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금속 나노물질의 존재하의 금속이온의 광여기 환원에 기초된 전극 형성
- 기술번호 : KST2015131662
- 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
- 전화번호 : 02-2155-3662
| 요약 | 기판상에서 전극을 형성하는 시스템 또는 방법이 개시된다. 이러한 방법은 금속 이온과 금속 나노물질을 포함하는 용액을 기판 표면에 도포시키는 것을 포함할 수 있다. 또한 이 방법은 금속 이온의 환원을 야기시킬 수 있는 파장을 갖는 빛으로 용액의 선택된 부분을 노출시키는 것을 더 포함할 수 있으며, 여기서 상기 선택된 부분은 전극의 적어도 일부분에 대응된다. |
|---|---|
| Int. CL | H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01) |
| CPC | |
| 출원번호/일자 | 1020080124071 (2008.12.08) |
| 출원인 | 고려대학교 산학협력단 |
| 등록번호/일자 | 10-0991005-0000 (2010.10.25) |
| 공개번호/일자 | 10-2010-0026936 (2010.03.10) 문서열기 |
| 공고번호/일자 | (20101029) 문서열기 |
| 국제출원번호/일자 | |
| 국제공개번호/일자 | |
| 우선권정보 |
미국 | 12/202,139 | 2008.08.29
|
| 법적상태 | 등록 |
| 심사진행상태 | 수리 |
| 심판사항 | |
| 구분 | 신규 |
| 원출원번호/일자 | |
| 관련 출원번호 | |
| 심사청구여부/일자 | Y (2008.12.08) |
| 심사청구항수 | 43 |
출원인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
발명자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 이광렬 | 대한민국 | 경기도 남양주시 퇴 |
대리인
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 한양특허법인 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동) |
최종권리자
| 번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
|---|---|---|---|
| 1 | 고려대학교 산학협력단 | 대한민국 | 서울특별시 성북구 |
| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0844263-32 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0744784-29 |
| 4 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Resignation of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0744795-21 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2009.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0758627-42 |
| 6 | 우선권주장증명서류제출서(USPTO) Submission of Priority Certificate(USPTO) |
2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-9011896-76 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search |
2010.01.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search |
2010.02.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0011840-74 |
| 9 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2010.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0110556-49 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 [Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief) |
2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0315814-85 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2010.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0318484-25 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2010.05.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0318485-71 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 14 | 등록결정서 Decision to grant |
2010.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0468232-13 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
| 번호 | 청구항 |
|---|---|
| 1 |
1 기판 상에 전극을 형성하는 방법으로서, 금속 이온과 금속 나노물질을 포함하는 용액을 기판 표면에 도포시키고, 상기 금속 이온의 환원을 야기시킬 수 있는 파장을 갖는 빛에 상기 용액의 선택된 부분을 노출시키고, 상기 빛에 의해 환원된 금속 이온이 상기 금속 나노물질 근처에서 금속 응집물을 형성하고, 상기 선택된 부분에 위치한 상기 금속 나노물질과 금속 응집물은 상기 전극의 적어도 일부분에 대응되는 전극 형성 방법 |
| 2 |
2 삭제 |
| 3 |
3 제 1 항에 있어서, 빛에 노출되지 않은 상기 도포된 용액의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 금속 응집물과 상기 금속 나노물질 중 적어도 일부를 포함하는 패턴화된 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 전극 형성 방법 |
| 4 |
4 제 1 항에 있어서, 상기 용액은 수용액 내에서 용해되는 금속염을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 5 |
5 제 4 항에 있어서, 상기 금속염은 수용성 은염을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 6 |
6 제 5 항에 있어서, 상기 수용성 은염은 질산은(AgNO3), 아질산은(AgNO2), 또는 삼플루오르화아세트산은(AgOOCCF3)을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 7 |
7 제 4 항에 있어서, 상기 금속염은 수용성 금염을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 8 |
8 제 7 항에 있어서, 상기 수용성 금염은 염화금(I)(AuCl), 염화금(III)(AuCl3), 요오드화 금(AuI)을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 9 |
9 제 1 항에 있어서, 상기 용액을 도포시키는 것은 상기 기판과 포토마스크사이에서 형성된 적어도 하나의 이온 용액층을 갖는 상기 용액의 수조 내에 상기 기판을 침수시키는 것을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 10 |
10 제 1 항에 있어서, 상기 용액을 도포시키는 것은 상기 용액의 일부를 상기 기판상에 스핀 코팅시키는 것을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 11 |
11 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 선택된 부분을 빛에 노출시키는 것은 Ag+ 이온을 Ag 입자로 또는 Au+ 이온을 Au 입자로 광여기 환원시키는 것인 전극 형성 방법 |
| 12 |
12 제 1 항에 있어서, 상기 용액은 광여기 이온 환원을 촉진시키는 환원제를 더 포함하는 전극 형성 방법 |
| 13 |
13 제 12 항에 있어서, 상기 환원제는 히드로퀴논 또는 수소화붕소나트륨(NaBH4)을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 14 |
14 제 1 항에 있어서, 상기 용액의 선택된 부분을 빛에 노출시키는 것은 포토마스크를 통해 자외선(UV) 광의 방향을 유도하는 것을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 15 |
15 제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 나노입자, 나노막대, 나노와이어, 나노클러스터 또는 나노판 형태인 전극 형성 방법 |
| 16 |
16 제 1 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 17 |
17 제 16 항에 있어서, 상기 금속 나노물질의 금속은 상기 금속 이온의 금속과 매칭하는 전극 형성 방법 |
| 18 |
18 제 16 항에 있어서, 상기 금속 나노물질의 금속은 상기 금속 이온의 금속과 매칭하지 않는 전극 형성 방법 |
| 19 |
19 기판 상에 전극을 형성하는 방법으로서, 금속 이온을 포함하는 용액을 기판 표면 상에 형성된 금속 나노물질층 상에 도포시키고, 상기 금속 이온의 환원을 야기시킬 수 있는 파장을 갖는 빛에 상기 용액의 선택된 부분을 노출시키고, 상기 빛에 의해 환원된 금속 이온이 상기 금속 나노물질 근처에서 금속 응집물을 형성하고, 상기 선택된 부분에 위치한 상기 금속 나노물질과 금속 응집물은 전극의 적어도 일부분에 대응되는, 전극 형성 방법 |
| 20 |
20 삭제 |
| 21 |
21 제 19 항에 있어서, 빛에 노출되지 않은 상기 도포된 용액의 적어도 일부를 제거함으로써 상기 금속 응집물과 상기 금속 나노물질 중 적어도 일부를 포함하는 패턴화된 전극을 형성하는 것을 더 포함하는 전극 형성 방법 |
| 22 |
22 제 19 항에 있어서, 상기 금속 나노물질층은 상기 기판상에 스프레이 코팅된 금속 유기 전구체를 포함하는 전극 형성 방법 |
| 23 |
23 제 19 항에 있어서, 상기 용액은 수용액 내에서 용해되는 금속염을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 24 |
24 제 23 항에 있어서, 상기 금속염은 수용성 은염을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 25 |
25 제 24 항에 있어서, 상기 수용성 은염은 질산은(AgNO3), 아질산은(AgNO2), 또는 삼플루오르화아세트산은(AgOOCCF3)을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 26 |
26 제 19 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금(Au) 또는 은(Ag)을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 27 |
27 제 19 항에 있어서, 상기 용액을 도포시키는 것은 상기 기판과 포토마스크 사이에서 형성된 적어도 하나의 유액 갭을 갖는 상기 용액의 수조 내에 상기 기판을 침수시키는 것을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 28 |
28 제 19 항에 있어서, 상기 용액은 광여기 이온 환원을 촉진시키는 환원제를 더 포함하는 전극 형성 방법 |
| 29 |
29 제 19 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 나노입자, 나노막대, 나노와이어, 나노클러스터 또는 나노판 형태인 전극 형성 방법 |
| 30 |
30 제 19 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 전극 형성 방법 |
| 31 |
31 기판; 및 상기 기판 위에 형성된 패턴화된 전극 을 포함하는 장치로, 상기 패턴화된 전극은, 상기 기판 위에서 산포된 복수의 금속 나노물질; 및 상기 금속 나노물질의 근처에서 자외선(UV) 노출에 의해 금속 이온으로부터 환원된 금속입자가 응집된 금속 응집물을 포함하는 장치 |
| 32 |
32 제 31 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 상기 기판 위에서 코팅된 금속 나노물질층을 형성하는 장치 |
| 33 |
33 제 31 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 나노입자, 나노막대, 나노와이어, 나노클러스터 또는 나노판 형태인 장치 |
| 34 |
34 제 31 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 장치 |
| 35 |
35 제 31 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하는 적어도 하나의 이원 금속 합금 또는 삼원 금속 합금을 포함하는 장치 |
| 36 |
36 제 31 항에 있어서, 상기 장치는 태양 전지를 포함하는 장치 |
| 37 |
37 제 31 항에 있어서, 상기 장치는 디스플레이를 포함하는 장치 |
| 38 |
38 제 37 항에 있어서, 상기 디스플레이는 액정 디스플레이(LCD) 또는 플라즈마 디스플레이 패널(PDP)을 포함하는 장치 |
| 39 |
39 기판 상에 전극을 형성하는 방법으로서, 이온 용액층의 선택된 부분을 전자기(EM) 선에 노출시킴으로써 상기 선택된 부분에 위치하는 금속 이온을 금속 입자로 변환시키고, 상기 이온 용액층의 전기선에 노출되지 않은 부분을 제거하는 것을 포함하는 기판 형성 방법 |
| 40 |
40 제 39 항에 있어서, 상기 변환을 촉진시키기 위하여 금속 나노물질을 제공하는 것을 더 포함하는 기판 형성 방법 |
| 41 |
41 제 39 항에 있어서, 상기 금속 입자는 상기 금속 나노물질의 근처에서 우선적으로 응집되어 전극을 형성하는 기판 형성 방법 |
| 42 |
42 제 39 항에 있어서, 상기 금속 입자는 은 응집물을 포함하는 기판 형성 방법 |
| 43 |
43 제 40 항에 있어서, 상기 금속 나노물질은 금 나노입자, 금 나노막대, 금 나노와이어, 금 나노클러스터 또는 금 나노판 형태인 기판 형성 방법 |
| 44 |
44 복수의 금속 나노물질 및 상기 금속 나노물질의 근처에서 형성된 복수의 금속 응집물을 포함하는 전극으로서, 상기 금속 나노물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 니켈(Ni), 철(Fe), 팔라듐(Pd), 백금(Pt), 로듐(Rh), 루테늄(Ru), 오스뮴(Os), 코발트(Co), 텅스텐(W)으로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 금속을 포함하고, 상기 금속 응집물은 은 입자, 금 입자, 구리 입자 및 이들의 혼합물으로 구성된 그룹으로부터 선택되는 금속 입자을 포함하는 금속 응집물인 전극 |
| 45 |
45 제 44 항의 하나 이상의 전극들을 포함하는 장치 |
| 지정국 정보가 없습니다 |
|---|
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US08268536 | US | 미국 | FAMILY |
| 2 | US20100051091 | US | 미국 | FAMILY |
DOCDB 패밀리 정보
| 순번 | 패밀리번호 | 국가코드 | 국가명 | 종류 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | US2010051091 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 2 | US8268536 | US | 미국 | DOCDBFAMILY |
| 국가 R&D 정보가 없습니다. |
|---|
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| 특허 등록번호 | 10-0991005-0000 |
|---|
권리란
| 표시번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
출원 연월일 : 20081208 출원 번호 : 1020080124071 공고 연월일 : 20101029 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20101020 청구범위의 항수 : 43 유별 : H01L 31/042 발명의 명칭 : 금속 나노물질의 존재하의 금속이온의 광여기 환원에 기초된 전극 형성 존속기간(예정)만료일 : |
특허권자란
| 순위번호 | 사항 |
|---|---|
| 1 |
(권리자) 고려대학교 산학협력단 서울특별시 성북구... |
등록료란
| 제 1 - 3 년분 | 금 액 | 861,000 원 | 2010년 10월 26일 | 납입 |
| 제 4 년분 | 금 액 | 986,000 원 | 2013년 07월 17일 | 납입 |
| 제 5 년분 | 금 액 | 690,200 원 | 2014년 08월 25일 | 납입 |
| 제 6 년분 | 금 액 | 690,200 원 | 2015년 10월 26일 | 납입 |
| 제 7 년분 | 금 액 | 1,213,800 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
| 제 8 년분 | 금 액 | 1,213,800 원 | 2017년 09월 29일 | 납입 |
| 제 9 년분 | 금 액 | 867,000 원 | 2018년 10월 08일 | 납입 |
| 제 10 년분 | 금 액 | 1,302,500 원 | 2019년 10월 17일 | 납입 |
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| 번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
|---|---|---|---|---|
| 1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.12.08 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0844263-32 |
| 2 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2009.06.09 | 수리 (Accepted) | 4-1-2009-5111177-32 |
| 3 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0744784-29 |
| 4 | [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.12.02 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0744795-21 |
| 5 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2009.12.09 | 수리 (Accepted) | 1-1-2009-0758627-42 |
| 6 | 우선권주장증명서류제출서(USPTO) | 2009.12.15 | 수리 (Accepted) | 9-1-2009-9011896-76 |
| 7 | 선행기술조사의뢰서 | 2010.01.21 | 수리 (Accepted) | 9-1-9999-9999999-89 |
| 8 | 선행기술조사보고서 | 2010.02.19 | 수리 (Accepted) | 9-1-2010-0011840-74 |
| 9 | 의견제출통지서 | 2010.03.16 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0110556-49 |
| 10 | [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서 | 2010.05.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0315814-85 |
| 11 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2010.05.18 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0318484-25 |
| 12 | [명세서등 보정]보정서 | 2010.05.18 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2010-0318485-71 |
| 13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2010.08.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2010-5149278-93 |
| 14 | 등록결정서 | 2010.10.20 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2010-0468232-13 |
| 15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.02.11 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5018243-16 |
| 16 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2014.04.22 | 수리 (Accepted) | 4-1-2014-5049934-62 |
| 17 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.10.10 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5210941-09 |
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