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직접 ZnO 패터닝을 통한 고효율 태양전지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지

  • 기술번호 : KST2015131553
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 ZnO 패터닝을 통한 고효율 태양전지 제조 방법 및 이를 이용하여 제조된 태양전지에 관한 것으로, 나노 임프린트 리소그래피 공정을 이용하되, 임프린팅 레지스트 대신 ZnO-졸(sol)을 형성하고, PDMS 또는 고분자 몰드를 압착하여 ZnO-겔(gel) 나노 패턴을 제작하고 이 후 어닐링(annealing) 공정을 통해 ZnO 나노 패턴을 제작함으로써, 태양 전지의 광 포획량을 극대화하고 공정비용이 감소시킬 수 있도록 하는 발명에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) B82Y 40/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020080081568 (2008.08.20)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2010-0022859 (2010.03.03) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.20)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이헌 대한민국 서울특별시 노원구
2 양기연 대한민국 서울특별시 동작구
3 윤경민 대한민국 서울특별시 성북구
4 한강수 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2008-0593865-97
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428698-77
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0296473-64
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2010.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0587521-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.10.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0655683-75
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.10.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0655681-84
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2011.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0051586-25
10 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2011.03.30 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2011-0012589-52
11 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination
2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0211651-15
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner
2011.05.23 수리 (Accepted) 7-8-2011-0014073-60
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판; 상기 투명기판 상부에 형성되는 TCO층(transparent conducting oxide); 상기 TCO층 상부에 나노 임프린트용 실록산(siloxane) 계열 몰드 또는 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드에 의해 직접 패터닝된 ZnO 나노 패턴; 상기 ZnO 나노 패턴 상부에 형성되는 p 타입 반도체층; 및 상기 p 타입 반도체층 상부 및 상기 ZnO 나노 패턴과 각각 연결되는 금속전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 실록산(siloxane) 계열 몰드는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 h-PDMS(hard-PDMS)로 제작된 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드는 폴리카보네이트(poly carbonate; PC) 또는 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate; PUA)로 제작된 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
투명기판 상부에 TCO층(transparent conducting oxide)을 형성하는 단계; 상기 TCO층 상부에 ZnO 나노 패턴을 형성하되, 나노 임프린트용 실록산(siloxane) 계열 몰드 또는 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드를 이용하여 직접 패터닝한 ZnO 나노 패턴을 형성하는 단계; 상기 ZnO 나노 패턴 상부에 p 타입 반도체층을 형성하는 단계; 및 상기 p 타입 반도체층 상부 및 상기 ZnO 나노 패턴과 각각 연결되는 금속전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
5 5
제 4 항에 있어서, 상기 실록산(siloxane) 계열 몰드는 PDMS(polydimethylsiloxane) 또는 h-PDMS(hard-PDMS)로 제작하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드는 폴리카보네이트(poly carbonate; PC) 또는 폴리우레탄 아크릴레이트(polyurethane acrylate; PUA)로 제작하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
7 7
제 4 항에 있어서, 상기 ZnO 나노 패턴을 형성하는 단계는 상기 TCO층 상부에 ZnO-졸(sol)층을 형성하는 단계; 상기 ZnO-졸(sol)층 상부에 상기 나노 임프린트용 실록산(siloxane) 계열 몰드 또는 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드를 압착시켜 ZnO-겔(gel) 나노 패턴을 형성하는 단계; 및 상기 나노 임프린트용 실록산(siloxane) 계열 몰드 또는 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드를 제거하고, 상기 ZnO-겔(gel) 나노 패턴에 어닐링(annealing) 공정을 수행하여 ZnO 나노 패턴을 제조하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 ZnO-졸(sol)층은 에탄올(ethanol), 디메틸포름아미드(DMF) 및 톨루엔(toluene) 중 선택된 어느 한 용매에 아연 아세테이트 수화물(Zinc acetate dihydrate) 또는 질산 아연(Zinc nitrate)을 첨가하고 안정제로 디에탄올아민(dimethanolamine) 또는 모노에탄올아민(monomethanolamine)을 첨가하여 제조하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 ZnO-졸(sol)층은 스핀 코팅(spin-coating) 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
10 10
제 7 항에 있어서, 상기 ZnO-겔(gel) 나노 패턴을 형성하는 단계는 상기 나노 임프린트용 실록산(siloxane) 계열 몰드 또는 고분자 핫 엠보스드(hot-embossed) 몰드를 1 ~ 10atm의 압력 및 100℃ ~ 200℃의 온도에서 30분 ~ 1시간 동안 상기 ZnO-졸(sol) 내의 용매가 완전히 제거될 때까지 압착하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
11 11
제 7 항에 있어서, 상기 ZnO-겔(gel) 나노 패턴에 어닐링(annealing) 공정은 500 ~ 700℃의 온도 및 공기 분위기에서 수행하는 것은 특징으로 하는 태양전지 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 에너지관리공단 고려대학교 산학협력단 신재생에너지기술개발사업 유연 폴리머 기판을 사용한 유-무기 복합 태양전지의 제작