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기판위에 형성된 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층 위에 형성되어 광을 생성하는 활성층; 및
상기 활성층위에 형성되고, 상기 활성층으로부터 유입되어 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조가 주변 영역에 형성된 제 2 반도체층을 포함하고,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조는 상기 제 2 반도체층에 형성된 복수의 에어홀로 구성되며,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조에서 반사되는 광의 반사율은 상기 에어홀의 지름과 격자 간격(lattice constant)에 따라서 결정되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판위에 형성된 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층 위에 형성되어 광을 생성하는 활성층; 및
상기 활성층위에 형성되고, 상기 활성층으로부터 유입되어 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조가 주변 영역에 형성된 제 2 반도체층을 포함하고,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조는 상기 제 2 반도체층에 형성된 복수의 에어홀로 구성되며,
상기 에어홀의 지름을 d 라하고, 격자 간격(lattice constant)을 a 라 할 때,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조에서 반사되는 광의 반사율은 아래의 수식
으로 정의되는 Air Fill Factor에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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기판위에 형성된 제 1 반도체층;
상기 제 1 반도체층 위에 형성되어 광을 생성하는 활성층; 및
상기 활성층위에 형성되고, 상기 활성층으로부터 유입되어 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조가 주변 영역에 형성된 제 2 반도체층을 포함하고,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조는 상기 제 2 반도체층에 형성된 복수의 에어홀로 구성되며,
상기 제 2 반도체층의 중심 영역에는 입사된 광을 회절시켜 상부로 방출하는 제 2 포토닉 크리스탈 구조가 더 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자
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제 5 항에 있어서,
상기 제 2 포토닉 크리스탈 구조는 상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 형성하는 복수의 에어홀보다 깊이가 얕은 복수의 에어홀로 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자
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(a) 기판위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 반도체층 위에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성층위에 제 2 반도체층을 형성하 는 단계; 및
(d) 상기 활성층으로부터 유입되어 상기 제 2 반도체층의 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (d) 단계는
상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 복수의 에어홀을 형성하여 상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 형성하고, 상기 에어홀의 지름과 격자 간격(lattice constant)을 조절하여 상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조에서 반사되는 광의 반사율을 조절하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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(a) 기판위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 반도체층 위에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성층위에 제 2 반도체층을 형성하 는 단계; 및
(d) 상기 활성층으로부터 유입되어 상기 제 2 반도체층의 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (d) 단계는
상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 복수의 에어홀을 형성하여 상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 형성하고, 상기 에어홀의 지름을 d 라하고, 격자 간격(lattice constant)을 a 라 할 때,
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조에서 반사되는 광의 반사율은 아래의 수식
으로 정의되는 Air Fill Factor에 의해서 조절되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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(a) 기판위에 제 1 반도체층을 형성하는 단계;
(b) 상기 제 1 반도체층 위에 광을 발생시키는 활성층을 형성하는 단계;
(c) 상기 활성층위에 제 2 반도체층을 형성하는 단계;
(d) 상기 활성층으로부터 유입되어 상기 제 2 반도체층의 주변 영역으로 향하는 광을 중심 영역으로 반사시키는 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 형성하는 단계; 및
(e) 상기 제 2 반도체층의 중심 영역에 입사된 광을 회절시켜 상부로 방출하는 제 2 포토닉 크리스탈 구조를 형성하는 단계를 포함하고,
상기 (d) 단계는
상기 제 2 반도체층의 주변 영역에 복수의 에어홀을 형성하여 상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 (e) 단계는
상기 제 1 포토닉 크리스탈 구조를 형성하는 복수의 에어홀보다 깊이가 얕은 복수의 에어홀을 형성하여 상기 제 2 포토닉 크리스탈 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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제 11 항에 있어서,
상기 (e) 단계는 상기 (d) 단계 이전에 수행되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 제조 방법
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