
2 현종철 대한민국 서울특별시 중구 다산로 **, *층 특허법인충현 (신당동, 두지빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2008-0345993-27
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.02.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0008842-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0203393-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0185738-98
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0424246-85
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0424245-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0488521-61
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.12.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0052584-16
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.02.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0067053-21
13 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0251043-45
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2011-0251000-93
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.04.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0251003-29
16 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0620621-27
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0949915-70
18 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0949916-15
19 등록결정서
Decision to grant		 2012.01.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0054106-94
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
고정 자성층, 제 1 비자성층, 자유 자성층, 제 2 비자성층, 감지 자성층 및 반강자성층을 포함하는 구조이며, 상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 상기 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며,상기 감지 자성층은 박막의 수평방향의 자화 특성을 가지며, 그리고상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 CoFe, α-FeC, MnSb, CoIr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 면내 모양이 원형인 고주파 자기장 생성소자
2 2
고정 자성층, 비자성층 및 자유 자성층을 포함하는 구조이며,상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막, 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 상기 고정 자성층은 박막에 대하여 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 CoFe, α-FeC, MnSb, CoIr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 면내 모양이 원형인 고주파 자기장 생성소자
3 3
제 1 고정 자성층, 자유 자성층 및 제 2 고정 자성층을 포함하는 구조이며,상기 자유 자성층은 연자성의 제 1 물질을 포함하는 제 1 박막 및 음의 자기이방성 상수(K)를 갖는 제 2 물질을 포함하는 제 2 박막을 포함하며, 제 1 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며,제 2 고정 자성층은 박막의 수직방향의 자화 특성을 가지며, 그리고상기 자유 자성층은 연속적으로 회전하는 방향의 자화 특성을 가지며,상기 제 2 박막은 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 가지거나 또는 상기 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 가지며,상기 제 2 물질은 이중 hcp 구조를 갖는 CoFe, α-FeC, MnSb, CoIr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 면내 모양이 원형인 고주파 자기장 생성소자
4 4
제 1항에 있어서, 상기 고정 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막(n≥1)이며, 여기에서 X층 및 Y층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
5 5
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 고정 자성층은 X층 및 Y층으로 이루어진 2중층이 n개 적층되어 이루어진 다층박막(n≥1)이며, 여기에서 X층 및 Y층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr, Pt, Pd 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 박막인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
6 6
제 1항에 있어서, 상기 감지 자성층은 제 1 자성층, 비자성층 및 제 2 자성층을 포함하며, 제 1 자성층과 제 2 자성층은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지고, 상기 감지 자성층의 비자성층은 Ru, Cu, Al, Ta, Au, Ag 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
7 7
제 1항에 있어서, 제 1 물질은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
8 8
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 제 1 물질은 Fe, Co, Ni, B, Si, Zr 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
9 9
삭제
10 10
삭제
11 11
제 1항에 있어서, 상기 반강자성층은 Ir, Pt, Mn 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자
12 12
제 3항에 있어서, 제 1 고정 자성층의 자기이방성자계 Hk1는 제 2 고정자성층의 자기이방성자계 Hk2와 상이한 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성 소자
13 13
삭제
14 14
삭제
15 15
제 1 항에 있어서, 제 1 비자성층과 제 2 비자성층은 Ru, Cu, Al, Ta, Au, Ag, AlOx, MgO, TaOx, ZrOx 및 이들의 혼합물 중에서 선택된 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
16 16
제 15항에 있어서, 제 1 비자성층과 제 2 비자성층은 서로 상이한 물질인 것을 특징으로 하는 고주파 마이크로 웨이브 생성소자
17 17
삭제
18 18
삭제
19 19
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막 내에 삽입된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
20 20
제 2항 또는 제 3항에 있어서, 상기 자유 자성층은 제 2 박막이 제 1 박막의 일 측면 또는 양 측면 상에 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 고주파 자기장 생성소자
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