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태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 이를 포함하는 태양전지
- 기술번호 : KST2015131625
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 및 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼가 제공된다. 본 발명에 따른 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법은 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각 공정에 있어서, 식각 용액에 가해지는 압력을 상압 미만의 저압으로 조절하는 단계를 포함한다. 본 발명에 의한 저압에서의 텍스쳐링 공정을 통해 효과적으로 수소 기체의 차단 효과를 제거함으로써 실리콘 웨이퍼 표면에 보다 규칙적이고 작은 피라미드를 형성한다. 종래 기술에 비하여 피라미드의 사이즈는 약 2∼3마이크로미터 감소하였고 RMS 조도도 약 200nm 감소하여 개선된 표면상태를 얻었으며 반사도 또한 전 파장범위에서 약 2∼3% 감소한다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 21/306 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) |
| CPC | H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) |
| 출원번호/일자 | 1020080094734 (2008.09.26) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-1029331-0000 (2011.04.07) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0035374 (2010.04.05) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20110415) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 | |
| 법적상태 | 소멸 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | 심판사항 |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.09.26) |
| 심사청구항수 | 12 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 김동환 | 대한민국 | 서울특별시 용산구 |
| 2 | 임희진 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 |
| 3 | 이준성 | 대한민국 | 경기도 김포시 |
| 4 | 박하영 | 대한민국 | 서울특별시 동대문구 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 특허법인충현 | 대한민국 | 서울특별시 서초구 동산로 **, *층(양재동, 베델회관) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0678269-11 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2009.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2009.11.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0063018-09 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0206611-90 |
| 6 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0298183-75 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0536792-30 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0536791-95 |
| 10 | 거절결정서 Decision to Refuse a Patent |
2010.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0593177-98 |
| 11 | 명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination) |
2011.01.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2011-0002783-24 |
| 12 | 등록결정서 Decision to grant |
2011.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0146946-64 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링을 위한 화학적 식각공정에 있어서, (a) 챔버 내에 위치한 식각 용액에 실리콘 웨이퍼를 침지시킨 후 상압 하에서 이를 유지하는 단계; 및 (b) 상기 식각 용액에 가해지는 압력을 조절하는 단계를 포함하고, 상기 (b) 단계는 (c) 상기 식각 용액에 가해지는 압력을 상압 미만의 저압으로 낮춘 후 이를 유지하는 단계;및 (d) 상기 상압 미만의 저압으로 낮춘 식각 용액에 가해지는 압력을 다시 상압으로 상승시킨 후 이를 유지하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 2 |
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| 3 |
3 삭제 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 (c) 및 (d) 단계를 복수 회 반복하는 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 5 |
5 제 1 항에 있어서, 상기 (a)단계와 (b)단계의 시간 비율이 1:2인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 6 |
6 제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계와 (d)단계의 시간 비율이 1:1인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 7 |
7 제 1 항에 있어서, 상기 (c)단계의 상압 미만의 저압은 상압보다 0 |
| 8 |
8 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 n-형 단결정 실리콘 또는 p-형 단결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 n-형 다결정 실리콘 또는 p-형 다결정 실리콘인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 식각 용액의 온도는 70∼80℃인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 식각 용액은 염기성 수화물, 첨가제 및 탈이온수로 이루어진 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 12 |
12 제 11 항에 있어서, 상기 염기성 수화물은 KOH, NaOH, CsOH, RbOH, (CH3)4NOH 및 NH4OH 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 13 |
13 제 11 항에 있어서, 상기 첨가제는 (CH3)2CHOH, Na2CO3 및 K2CO3 군으로부터 선택된 어느 하나 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법 |
| 14 |
14 제 11 항에 있어서, 상기 식각 용액은 염기성 수화물, 첨가제 및 탈이온수의 부피%는 0 |
| 15 |
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| 16 |
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| 17 |
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| 18 |
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| 19 |
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| 20 |
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| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 패밀리정보가 없습니다 |
|---|
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
- 본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
- 데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
- 법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.
| 특허 등록번호 | 10-1029331-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20080926 출원 번호 : 1020080094734 공고 연월일 : 20110415 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20110316 청구범위의 항수 : 12 유별 : H01L 21/306 발명의 명칭 : 태양전지용 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐링 방법, 이에 의하여 텍스쳐링된 태양전지용 실리콘 웨이퍼 및 이를 포함하는 태양전지 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 256,500 원 | 2011년 04월 08일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 304,000 원 | 2014년 03월 04일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 212,800 원 | 2015년 03월 31일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 225,560 원 | 2016년 05월 31일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 389,200 원 | 2017년 03월 28일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2018년 04월 06일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 278,000 원 | 2019년 04월 01일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 900,000 원 | 2020년 11월 18일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.09.26 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0678269-11 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | 선행기술조사의뢰서 | 2009.10.12 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 4 | 선행기술조사보고서 | 2009.11.13 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-0063018-09 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.03.31 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0206611-90 |
| 6 | 의견제출통지서 | 2010.07.12 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0298183-75 |
| 7 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.08.20 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0536792-30 |
| 9 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.08.20 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0536791-95 |
| 10 | 거절결정서 | 2010.12.24 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0593177-98 |
| 11 | 명세서 등 보정서(심사전치) | 2011.01.24 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 7-1-2011-0002783-24 |
| 12 | 등록결정서 | 2011.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2011-0146946-64 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 기술정보가 없습니다 |
|---|
| 과제고유번호 | 1345161991 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 과C6A2001 |
| 연구과제명 | 첨단부품소재사업단 |
| 성과구분 | 등록 |
| 부처명 | 교육과학기술부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국연구재단 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2011 |
| 연구기간 | 200603~201302 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 응용연구 |
| 6T분류명 | IT(정보기술) |
| 과제고유번호 | 1415081295 |
|---|---|
| 세부과제번호 | 2005-N-PV14-P-02 |
| 연구과제명 | 차세대나노융합태양전지요소기술개발 |
| 성과구분 | 출원 |
| 부처명 | 지식경제부 |
| 연구관리전문기관명 | 한국산업기술평가원 |
| 연구주관기관명 | 고려대학교 |
| 성과제출연도 | 2007 |
| 연구기간 | 200512~200811 |
| 기여율 | 1 |
| 연구개발단계명 | 기초연구 |
| 6T분류명 | ET(환경기술) |
특허성과
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|---|---|---|
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| 번호 | 심판번호(숫자) | 심판번호(문자) | 사건의표시 | 청구일 | 심결일자 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | 2011101000495 | 2011원495 | 2008년 특허출원 제0094734호 거절결정불복 | 2011.01.24 | 2011.03.16 |