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수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2015131633
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 발광소자 제조시 사파이어 기판으로부터 분리되는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막의 손상을 최소화시키고, 그 결과 반도체 발광소자의 전체적인 성능이 향상될 수 있는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판, 이를 이용한 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법 및 수직구조를 갖는 반도체 발광소자에 대하여 개시한다. 본 발명에 따른 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판은 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성되는 다층발광구조체 박막이 적층되는 사파이어 기판과의 열팽창 계수 차이가 5ppm/℃ 이하인 물질로 이루어진 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상에 형성되며, 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 화합물로 이루어지거나, 화학적 에칭에 의해 제거 가능한 물질로 이루어진 희생층(sacrificial layer); 상기 희생층의 상부에 형성되는 금속후막(thick metal film); 및 상기 금속후막의 상부에 형성되며, 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing) 합금 물질로 이루어진 본딩층을 구비하여 이루어진다.
Int. CL H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020080116667 (2008.11.24)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0999548-0000 (2010.12.02)
공개번호/일자 10-2010-0058018 (2010.06.03) 문서열기
공고번호/일자 (20101208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.11.24)
심사청구항수 43

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 성태연 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인(유한) 대아 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, 한양빌딩*층(역삼동)
2 특허법인이지 대한민국 서울특별시 금천구 가산디지털*로 ***(가산동, KCC웰츠밸리) ***-***

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0806805-09
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.06.09 수리 (Accepted) 4-1-2009-5111177-32
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.07.14 수리 (Accepted) 1-1-2009-0428699-12
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.08.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.09.15 수리 (Accepted) 9-1-2009-0052816-69
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0201201-69
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0449941-28
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0449939-36
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2010-0474748-09
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149278-93
11 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0548350-46
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.11 수리 (Accepted) 4-1-2014-5018243-16
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.04.22 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049934-62
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성되는 다층발광구조체 박막이 적층되는 사파이어 기판과의 열팽창 계수 차이가 5ppm/℃ 이하인 물질로 이루어진 선택지지기판; 상기 선택지지기판 상에 형성되며, 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 화합물로 이루어지거나, 화학적 에칭에 의해 제거 가능한 물질로 이루어진 희생층(sacrificial layer); 상기 희생층의 상부에 형성되는 금속후막(thick metal film); 및 상기 금속후막의 상부에 형성되며, 솔더링(soldering) 또는 브레이징(brazing) 합금 물질로 이루어진 본딩층을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
2 2
제1항에 있어서, 상기 선택지지기판은 사파이어(Al2O3), SiC, 질화알루미늄(AlN), MgO, AlSiC, BN, BeO, TiO2, SiO2, 유리(glass) 중 어느 하나의 물질로 이루어진 단결정, 다결정 또는 비정질 기판인 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
3 3
제1항에 있어서, 상기 희생층은 질소 또는 산소와 결합된 단결정, 다결정 또는 비정질상의 화합물로 이루어진 경우, GaN, InGaN, ZnO, InN, In2O3, ITO, SnO2, In2O3, Si3N4, SiO2, BeMgO, MgZnO, TiN, VN, CrN, TaN 중 적어도 하나의 물질을 포함하고, 화학적 에칭에 의해 제거 가능한 물질로 이루어진 경우, 화학적 에칭 가능한 금속, 합금, 고용체, 산화물, 질화물 또는 고온성 유기물 중 어느 하나의 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
4 4
제1항에 있어서, 상기 금속후막은 열적 및 전기적 전도체로서, 금속, 합금 또는 고용체로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속후막은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt 또는 Si 중에서 적어도 하나의 성분을 포함하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
6 6
제1항에 있어서, 상기 금속후막은 0
7 7
제1항에 있어서, 상기 본딩층은 Ga, Bi, In, Sn, Pb, Au, Al, Ag, Cu, Ni, Pd, Si 또는 Ge 중에서 적어도 하나를 포함하는 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
8 8
제1항에 있어서, 상기 희생층, 금속후막, 본딩층 중 적어도 하나가 패터닝되어 있거나, 상기 희생층, 금속후막, 본딩층 및 상기 선택지지기판의 일부까지 패터닝되어 있는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조용 지지기판
9 9
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 발광소자용 지지기판을 이용하여 수직구조를 갖는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, (a)사파이어 기판 상부에 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막, 복수의 제2오믹접촉전극, 제1금속후막 및 제1-1본딩층이 순차적으로 형성된 제1웨이퍼를 준비하는 단계; (b)상부면에 제1-2본딩층이 형성되고, 하부면에 제2-1본딩층이 형성된 금속호일을 준비하는 단계; (c)선택지지기판 상부에 희생층, 제2금속후막 및 제2-2본딩층이 순차적으로 형성된 제2웨이퍼를 준비하는 단계; (d)상기 제1-1본딩층과 제1-2본딩층이 본딩되고, 상기 제2-1본딩층과 제2-2본딩층이 본딩되도록 상기 제1웨이퍼, 금속호일 및 제2웨이퍼를 본딩하는 단계; (e)상기 (d)단계의 결과물로부터 레이저 리프트 오프(Laser Lift-off) 공정을 통하여 상기 제1웨이퍼의 사파이어 기판을 분리하는 단계; (f)상기 (e)단계에 의해 노출되는 다층발광구조체 박막을 아이솔레이션(isolation)하는 단계; (g)상기 (f)단계에 의해 아이솔레이션된 다층발광구조체 박막 각각의 표면에 복수의 제1오믹접촉전극을 형성하고, 측면 패시베이션 박막을 형성하는 단계; (h)상기 제2웨이퍼의 선택지지기판을 분리하는 단계; 및 (i)상기 (h)단계의 결과물을 수직방향으로 절단하여 단일 칩으로 제작하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 (a)단계의 다층발광구조체 박막은 n형 반도체 클래드층, 발광 활성층 및 p형 반도체 클래드층을 구비하며, 상기 각 층은 Inx(GayAl1-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y003e#0)인 조성을 갖는 단결정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
11 11
제9항에 있어서, 상기 (a)단계는 (a1)상기 다층발광구조체 박막 상에 복수의 제2오믹접촉전극을 형성하는 단계; (a2)상기 다층발광구조체 박막 및 상기 복수의 제2오믹접촉전극 상에 절연체 박막을 형성하는 단계; (a3)상기 복수의 제2오믹접촉전극 상에 복수의 제1전기전도성 박막을 형성하는 단계; (a4)상기 절연체 박막 및 상기 복수의 제2오믹접촉전극 상에 제2전기전도성 박막을 형성하는 단계; (a5)상기 제2전기전도성 박막 상에 상기 제1금속후막을 형성하는 단계; 및 (a6)상기 제1금속후막 상에 상기 제1-1본딩층을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제2전기전도성 박막에는 확산 장벽층(diffusion barrier layer) 및 접착강화층(adhesion-enhancing layer)이 포함되고, 상기 제1금속후막이 전기도금 또는 비전기도금으로 형성되는 경우 씨드층이 더 포함되는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 (b)단계는 상기 금속호일 상부면 및 하부면에 접착강화층을 형성한 후, 상기 제1-2본딩층 및 상기 제2-1본딩층을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
14 14
제9항에 있어서, 상기 (c)단계는 상기 제2금속후막 상에 확산 장벽층 또는 접착강화층을 더 형성한 후에 상기 제2-2본딩층을 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
15 15
제9항에 있어서, 상기 (c)단계의 희생층은 이빔증착(e-beam evaporation) 또는 열증착(thermal evaporation), MOCVD, 스퍼터링 및 PLD(Pulsed Laser Deposition) 방법 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
16 16
제9항에 있어서, 상기 제1금속후막 또는 제2금속후막은 전기도금 또는 비전기도금에 의해서 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
17 17
제9항에 있어서, 상기 (d)단계는 적어도 100℃의 온도 및 1~200㎫의 압력에서 열-압축 본딩 방법에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
18 18
제9항에 있어서, 상기 (e)단계는 상기 레이저 리프트 오프 공정 후, 기계-화학적 연마(chemo-mechanical polishing) 또는 습식 식각 공정이 더 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
19 19
제9항에 있어서, 상기 (h)단계는 레이저 리프트 오프 공정을 이용하여 상기 선택지지기판을 분리하거나, 화학적 에칭을 통해 상기 희생층을 제거하여 상기 선택지지기판을 분리하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
20 20
제9항에 있어서, 상기 (h)단계는 유기 또는 무기 본딩 물질로 임시지지기판을 상기 제1웨이퍼의 표면에 본딩한 후 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
21 21
제9항에 있어서, 상기 (h)단계 이후, 상기 선택지지기판 및 상기 희생층이 제거된 부분에 별도의 보조지지대를 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
22 22
제21항에 있어서, 상기 보조지지대는 ⅰ)Si, Ge, SiGe, ZnO, GaN, AlGaN, GaAs, AlN 및 BeO 중에서 선택되는 단결정 또는 다결정 웨이퍼, ⅱ)Mo, Cu, Ni, Nb, Ta, Ti, Au, Ag, Cr, NiCr, CuW, CuMo 및 NiW 중에서 선택되는 금속호일 또는 ⅲ)Cu/Mo/Cu, Cu/W/Cu, Ni/Mo/Ni, Cu/Ti/Cu, Cu/AlN/Cu, Cu/Al2O3/Cu, Cu/GaAs/Cu 및 Cu/Si/Cu 중에서 선택되는 라미네이트(laminate) 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
23 23
제9항에 있어서, 상기 (a)단계에서의 상기 복수의 제2오믹접촉전극의 형성 이전 또는 상기 (g)단계에서의 상기 복수의 제1오믹접촉전극의 형성 이전에, 상기 다층발광구조체 박막 상부에 표면 요철, 패터닝 공정을 통한 광추출 구조층 또는 알루미늄 막 나노 그리드 폴라라이저(aluminum film nano-grid polarizer) 중 적어도 하나를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
24 24
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 발광소자용 지지기판을 이용하여 수직구조를 갖는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, (a)사파이어 기판 상부에 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막, 복수의 제2오믹접촉전극 및 제1-1본딩층이 순차적으로 형성된 제1웨이퍼를 준비하는 단계; (b)상부면에 제1-2본딩층이 형성되고, 하부면에 제2-1본딩층이 형성된 금속호일을 준비하는 단계; (c)선택지지기판 상부에 희생층, 제2금속후막 및 제2-2본딩층이 순차적으로 형성된 제2웨이퍼를 준비하는 단계; (d)상기 제1-1본딩층과 제1-2본딩층이 본딩되고, 상기 제2-1본딩층과 제2-2본딩층이 본딩되도록 상기 제1웨이퍼, 금속호일 및 제2웨이퍼를 본딩하는 단계; (e)상기 (d)단계의 결과물로부터 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 제1웨이퍼의 사파이어 기판을 분리하는 단계; (f)상기 (e)단계에 의해 노출되는 다층발광구조체 박막을 아이솔레이션하는 단계; (g)상기 (f)단계에 의해 아이솔레이션된 다층발광구조체 박막 각각의 표면에 복수의 제1오믹접촉전극을 형성하고, 측면 패시베이션 박막을 형성하는 단계; (h)상기 제2웨이퍼의 선택지지기판을 분리하는 단계; 및 (i)상기 (h)단계의 결과물을 수직방향으로 절단하여 단일 칩으로 제작하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
25 25
제1항 내지 제8항 중 어느 하나의 항에 기재된 반도체 발광소자용 지지기판을 이용하여 수직구조를 갖는 반도체 발광소자를 제조하는 방법에 있어서, (a)사파이어 기판 상부에 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막, 복수의 제2오믹접촉전극, 제1금속후막 및 제1-1본딩층이 순차적으로 형성된 제1웨이퍼를 준비하는 단계; (b)상부면에 제1-2본딩층이 형성되고, 하부면에 제2-1본딩층이 형성된 금속호일을 준비하는 단계; (c)선택지지기판 상부에 희생층 및 제2-2본딩층이 순차적으로 형성된 제2웨이퍼를 준비하는 단계; (d)상기 제1-1본딩층과 제1-2본딩층이 본딩되고, 상기 제2-1본딩층과 제2-2본딩층이 본딩되도록 상기 제1웨이퍼, 금속호일 및 제2웨이퍼를 본딩하는 단계; (e)상기 (d)단계의 결과물로부터 레이저 리프트 오프 공정을 통하여 상기 제1웨이퍼의 사파이어 기판을 분리하는 단계; (f)상기 (e)단계에 의해 노출되는 다층발광구조체 박막을 아이솔레이션하는 단계; (g)상기 (f)단계에 의해 아이솔레이션된 다층발광구조체 박막 각각의 표면에 복수의 제1오믹접촉전극을 형성하고, 측면 패시베이션 박막을 형성하는 단계; (h)상기 제2웨이퍼의 선택지지기판을 분리하는 단계; 및 (i)상기 (h)단계의 결과물을 수직방향으로 절단하여 단일 칩으로 제작하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자 제조방법
26 26
상부에 제1오믹접촉전극이 형성되고, 하부에 제2오믹접촉전극, 절연체 박막, 제1전기전도성 박막, 제2전기전도성 박막 및 제1금속후막이 순차적으로 형성되어 있으며, 측면에 패시베이션 박막이 형성되어 있는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막; 상기 다층발광구조체 박막의 상기 제1금속후막 하부에 제1본딩층에 의해 본딩되어 있는 금속호일; 및 상기 금속호일 하부에 제2본딩층에 의해 본딩되어 있는 제2금속후막을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
27 27
상부에 제1오믹접촉전극이 형성되고, 하부에 제2오믹접촉전극, 절연체 박막, 제1전기전도성 박막, 제2전기전도성 박막이 순차적으로 형성되어 있으며, 측면에 패시베이션 박막이 형성되어 있는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막; 상기 다층발광구조체 박막의 상기 제2전기전도성 박막 하부에 제1본딩층에 의해 본딩되어 있는 금속호일; 및 상기 금속호일 하부에 제2본딩층에 의해 본딩되어 있는 제2금속후막을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
28 28
상부에 제1오믹접촉전극이 형성되고, 하부에 제2오믹접촉전극, 절연체 박막, 제1전기전도성 박막, 제2전기전도성 박막 및 제1금속후막이 순차적으로 형성되어 있으며, 측면에 패시베이션 박막이 형성되어 있는 그룹 3-5족 질화물계 반도체로 구성된 다층발광구조체 박막; 및 상기 다층발광구조체 박막의 상기 제1금속후막 하부에 제1본딩층에 의해 본딩되어 있는 금속호일을 구비하는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
29 29
제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 다층발광구조체 박막은 상부로부터 n형 반도체 클래드층, 발광 활성층 및 p형 반도체 클래드층을 구비하며, 상기 각 층은 Inx(GayAl1-y)N(0≤x≤1, 0≤y≤1, x+y003e#0)인 조성을 갖는 단결정으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
30 30
제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 다층발광구조체 박막의 상부 또는 하부에, 표면 요철, 광추출 구조층, 알루미늄 막 나노 그리드 폴라라이저 중 적어도 하나가 더 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
31 31
제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속호일은 0
32 32
제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 금속호일은 Cu, Al, Ni, Nb, W, Mo, Ta, Ti, Au, Ag, Pd, Pt, Cr, Fe, V, Si, Ge 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 판상 형태의 금속, 합금 또는 고용체인 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
33 33
제26항 또는 제28항에 있어서, 상기 제1금속후막은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 금속, 합금 또는 고용체로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
34 34
제26항 또는 제28항에 있어서, 상기 제1금속후막은 0
35 35
제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 제2금속후막은 Au, Cu, Ni, Ag, Mo, Al, Nb, W, Ti, Cr, Ta, Al, Pd, Pt, Si 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 금속, 합금 또는 고용체로 이루어지는 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
36 36
제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 제2금속후막은 0
37 37
제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1본딩층은 Ga, Bi, In, Sn, Pb, Au, Al, Ag, Cu, Ni, Pd, Si, Ge 성분들 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 솔더링 또는 브레이징의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 또는 제27항에 있어서, 상기 제2본딩층은 Ga, Bi, In, Sn, Pb, Au, Al, Ag, Cu, Ni, Pd, Si, Ge 성분들 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 솔더링 또는 브레이징의 합금으로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1오믹접촉전극은 Al, Ti, Cr, Ta, Ag, Al, Rh, Pt, Au, Cu, Ni, Pd, In, La, Sn, Si, Ge, Zn, Mg, NiCr, PdCr, CrPt, NiTi, TiN, CrN, SiC, SiCN, InN, AlGaN, InGaN, 희토류 금속, 금속성 실리사이드, 반도체성 실리사이드, CNTNs, 투명 전도성 산화물 또는 투명 전도성 질화물 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제2오믹접촉전극은 Ag, Al, Rh, Pt, Au, Cu, Ni, Pd, 금속성 실리사이드, Ag계 합금, Al계 합금, Rh계 합금, CNTNs, 투명 전도성 산화물 또는 투명 전도성 질화물 중 적어도 하나의 성분을 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 절연체 박막은 투명한 산화물, 투명한 질화물 또는 투명한 불화물 중 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 절연체 박막은 ODR(omni-directional reflector) 및 DBR(distributed Bragg reflector) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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제26항 내지 제28항 중 어느 하나의 항에 있어서, 상기 제1전기전도성 박막 또는 상기 제2전기전도성 박막은 Au, Al, Ag, Rh, Ru, Ir, Ti, V, Pd, W, Cr, Ni, Cu, Mo, Ta, Nb, Pt, NiCr, TiW, CuW, TiN, CrN, TiWN 중 적어도 하나를 포함하는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 수직구조를 갖는 반도체 발광소자
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